![['Toward'] поставляет крупным производителям автомобильных аккумуляторов по всему миру; мы заметили рост спроса на твердотельные реле с более высоким рабочим напряжением. Физический предел реле на основе кремния составляет около 1500 В; поэтому в 2016 году мы начали разработку реле на основе карбида кремния для дальнейшего повышения рабочего напряжения.](https://cdn.ready-market.com.tw/c2cd8b09/Templates/pic/EV_nominal_voltage_with_respective_high_voltage_relays.png?v=f32cf654)
Ключ к дальнобойным электромобилям: реле Opto-SiC MOSFET, применяемые в BMS
Система управления батареями — это ключевая технология, управляющая целыми батарейными пакетами, установленными в электрических транспортных средствах. Эти аккумуляторные блоки состоят из множества аккумуляторных ячеек. Контроль, который предоставляет BMS, включает в себя мониторинг и обнаружение изоляции, отчет о рабочем состоянии и постоянную оптимизацию производительности батареи путем балансировки оставшейся мощности каждой ячейки. Опто-MOSFET реле (также известные как реле на твердом состоянии) могут быть применены ко всем трем функциям. В этой статье будет рассмотрено новое введение реле Opto SiC MOSFET от ['Toward'] и их роль в обнаружении изоляции в BMS.
Что такое BMS (Система управления батареями)?
Что такое мониторинг/обнаружение изоляции?
Функция мониторинга/обнаружения изоляции в BMS обеспечивает здоровье изоляции батареи и отсутствие утечек. Это работает так: если изоляция в любой ячейке батареи ухудшается, ток короткого замыкания проходит через наше реле, выдавая сигнал тревоги. Реле должно выдерживать напряжение, превышающее номинальное напряжение аккумуляторной батареи, обычно с буфером. Например, аккумуляторный блок с номинальным напряжением 800 В обычно требует реле с напряжением нагрузки более 1600 В.
Почему существует растущая необходимость в твердотельных реле с более высоким напряжением нагрузки в системах управления батареями (BMS)?
Ранние электромобили страдали от низкого запаса хода и медленного времени зарядки. Чтобы увеличить запас хода электромобиля и улучшить скорость зарядки, производителям аккумуляторов необходимо увеличить общее напряжение и номинальный ток. Поэтому реле с более высоким напряжением должны обеспечивать правильную работу функции мониторинга изоляции. ['Toward'] поставляет крупным производителям автомобильных аккумуляторов по всему миру; мы заметили рост спроса на твердотельные реле с более высоким рабочим напряжением. Физический предел реле на основе кремния составляет около 1500 В; поэтому в 2016 году мы инициировали разработку реле на основе карбида кремния для дальнейшего повышения рабочего напряжения. Мы успешно анонсировали линейку продуктов в 2018 году. Крупные автомобильные компании подтвердили наши реле SiC Opto-MOSFET в последующие несколько лет. На 2022 год месячное производство реле Opto-SiC MOSFET превысило 4 000 000 штук.
На данный момент крупные автомобильные компании подтвердили нашу 1800V Opto-SiC MOSFET реле (AA58, AS58), и массовое производство продолжается. Наши реле MOSFET Opto-SiC на 3300 В (AA53, AS53) также готовы к производству, в настоящее время проходит валидация. Наши реле MOSFET Opto-SiC на 6600 В находятся в процессе квалификации, образцы для инженерных испытаний готовы. ['Toward'] готов к будущему и хотел бы стать частью вашего дизайна.
- Связанные продукты
1200В/470мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51
Этот миниатюрный твердотельный реле на основе карбида кремния обеспечивает до 1200...
Подробности Добавить в корзину1200В/470мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F
С нагрузочным напряжением до 1200 В и нагрузочным током 470 мА наш миниатюрный кремниевый...
Подробности Добавить в корзину1200В/470мА DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51
С нагрузочным напряжением 1200 В в компактном корпусе DIP8-6, миниатюрное кремниевое карбидное...
Подробности Добавить в корзину1200В/470мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F
Это нагрузочное напряжение при 1200В, нагрузочный ток при 470мА, SMD8-6 кремниевый карбидный...
Подробности Добавить в корзину1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52
Это нагрузочное напряжение до 1700В, нагрузочный ток 350мА DIP6-5 кремниевый карбидный ИС...
Подробности Добавить в корзину1700В/350мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F
['TOWARD'] РЕЛЕ 1700V/350mA, сопротивление 0.6Ω, SMD6-5 кремний-карбидные ИС твердотельные реле предназначены...
Подробности Добавить в корзину3300В/300мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе DIP6-5, наши полупроводниковые...
Подробности Добавить в корзину3300В/300мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F
Силіконові карбідні ИС SMD6-5 твердотільні реле мають напругу навантаження 3300 В і здатні...
Подробности Добавить в корзину3300В/300мА/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в миниатюрном корпусе DIP8-6, наши твердотельные...
Подробности Добавить в корзину3300В/300мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе SMD8-6, наши твердотельные реле...
Подробности Добавить в корзинуУникальный пакет для улучшения расстояния пробоя, 3000В/500мА, твердотельное реле
AN53
Этот уникально упакованный миниатюрный кремниевый карбидный ИС твердотельного реле...
Подробности Добавить в корзину1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле, который выдерживает напряжение...
Подробности Добавить в корзину











