拓緯副总陈立昕表示，面对这些一流车厂时，厂商对于晶片与封装及要求经常比AEC-Q 车规认证严格数倍，其中除了需要花费大量时间与成本进行产品测试，也同时需要积极精进制程，改进晶片设计，新产品的导入平均历时3 到5 年，过程中也让拓緯的光耦合继电器品质及技术取得绝对领先。
 
研发经理陈垂勇表示，拓緯是全世界第一个推出高压碳化矽光耦合继电器的厂商，过程中，拓緯理解到了许多车厂的特殊要求，共同制定了高压标准，并配合车厂做了一系列的实验以确保继电器能在恶劣的环境下维持功能与寿命表现。 
 
拓緯耕耘电动车市场届满十年，从380V时代开始，机械式磁簧继电器尚能满足绝缘检测的需求。但随着电动车走入主流，电池组的总电压也翻倍成长，车厂对于高压继电器的要求也越来越严格。举例来说：其中欧洲某车厂要求绝缘检测用其耐电压必须是电动车总电压的两倍再加上1000V 的缓冲，这项要求于当时，是没有单一继电器能完成此项条件，厂商因而使用串联的方式处理，因此也有了不可见的隐忧。
 
有鉴于此，拓緯领先开发出3300V 的光耦合继电器，除符合高压需求，无机械式接点的设计也成就更长的寿命。市场独一无二的碳化矽基底(Silicon Carbide) 的固态光耦合继电器(Opto-MOSFET Relay) 成功解决了电动车厂的高压需求，为未来做好准备，成为继电器产业的领头羊。

关联产品

1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),DIP6-5

AA51

拓緯的AA51光耦合继电器采用碳化矽(Silicon Carbide) 做为内部晶片材料，可负载高达1200伏的电压，耐电流为470毫安培，导通电阻为0.6...

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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5

AA51F

此光耦合继电器耐电压达1200伏，耐电流为470 毫安培，导通电阻为0.6 Ohms，使用SMD6-5的封装，是一颗高耐压碳化矽半导体式小型光耦合继电器。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...

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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6

AM51

采用DIP8-6封装形式的AM51 为碳化矽半导体式小型光耦合继电器。能负载1200伏电压，470毫安培电流，导通电阻为0.6 Ohms....

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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6

AM51F

A接点常开型的光耦合继电器，耐电压达1200伏，耐电流600mA，导通电阻为0.6 ohms. 封装于SMD8-6中的因而增加了爬电距离，增大表面绝缘面积，增强耐用度。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...

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1700V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP6-5

AA52

此光耦合继电器能负载高达1700伏的电压，耐电流350毫安培，导通电阻为0.6 ohms. 为封装于DIP6-5中的碳化矽半导体式光耦合继电器。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力。采无机械接点设计，内部使用LED驱动碳化矽MOSFET进行开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常负载条件下使用下长达数十年之久，除了出色的崩溃电压表现(1700V...

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1700V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5

AA52F

能负载高达1700伏的AA52F，是一颗采用8.8mm*6.4mm SMD6-5封装形式的碳化矽半导体式小型光耦合继电器，耐电流为350毫安培，导通电阻为0.06...

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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP6-5

AA53

此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，耐电流达300mA，为A接点常开型的碳化矽半导体式小型光耦合继电器。使用8.8mm*6.4mm...

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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5

AA53F

此小型光耦合继电器可负载高达3300伏电压，耐电流330毫安培，使用SMD6-5封装形式，增加了爬电距离，增大表面绝缘面积，增强耐用度。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...

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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6

AM53

此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，使用SMD6-5的封装形式。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...

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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6

AM53F

此光耦合继电器能负载高达3300伏的电压，耐电流300毫安培，封装于SMD8-6。使用碳化矽做为继电器内部MOSFET材料。内部使用LED驱动碳化矽MOSFET开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常负载条件使用下长达数十年之久。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...

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采特殊封装以增加爬电距离, 3000V/500mA 光耦合继电器

AN53

此产品可负载高达3300伏的电压，耐电流达500mA，为常开型的碳化矽半导体式光耦合继电器。 AN53使用特殊形式封装，除了让脚位能更容易取代磁簧继电器，也大幅提升了绝缘性与耐电流。为了使继电器的负载电压能再提高，并确保于恶劣环境下继电器的运作能不受影响，因此使用了碳化矽做为继电器内部晶片的材料。此继电器适用于逆变器、充电站、电动车的电池管理系统，可耐受湿度和温度的大幅波动。全系列产品在1K无尘室条件下生产，工厂拥有ISO...

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1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),DIP6-5

AA58

这是一颗可负载1800V电压的半导体式小型光耦合继电器。内部的MOSFET由碳化矽为材料制成，因而大幅增加电压负载能力与耐用度。为了避免机械接点，内部设计使用LED驱动SiC...

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