1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)Поставщик | Производитель высококачественных реле и переключателей из Тайваня | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Этот миниатюрный твердотельный реле на кремниевом карбиде обеспечивает напряжение нагрузки до 1200 В с током нагрузки 470 мА и сопротивлением включения 0,6 Ом. Он имеет 1 контактное соединение типа A в корпусе DIP6-5. С помощью этой формы упаковки улучшается пробег для лучшей изоляции. Применяя карбид кремния в качестве материала для MOSFET-транзисторов, наш твердотельный реле IC может выдерживать высокие напряжения при работе в суровых условиях с изменяющимися температурами. B.T - это высококачественный производитель RF MEMS Switch, Opto-MOS Relay, Opto-MOSFET Relays, Reed Relay, Solid State Relay из Тайваня. С более чем 30-летним опытом производства реле, Bright Toward специализируется на производстве различных видов реле с 1988 года.

service@relay.com.tw

Свяжитесь с нами

1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)

DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) / Bright Toward Industrial Co., LTD. - производитель твердотельных реле, реле Рида и MEMS-переключателей.

1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
  • 1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51

DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

Этот миниатюрный твердотельный реле на кремниевом карбиде обеспечивает напряжение нагрузки до 1200 В с током нагрузки 470 мА и сопротивлением включения 0,6 Ом. Он имеет 1 контактное соединение типа A в корпусе DIP6-5. С помощью этой формы упаковки улучшается пробег для лучшей изоляции. Применяя карбид кремния в качестве материала для MOSFET-транзисторов, наш твердотельный реле IC может выдерживать высокие напряжения при работе в суровых условиях с изменяющимися температурами.

Функции
  • Опто-кремниевый MOSFET-реле
  • Миниатюрный размер
  • Размеры: 8.8* 6.4* 3.4 мм
  • Долгий срок службы (без механических контактов)
  • Бесшумная работа (без механических контактов)
  • Отличная линейность работы
  • Требуется низкий уровень управляющего тока/напряжения
  • Минимизированный уровень шума
  • Высокая изоляция
  • Высокая изоляция
Контактная форма
  • 1 Form A
Напряжение пробоя I/O
  • 3750
  • 5000
Тип нагрузки
  • AC
  • DC
Напряжение нагрузки (V)
  • 1200
Нагрузочный ток (A)
  • 0.47
Тип корпуса
  • DIP6-5
Сопротивление включения (Ω)
  • 0.6
Приложение
  • Система управления аккумулятором (BMS)
  • Модули обнаружения изоляции
  • Электромобиль
  • Зарядные станции
  • Механизм защиты от высокого напряжения
  • Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
  • Промышленное управление
Связанные продукты
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51

Этот миниатюрный твердотельный реле на кремниевом...

Подробности Добавить в список
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F

С номинальным напряжением нагрузки до 1200 В и током...

Подробности Добавить в список
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51

С номинальным напряжением нагрузки 1200 В в компактном...

Подробности Добавить в список
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F

Этот силовой напряжение составляет 1200 В, ток нагрузки...

Подробности Добавить в список
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1700V/ 350mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52

Этот твердотельный реле на кремниевом карбиде DIP6-5...

Подробности Добавить в список
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1700V/ 350mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F

РЕЛЕ TOWARD 1700V/350mA, с сопротивлением 0,6Ω, SMD6-5 твердотельное...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53

С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F

Твердотельные реле SMD6-5 на кремниевом карбиде IC имеют...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP8-6, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53

С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F

С возможностью переносить до 3300 В напряжения нагрузки...

Подробности Добавить в список
3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SO-16, 3300V/ 350mA SSR РЕЛЕ ПРОСКАТА > 8мм SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AS53F

Наш 350 мА твердотельный реле на основе карбида кремния...

Подробности Добавить в список
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5 - DIP6-5,1800V/30mA SSR РЕЛЕ SPST-NO(1 форма A), SiC MOSFET
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58

Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле,...

Подробности Добавить в список
Скачать
AA51 Data Sheet-1200V/470mA
AA51 Data Sheet-1200V/470mA

1 форма A, SiC MOSFET, корпус DIP6-5-8.8мм*6.4мм*3.4мм

Скачать

B.T - 1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) Производитель

Расположенная на Тайване с 1988 года, Bright Toward Industrial Co., LTD. является поставщиком и производителем реле. Основные продукты, включая опто-МОСФЕТ-реле, опто-SiC МОСФЕТ-реле, твердотельные реле, реле Рида и RF MEMS-переключатели.

B.T поставляет реле в мировую полупроводниковую и автомобильную промышленности уже более трех десятилетий и имеет долгосрочные партнерские отношения с компаниями OKITA Works из Японии, Menlo Microsystems из Калифорнии, JEL Systems из Японии и Teledyne Relays and Coax Switches из Калифорнии. Основными клиентами являются производители полупроводниковых тестовых систем, автоматизированных испытательных стендов (ATE), систем управления аккумуляторами (BMS), промышленного оборудования и электромобилей.

B.T предлагает клиентам высококачественные реле Opto-MOSFET и Opto-SiC MOSFET с 1988 года, оба с передовой технологией и 30-летним опытом. B.T гарантирует удовлетворение потребностей каждого клиента.