3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)Поставщик | Производитель высококачественных реле и переключателей из Тайваня | Bright Toward Industrial

С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки в корпусе DIP6-5, наши твердотельные реле на основе карбида кремния являются самыми инновационными в отрасли. TOWARD RELAYS - первая компания, использующая карбид кремния в качестве материала для наших миниатюрных реле MOSFET. Это обеспечивает очень высокое напряжение нагрузки с выдающейся производительностью в долговечности. С применением таких приложений, как инверторы, наружные зарядные станции и системы управления аккумуляторами (BMS) в электромобилях, наши твердотельные реле на основе карбида кремния могут выдерживать неблагоприятные условия окружающей среды, влажность и колебания температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях 1k класса нашего завода с сертификатами ISO9001 и IATF16949. ['B.T'] является высококачественным производителем RF MEMS переключателей, опто-MOS реле, опто-MOSFET реле, реле с контактами и твердотельных реле из Тайваня. С более чем 30-летним опытом производства реле, компания Toward специализируется на производстве различных видов реле с 1988 года.

service@relay.com.tw

Свяжитесь с нами

3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)

DIP6-5, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) / Bright Toward Industrial является производителем твердотельных реле, реле на германиевых контактах и MEMS переключателей.

3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
  • 3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53

DIP6-5, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки в корпусе DIP6-5, наши твердотельные реле на основе карбида кремния являются самыми инновационными в отрасли. TOWARD RELAYS - первая компания, использующая карбид кремния в качестве материала для наших миниатюрных реле MOSFET. Это обеспечивает очень высокое напряжение нагрузки с выдающейся производительностью в долговечности. С применением таких приложений, как инверторы, наружные зарядные станции и системы управления аккумуляторами (BMS) в электромобилях, наши твердотельные реле на основе карбида кремния могут выдерживать неблагоприятные условия окружающей среды, влажность и колебания температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях 1k класса нашего завода с сертификатами ISO9001 и IATF16949.

Особенности
  • Опто-кремниевый MOSFET-реле
  • Миниатюрный размер
  • Размеры: 8.8* 6.4* 3.4 мм
  • МОП-транзистор на карбиде кремния
  • Долгий срок службы (без механических контактов)
  • Бесшумная работа (без механических контактов)
  • Отличная линейность работы
  • Требуется низкий уровень управляющего тока/напряжения
  • Минимизированный уровень шума
  • Высокая изоляция
  • Высокая изоляция
Форма контакта
  • 1 Form A
Напряжение пробоя I/O
  • 3750
  • 5000
Тип нагрузки
  • AC
  • DC
Напряжение нагрузки (V)
  • 3300
Текущий нагрузка (A)
  • 0.3
Тип упаковки
  • DIP6-5
Сопротивление включения (Ω)
  • 3.2
Приложение
  • Система управления аккумулятором (BMS)
  • Модули обнаружения изоляции
  • Электромобиль
  • Зарядные станции
  • Механизм защиты от высокого напряжения
  • Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
  • Промышленное управление
Связанные продукты
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51

Этот миниатюрный твердотельный реле на кремниевом...

Подробности Добавить в список
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F

С номинальным напряжением нагрузки до 1200 В и током...

Подробности Добавить в список
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51

С номинальным напряжением нагрузки 1200 В в компактном...

Подробности Добавить в список
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F

Этот силовой напряжение составляет 1200 В, ток нагрузки...

Подробности Добавить в список
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1700V/ 350mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52

Этот твердотельный реле на кремниевом карбиде DIP6-5...

Подробности Добавить в список
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1700V/ 350mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F

РЕЛЕ TOWARD 1700V/350mA, с сопротивлением 0,6Ω, SMD6-5 твердотельное...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53

С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F

Твердотельные реле SMD6-5 на кремниевом карбиде IC имеют...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP8-6, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53

С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F

С возможностью переносить до 3300 В напряжения нагрузки...

Подробности Добавить в список
3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SO-16, 3300V/ 350mA SSR РЕЛЕ ПРОСКАТА > 8мм SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AS53F

Наш 350 мА твердотельный реле на основе карбида кремния...

Подробности Добавить в список
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5 - DIP6-5,1800V/30mA SSR РЕЛЕ SPST-NO(1 форма A), SiC MOSFET
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58

Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле,...

Подробности Добавить в список
Скачать
AA53 Data Sheet-3300V/300mA
AA53 Data Sheet-3300V/300mA

1 Форма A, SiC MOSFET, DIP6-5 Упаковка-8.8мм*6.4мм*3.4мм

Скачать

['B.T'] - 3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) Производитель

Находясь на Тайване с 1988 года, Bright Toward Industrial является поставщиком и производителем реле. Основные продукты включают реле Opto-MOSFET, реле Opto-SiC MOSFET, твердотельные реле, реле с лампочками и RF MEMS переключатели.

['B.T'] поставляет реле в мировую полупроводниковую и автомобильную промышленности уже более трех десятилетий и имеет долгосрочные партнерские отношения с компаниями OKITA Works из Японии, Menlo Microsystems из Калифорнии, JEL Systems из Японии и Teledyne Relays and Coax Switches из Калифорнии. Основными клиентами являются производители полупроводниковых тестовых систем, автоматизированных испытательных стендов (ATE), систем управления аккумуляторами (BMS), промышленного оборудования и электромобилей.

['B.T'] предлагает клиентам высококачественные реле Opto-MOSFET и Opto-SiC MOSFET с 1988 года, оба с передовой технологией и 30-летним опытом. ['B.T'] гарантирует удовлетворение потребностей каждого клиента.