Уникальный пакет для улучшения расстояния пробоя, 3000В/500мА, твердотельное реле
AN53
Package unique to improve creepage distance, 3000V/ 500mA, Opto-MOS Relay
Этот уникально упакованный миниатюрный кремниевый карбидный ИС твердотельного реле на 3000 В/500 мА значительно улучшает расстояние пробоя для автоматизированного испытательного оборудования (ATE), устройств на батарейном питании и универсального электронного испытательного оборудования. Мы первые в отрасли, кто применяет карбид кремния в МОП-транзисторах. Мы сделали шаг вперед и упаковали чипы SiC MOSFET в корпуса, похожие на реле с герконами, что облегчает клиентам замену нестабильных реле с герконами или реле на ртути.
Особенности
- Реле Opto-SiC MOSFET
- Миниатюрный размер
- MOSFET на основе карбида кремния
- Долговечность (без механических контактов)
- Бесшумная работа (без механических контактов)
- Отличная линейность работы
- Требует низкий ток/напряжение управления
- Минимизированный шум
- Высокая изоляция
- Высокая изоляция
Форма контакта
- 1 Form A
Напряжение пробоя I/O
- 7000
Тип нагрузки
- AC
- DC
Напряжение нагрузки (V)
- 3000
Ток нагрузки (A)
- 0.5
Тип упаковки
- AN
Сопротивление (Ω)
- 3.4
Применение
- Система управления батареей (BMS)
- Модули обнаружения изоляции
- Электрический транспорт
- Зарядные станции
- Механизм защиты от высокого напряжения
- Оборудование автоматического тестирования (ATE)
- Промышленный контроль
- Связанные продукты
-
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51
Этот миниатюрный твердотельный реле на основе карбида...
Подробности Добавить в список
1200В/470мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F
С нагрузочным напряжением до 1200 В и нагрузочным током...
Подробности Добавить в список
1200В/470мА DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51
С нагрузочным напряжением 1200 В в компактном корпусе...
Подробности Добавить в список
1200В/470мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F
Это нагрузочное напряжение при 1200В, нагрузочный ток...
Подробности Добавить в список
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52
Это нагрузочное напряжение до 1700В, нагрузочный ток...
Подробности Добавить в список
1700В/350мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F
РЕЛЕ TOWARD 1700V/350mA, с сопротивлением 0,6Ω, SMD6-5 твердотельное...
Подробности Добавить в список
3300В/300мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе...
Подробности Добавить в список
3300В/300мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F
Силіконові карбідні ИС SMD6-5 твердотільні реле мають...
Подробности Добавить в список
3300В/300мА/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в миниатюрном...
Подробности Добавить в список
3300В/300мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе...
Подробности Добавить в список
3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AS53F
Наш твердотельный реле на основе кремния с током 350 мА...
Подробности Добавить в список
Уникальный пакет для улучшения расстояния пробоя, 3000В/500мА, твердотельное реле
AN53
Этот уникально упакованный миниатюрный кремниевый...
Подробности Добавить в список
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле,...
Подробности Добавить в список - Скачать
-
Технический паспорт AN53-3000V/500mA
1 форма A, Уникальный тип корпуса для увеличения пробивного расстояния
Скачать - Больше
-
