![Toward Technologies, Inc. - ['Toward'] Technologies, Inc - Производитель твердотельных реле, реле с лампочкой и MEMS переключателей.](https://cdn.ready-market.com.tw/c2cd8b09/Templates/pic/logo.png?v=1a199a6d){kind=logo}
Уникальный пакет для увеличения пробивного расстояния, 3000V/500mA, твердотельное реле
AN53
Package unique to improve creepage distance, 3000V/ 500mA, Opto-MOS Relay
Этот уникально упакованный твердотельный реле на кремниевом карбиде с напряжением 3000В/500мА значительно улучшает пробивное расстояние для автоматизированного испытательного оборудования (ATE), устройств, работающих от батареи, общего назначения электронного испытательного оборудования. Мы первые в отрасли, которые применяют кремниевый карбид в MOSFET-микросхемах. Мы пошли еще дальше и упаковали чипы SiC MOSFET в корпусы, похожие на реле рида, что облегчает замену нестабильных реле рида или ртутных реле для наших клиентов.
Особенности
- Опто-кремниевый MOSFET-реле
- Миниатюрный размер
- МОП-транзистор на карбиде кремния
- Долгий срок службы (без механических контактов)
- Бесшумная работа (без механических контактов)
- Отличная линейность работы
- Требуется низкий уровень управляющего тока/напряжения
- Минимизированный уровень шума
- Высокая изоляция
- Высокая изоляция
Контактная форма
- 1 Form A
Пробивное напряжение ввода/вывода
- 7000
Тип нагрузки
- AC
- DC
Напряжение нагрузки (В)
- 3000
Нагрузочный ток (A)
- 0.5
Тип упаковки
- AN
Сопротивление включения (Ω)
- 3.4
Заявка
- Система управления аккумулятором (BMS)
- Модули обнаружения изоляции
- Электромобиль
- Зарядные станции
- Механизм защиты от высокого напряжения
- Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
- Промышленное управление
- Связанные продукты
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51
Этот миниатюрный твердотельный реле на кремниевом...
Подробности Добавить в список
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F
С номинальным напряжением нагрузки до 1200 В и током...
Подробности Добавить в список
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51
С номинальным напряжением нагрузки 1200 В в компактном...
Подробности Добавить в список
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F
Этот силовой напряжение составляет 1200 В, ток нагрузки...
Подробности Добавить в список
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52
Этот твердотельный реле на кремниевом карбиде DIP6-5...
Подробности Добавить в список
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F
['TOWARD'] РЕЛЕ 1700V/350mA, сопротивление 0.6Ω, SMD6-5 кремний-карбидные...
Подробности Добавить в список
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53
С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки...
Подробности Добавить в список
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F
Твердотельные реле SMD6-5 на кремниевом карбиде IC имеют...
Подробности Добавить в список
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53
С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки...
Подробности Добавить в список
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F
С возможностью переносить до 3300 В напряжения нагрузки...
Подробности Добавить в список
3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AS53F
Наш 350 мА твердотельный реле на основе карбида кремния...
Подробности Добавить в список
Уникальный пакет для увеличения пробивного расстояния, 3000V/500mA, твердотельное реле
AN53
Этот уникально упакованный твердотельный реле на...
Подробности Добавить в список
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле,...
Подробности Добавить в список- Скачать
Технический паспорт AN53-3000V/500mA
1 Форма A, Уникальный тип корпуса для улучшения расстояния пробоя
Скачать