![Toward Technologies, Inc. - ['Toward'] Technologies, Inc - Производитель твердотельных реле, реле с лампочкой и MEMS переключателей.](https://cdn.ready-market.com.tw/c2cd8b09/Templates/pic/logo.png?v=1a199a6d){kind=logo}
3300В/300мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F
SMD8-6, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе SMD8-6, наши твердотельные реле на основе карбида кремния являются самыми инновационными в отрасли. С корпусом DIP8-6 этот реле обладает выдающимися характеристиками изоляции и напряжения нагрузки. Мы первыми используем карбид кремния в качестве материала для наших МОП-транзисторов. Это обеспечивает высокое напряжение нагрузки с исключительными характеристиками долговечности. С такими приложениями, как инверторы, уличные зарядные станции и системы управления батареями (BMS) в электрических транспортных средствах, наши твердотельные реле на основе SiC могут выдерживать изменчивую среду, влажность и колебания температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях класса 1k, расположенных на нашем заводе с сертификатами ISO9001 и IATF16949.
Особенности
- Опто-SiC MOSFET реле
- Миниатюрный размер
- Размеры: 9.8* 6.4* 3.4 мм
- MOSFET на основе карбида кремния
- Долговечность (без механических контактов)
- Бесшумная работа (без механических контактов)
- Отличная линейность работы
- Требует низкого тока/напряжения управления
- Минимизированный шум
- Высокая изоляция
- Высокая изоляция
Форма контакта
- 1 Form A
Напряжение пробоя I/O
- 3750
- 5000
Тип нагрузки
- AC
- DC
Напряжение нагрузки (В)
- 3300
Ток нагрузки (А)
- 0.3
Тип упаковки
- SMD8-6
Сопротивление включения (Ω)
- 3.2
Заявка
- Система управления батареями (BMS)
- Модули обнаружения изоляции
- Электрический транспорт
- Зарядные станции
- Механизм защиты от высокого напряжения
- Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
- Промышленное управление
- Связанные продукты
1200В/470мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51
Этот миниатюрный твердотельный реле на основе карбида...
Подробности Добавить в список
1200В/470мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F
С нагрузочным напряжением до 1200 В и нагрузочным током...
Подробности Добавить в список
1200В/470мА DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51
С нагрузочным напряжением 1200 В в компактном корпусе...
Подробности Добавить в список
1200В/470мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F
Это нагрузочное напряжение при 1200В, нагрузочный ток...
Подробности Добавить в список
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52
Это нагрузочное напряжение до 1700В, нагрузочный ток...
Подробности Добавить в список
1700В/350мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F
['TOWARD'] РЕЛЕ 1700V/350mA, сопротивление 0.6Ω, SMD6-5 кремний-карбидные...
Подробности Добавить в список
3300В/300мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе...
Подробности Добавить в список
3300В/300мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F
Силіконові карбідні ИС SMD6-5 твердотільні реле мають...
Подробности Добавить в список
3300В/300мА/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в миниатюрном...
Подробности Добавить в список
3300В/300мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе...
Подробности Добавить в список
3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AS53F
Наш твердотельный реле на основе кремния с током 350 мА...
Подробности Добавить в список
Уникальный пакет для улучшения расстояния пробоя, 3000В/500мА, твердотельное реле
AN53
Этот уникально упакованный миниатюрный кремниевый...
Подробности Добавить в список
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле,...
Подробности Добавить в список- Скачать
