К выпускам реле на основе SiC Opto-MOSFET 3300V | Toward Technologies, Inc - Производитель твердотельных реле, реле на герметических контактах и MEMS переключателей.

Toward Technologies, Inc. верит в карбид кремния как в будущее силовых электронных компонентов. Мы выпустили реле Opto SiC-MOSFET на 1700В и 1800В и выпустим еще одну линию реле Opto SiC-MOSFET на 3300В и 6600В. Наши реле Opto-SiC MOSFET могут поддерживать различные приложения, от электрических транспортных средств до испытаний на высокое напряжение, преобразователей, инверторов, медицинского оборудования, спутниковых двигателей и многого другого. Компания Toward выпустила свой первый релейный SiC MOSFET в 2017 году. После этого мы убедили наших автомобильных клиентов заменить реле на основе Si на реле на основе SiC. Многие клиенты подтвердили качество наших продуктов на основе SiC и применили их в своих проектах BMS, включая CATL и Volkswagen. Toward Technologies К релизам 3300V SiC-основанных опто-MOSFET реле Введение. Toward Technologies, Inc. является производителем твердотельных реле, реле на германиевых контактах и MEMS переключателей.. Производитель опто-MOSFET твердотельных реле, реле на германиевых контактах и RF MEMS переключателей. Мы в основном обслуживаем отрасли тестирования полупроводников, автоматизированного тестирования, систем управления батареями (BMS), промышленного оборудования и электрических транспортных средств.

support@toward.com

Свяжитесь с нами

К выпускам реле на основе SiC Opto-MOSFET 3300V

SiC - это полупроводник с широким запрещенным диапазоном, который может выдерживать тысячи вольт и высокие температуры (более 175°C). Компоненты SiC могут эффективно работать на более высоких частотах без ненужных потерь, как IGBT и MOSFET на основе кремния. SiC также имеет меньшее сопротивление в открытом состоянии при более высоком напряжении.

SiC - это полупроводник с широким запрещенным диапазоном, который может выдерживать тысячи вольт и высокие температуры (более 175°C). Компоненты SiC могут эффективно работать на более высоких частотах без ненужных потерь, как IGBT и MOSFET на основе кремния. SiC также имеет меньшее сопротивление в открытом состоянии при более высоком напряжении.

К выпускам реле на основе SiC Opto-MOSFET 3300V

Toward Technologies, Inc. верит в карбид кремния как в будущее силовых электронных компонентов. Мы выпустили реле Opto SiC-MOSFET на 1700В и 1800В и выпустим еще одну линию реле Opto SiC-MOSFET на 3300В и 6600В. Наши реле Opto-SiC MOSFET могут поддерживать различные приложения, от электрических транспортных средств до испытаний на высокое напряжение, преобразователей, инверторов, медицинского оборудования, спутниковых двигателей и многого другого.
 
Toward выпустила свой первый SiC MOSFET реле в 2017 году. После этого мы убедили наших автомобильных клиентов заменить реле на основе кремния на реле на основе SiC. Многие клиенты подтвердили наши продукты на основе SiC и применили их в своих проектах BMS, включая CATL и Volkswagen.


Автор: Ли Цай
1800V/ 3300V Опто SiC MOSFET реле

AA53F - это нормально открытое SPST SiC MOS реле с корпусом SMD6-5. AA53F имеет рабочее напряжение 3300V и ток нагрузки 300mA. AS58F - это реле с корпусом SO-16 и расстоянием пробоя >8mm.

SiC - это полупроводник с широким запрещенным диапазоном, который может выдерживать тысячи вольт и высокие температуры (более 175°C). Компоненты SiC могут эффективно работать на более высоких частотах без ненужных потерь, как IGBT и MOSFET на основе кремния. SiC также имеет меньшее сопротивление в открытом состоянии при более высоком напряжении.
 
Компоненты на основе SiC являются трендом. В настоящее время компоненты SiC конкурируют за систему привода электромобилей на рынке. Компоненты SiC стремятся к интеграции бортовых зарядных устройств для электромобилей и DC-DC преобразователей. Применение компонентов SiC может помочь увеличить дальность хода электромобилей на 5-10% на одной зарядке. Поэтому производители автомобилей могут использовать более маленькие, легкие и недорогие аккумуляторы в своих разработках.
 
В дополнение к рынку электромобилей, реле Opto SiC-MOSFET компании Toward могут принести пользу промышленным и дата-центровым источникам питания, солнечным инверторам, инфраструктуре возобновляемой энергии и рынкам промышленной автоматизации. Снижение углеродного следа является направлением для различных отраслей. Чтобы удовлетворить спрос на рынке SiC, компания Toward планирует инвестировать больше для увеличения производственных мощностей наших продуктов на основе SiC.

Скачивание файла
BT_NewsLetter_Vol.1
BT_NewsLetter_Vol.1

На пути к информационному бюллетеню Vol.1

Скачать
Связанные продукты
1200В/470мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200В/ 470мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
1200В/470мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51

Этот миниатюрный твердотельный реле на основе карбида кремния обеспечивает до 1200...

Подробности Добавить в корзину
1200В/470мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200В/ 470мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200В/470мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F

С нагрузочным напряжением до 1200 В и нагрузочным током 470 мА наш миниатюрный кремниевый...

Подробности Добавить в корзину
1200В/470мА DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200В/ 470мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200В/470мА DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51

С нагрузочным напряжением 1200 В в компактном корпусе DIP8-6, миниатюрное кремниевое карбидное...

Подробности Добавить в корзину
1200В/470мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 1200В/ 470мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200В/470мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F

Это нагрузочное напряжение при 1200В, нагрузочный ток при 470мА, SMD8-6 кремниевый карбидный...

Подробности Добавить в корзину
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1700V/ 350mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52

Это нагрузочное напряжение до 1700В, нагрузочный ток 350мА DIP6-5 кремниевый карбидный ИС...

Подробности Добавить в корзину
1700В/350мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1700В/350мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1700В/350мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F

РЕЛЕ TOWARD 1700V/350mA, с сопротивлением 0,6Ω, SMD6-5 твердотельное реле на кремниевом карбиде...

Подробности Добавить в корзину
3300В/300мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 3300В/ 300мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300В/300мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53

С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе DIP6-5, наши полупроводниковые...

Подробности Добавить в корзину
3300В/300мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 3300В/ 300мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300В/300мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F

Силіконові карбідні ИС SMD6-5 твердотільні реле мають напругу навантаження 3300 В і здатні...

Подробности Добавить в корзину
3300В/300мА/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP8-6, 3300В/ 300мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300В/300мА/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53

С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в миниатюрном корпусе DIP8-6, наши твердотельные...

Подробности Добавить в корзину
3300В/300мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300В/300мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300В/300мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F

С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе SMD8-6, наши твердотельные реле...

Подробности Добавить в корзину
Уникальный пакет для улучшения расстояния пробоя, 3000В/500мА, твердотельное реле - Уникальный пакет, 3000В/500мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A)
Уникальный пакет для улучшения расстояния пробоя, 3000В/500мА, твердотельное реле
AN53

Этот уникально упакованный миниатюрный кремниевый карбидный ИС твердотельного реле...

Подробности Добавить в корзину
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5 - DIP6-5, 1800V/30mA SSR РЕЛЕ SPST-NO(1 форма A), SiC MOSFET
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58

Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле, который выдерживает напряжение...

Подробности Добавить в корзину

Toward Technologies, Inc - производитель твердотельных реле, реле с герконовым контактом и MEMS переключателей.

Находясь на Тайване с 1988 года, Toward Technologies, Inc. является поставщиком и производителем реле. Основные продукты включают реле Opto-MOSFET, реле Opto-SiC MOSFET, твердотельные реле, реле с лампочками и RF MEMS переключатели и т.д.

Toward Technologies поставляет реле для полупроводниковой и автомобильной промышленности мира на протяжении более трех десятилетий и имеет долгосрочные партнерские отношения с OKITA Works, расположенной в Японии; Menlo Microsystems, расположенной в Калифорнии; JEL Systems, расположенной в Японии, и Teledyne Relays и Coax Switches, расположенными в Калифорнии. Основные направления работы — тестирование полупроводников, ATE, BMS (системы управления батареями), промышленное оборудование и электрические транспортные средства.

Toward Technologies предлагает клиентам высококачественные реле Opto-MOSFET и Opto-SiC MOSFET с 1988 года, используя передовые технологии и 37-летний опыт, Toward Technologies гарантирует удовлетворение требований каждого клиента.