К выпускам реле на основе SiC Opto-MOSFET 3300V | Toward Technologies, Inc - Производитель твердотельных реле, реле на герметических контактах и MEMS переключателей.

Bright Toward Industrial верит в карбид кремния как в будущее силовых электронных компонентов. Мы выпустили реле Opto SiC-MOSFET с напряжением 1700V и 1800V и скоро выпустим еще линейку реле Opto SiC-MOSFET с напряжением 3300V и 6600V. Наши реле Opto-SiC MOSFET могут поддерживать различные приложения, от электромобилей до испытаний на высокое напряжение, преобразователей, инверторов, медицинского оборудования, спутниковых двигателей и многого другого. Компания Toward выпустила свой первый релейный SiC MOSFET в 2017 году. После этого мы убедили наших автомобильных клиентов заменить реле на основе Si на реле на основе SiC. Многие клиенты подтвердили эффективность наших продуктов на основе карбида кремния и применили их в своих проектах по разработке систем управления аккумуляторами, включая CATL и Volkswagen. ['B.T'] К релизам 3300V SiC-основанных опто-MOSFET реле Введение. Bright Toward Industrial является производителем твердотельных реле, реле на германиевых контактах и MEMS переключателей.. Производитель опто-MOSFET твердотельных реле, реле Рида и RF MEMS переключателей. Мы в основном обслуживаем отрасли полупроводникового тестирования, АТЕ, системы управления аккумуляторами (BMS), промышленное оборудование и отрасль электромобилей.

service@relay.com.tw

Свяжитесь с нами

К выпускам реле на основе SiC Opto-MOSFET 3300V

SiC - это полупроводник с широкой запрещенной зоной, который может выдерживать тысячи вольт и высокие температуры (более 175 °C). Компоненты на основе SiC могут работать эффективно на более высоких частотах без ненужных потерь, как IGBT и Si-основанные MOSFET. SiC также обладает меньшим сопротивлением включения при более высоком напряжении.

SiC - это полупроводник с широкой запрещенной зоной, который может выдерживать тысячи вольт и высокие температуры (более 175 °C). Компоненты на основе SiC могут работать эффективно на более высоких частотах без ненужных потерь, как IGBT и Si-основанные MOSFET. SiC также обладает меньшим сопротивлением включения при более высоком напряжении.

К выпускам реле на основе SiC Opto-MOSFET 3300V

Bright Toward Industrial верит в карбид кремния как в будущее силовых электронных компонентов. Мы выпустили реле Opto SiC-MOSFET с напряжением 1700V и 1800V и скоро выпустим еще линейку реле Opto SiC-MOSFET с напряжением 3300V и 6600V. Наши реле Opto-SiC MOSFET могут поддерживать различные приложения, от электромобилей до испытаний на высокое напряжение, преобразователей, инверторов, медицинского оборудования, спутниковых двигателей и многого другого.
 
Toward выпустила свой первый SiC MOSFET реле в 2017 году. После этого мы убедили наших автомобильных клиентов заменить реле на основе кремния на реле на основе SiC. Многие клиенты подтвердили наши продукты на основе SiC и применили их в своих проектах BMS, включая CATL и Volkswagen.


Автор: Ли Цай
Реле Opto SiC MOSFET с напряжением 1800V/3300V

AA53F - это обычно открытое реле SPST SiC MOS с корпусом SMD6-5. AA53F имеет напряжение нагрузки 3300V и ток нагрузки 300mA. AS58F - это реле с корпусом SO-16 и пробивным расстоянием >8мм.

SiC - это полупроводник с широкой запрещенной зоной, который может выдерживать тысячи вольт и высокие температуры (более 175 °C). Компоненты на основе SiC могут работать эффективно на более высоких частотах без ненужных потерь, как IGBT и Si-основанные MOSFET. SiC также обладает меньшим сопротивлением включения при более высоком напряжении.
 
Компоненты на основе карбида кремния являются трендом. В настоящее время компоненты на основе карбида кремния конкурируют на рынке электротранспорта в системе силового агрегата. Компоненты на основе карбида кремния стремятся быть встроенными в электромобильные зарядные устройства и преобразователи постоянного тока в постоянный ток. Применение компонентов на основе карбида кремния может помочь увеличить запас хода электромобилей на 5-10% от одного заряда. Поэтому производители автомобилей могут использовать более маленькие, легкие и более дешевые аккумуляторы в своих конструкциях.
 
В дополнение к рынку электромобилей, реле Opto SiC-MOSFET компании Toward могут принести пользу промышленным и дата-центровым источникам питания, солнечным инверторам, инфраструктуре возобновляемой энергии и рынкам промышленной автоматизации. Снижение углеродного следа является направлением для различных отраслей. Чтобы удовлетворить спрос на рынке SiC, компания Toward планирует инвестировать больше для увеличения производственных мощностей наших продуктов на основе SiC.

Скачивание файла
BT_NewsLetter_Vol.1
BT_NewsLetter_Vol.1

К направлению Новостной бюллетень Том 1

Скачать
Связанные продукты
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51

Этот миниатюрный твердотельный реле на кремниевом карбиде обеспечивает напряжение...

Подробности Добавить в корзину
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F

С номинальным напряжением нагрузки до 1200 В и током нагрузки до 470 мА, наш миниатюрный...

Подробности Добавить в корзину
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51

С номинальным напряжением нагрузки 1200 В в компактном корпусе DIP8-6, кремниевый карбидный...

Подробности Добавить в корзину
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F

Этот силовой напряжение составляет 1200 В, ток нагрузки - 470 мА. Кремниевый карбидный...

Подробности Добавить в корзину
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1700V/ 350mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52

Этот твердотельный реле на кремниевом карбиде DIP6-5 с нагрузочным напряжением до 1700...

Подробности Добавить в корзину
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1700V/ 350mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F

РЕЛЕ TOWARD 1700V/350mA, с сопротивлением 0,6Ω, SMD6-5 твердотельное реле на кремниевом карбиде...

Подробности Добавить в корзину
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53

С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки в корпусе DIP6-5, наши твердотельные...

Подробности Добавить в корзину
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F

Твердотельные реле SMD6-5 на кремниевом карбиде IC имеют номинальное напряжение нагрузки...

Подробности Добавить в корзину
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP8-6, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53

С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки в миниатюрном корпусе DIP8-6, наши...

Подробности Добавить в корзину
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F

С возможностью переносить до 3300 В напряжения нагрузки в корпусе SMD8-6, наши твердотельные...

Подробности Добавить в корзину
Уникальный пакет для увеличения пробивного расстояния, 3000V/500mA, твердотельное реле - Уникальный пакет, 3000V/500mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 Form A)
Уникальный пакет для увеличения пробивного расстояния, 3000V/500mA, твердотельное реле
AN53

Этот уникально упакованный твердотельный реле на кремниевом карбиде с напряжением...

Подробности Добавить в корзину
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5 - DIP6-5,1800V/30mA SSR РЕЛЕ SPST-NO(1 форма A), SiC MOSFET
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58

Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле, который выдерживает напряжение...

Подробности Добавить в корзину

Toward Technologies, Inc - производитель твердотельных реле, реле с лампочкой и MEMS переключателей.

Находясь на Тайване с 1988 года, Bright Toward Industrial является поставщиком и производителем реле. Основные продукты включают реле Opto-MOSFET, реле Opto-SiC MOSFET, твердотельные реле, реле с лампочками и RF MEMS переключатели и т.д.

['B.T'] поставляет реле в мировую полупроводниковую и автомобильную промышленности уже более трех десятилетий и имеет долгосрочные партнерские отношения с компаниями OKITA Works из Японии, Menlo Microsystems из Калифорнии, JEL Systems из Японии и Teledyne Relays and Coax Switches из Калифорнии. Основными клиентами являются производители полупроводниковых тестовых систем, автоматизированных испытательных стендов (ATE), систем управления аккумуляторами (BMS), промышленного оборудования и электромобилей.

['B.T'] предлагает клиентам высококачественные реле Opto-MOSFET и Opto-SiC MOSFET с 1988 года, оба с передовой технологией и 30-летним опытом. ['B.T'] гарантирует удовлетворение потребностей каждого клиента.