拓緯推出 3300V SiC 碳化矽光耦合 MOSFET 繼電器簡介 | 拓緯實業股份有限公司

拓緯的拓緯推出 3300V SiC 碳化矽光耦合 MOSFET 繼電器簡介. 拓緯是繼電器的專業製造商。主要產品有:磁簧繼電器、光耦合繼電器、射頻微機電開關、碳化矽光耦合繼電器、固態繼電器。. 拓緯主要研發生產:半導體式光耦合繼電器、磁簧繼電器、固態繼電器、微機電開關。主要服務產業有:半導體測試(八成市佔率)、電動車電池管理系統 (BMS)、工業、電信基地台等

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拓緯推出 3300V SiC 碳化矽光耦合 MOSFET 繼電器

SiC是一種寬能隙(WBG)半導體,擊穿電壓高達數千伏,並且能夠承受比矽基MOSFET更高的溫度(攝氏175度或以上)。SiC元件在以更高頻率和效率運行時,也不會如同標準IGBTs和MOSFETs一樣出現不必要的損耗。

SiC是一種寬能隙(WBG)半導體,擊穿電壓高達數千伏,並且能夠承受比矽基MOSFET更高的溫度(攝氏175度或以上)。SiC元件在以更高頻率和效率運行時,也不會如同標準IGBTs和MOSFETs一樣出現不必要的損耗。

拓緯推出 3300V SiC 碳化矽光耦合 MOSFET 繼電器

積極鼓吹碳化矽(SiC)材質是功率電子元件產品的未來的拓緯實業(Bright Toward),繼先前推出1,700與1,800伏(V)SiC MOSFET 系列功率元件後,又於日前推出能夠支援從電動車到太陽能逆變器等各種設備的新系列產品,進軍 33000 V 功率元件市場。此外,拓緯還擴大對SiC元件生產進行投資,以滿足可預見的市場需求和降低製造成本。

拓緯於 2017 年推出首款基於 SiC 材質的產品後,就一直在說服客戶捨棄原本採用的矽 (Si) 基元件,轉而改採SiC 元件。拓緯業務副總Alex表示,目前拓緯 SiC MOSFET 和其他功率元件客戶包括寧德時代 (CATL)、現代汽車 (Hyundai Motor)、福斯汽車 (Volkswagon)等。


撰稿: 蔡立軒/徐祐生
1800V/ 3300V Opto SiC MOSFET Relay

AA53F是一款A接點常開且封裝為SMD6-5的SPST碳化矽光耦合繼電器,耐電壓高達3300V、耐電流達300mA。AS58則是一顆採用爬電距離 (Creepage Distance) > 8mm 的 SO-16 封裝形式的碳化矽光耦合繼電器。可負載高達1800伏電壓,耐電流30毫安培。

SiC 是一種寬能隙 (WBG) 半導體,擊穿電壓高達數千伏,並且能夠承受比矽基 MOSFET 更高的溫度(攝氏175度或以上)。SiC 元件在以更高頻率和效率運行時,也不會如同標準 IGBTs 和 MOSFETs 一樣出現不必要的損耗。SiC 在較高電壓下也具有較小的導通電阻 (on-state resistance)。這會使傳導損耗降低、具有更高的電流密度,和散發更多熱量。此外,SiC 還具有比一般 MOSFETs 和 IGBTs 更快的開關切換速度。

SiC 元件的採用會是未來趨勢。目前該元件除了在爭奪電動車核心的動力傳動 (powertrain) 裝置系統應用市場外,也在爭取贏得電動車車載充電器和直流-直流轉換器等裝置的設計取得。採用SiC元件有助於電動車單次充電續行里程提高5~10%,或是讓汽車製造業者能夠使用更小、更輕、成本更低的電池。

除電動車外,拓緯新款 SiC MOSFET Relay 也有助於將優點帶入工業和資料中心電源、太陽能逆變器、再生能源基礎設施,和馬達驅動器市場中。隨著減少碳足跡已成為各產業既定發展方向,為滿足預期將會湧現的SiC市場需求,拓緯正計劃持續投資來提高自家SiC產品產量。

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採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器 - 特殊封裝,3000V/500mA SPST-NO(1 Form A)
採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器
AN53

此產品可負載高達3300伏的電壓,耐電流達500mA,為常開型的碳化矽半導體式光耦合繼電器。AN53使用特殊形式封裝,除了讓腳位能更容易取代磁簧繼電器,也大幅提升了絕緣性與耐電流。為了使繼電器的負載電壓能再提高,並確保於惡劣環境下繼電器的運作能不受影響,因此使用了碳化矽做為繼電器內部晶片的材料。此繼電器適用於逆變器、充電站、電動車的電池管理系統,可耐受濕度和溫度的大幅波動。全系列產品在1K無塵室條件下生產,工廠擁有...

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1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5 - DIP6-5,1800V/30mA SPST-NO(1 Form A), SiC MOSFET
1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5
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這是一顆可負載 1800V電壓的半導體式小型光耦合繼電器。內部的MOSFET由碳化矽為材料製成,因而大幅增加電壓負載能力與耐用度。為了避免機械接點,內部設計使用LED驅動...

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拓緯實業股份有限公司是一家專業在繼電器研發與生產的製造商. 成立於西元1988年並擁有超過30年的射頻微機電開關,光耦合繼電器,磁簧繼電器,固態繼電器製造經驗。除半導體市場外,車用電子、通訊基地台、射頻訊號、軍用市場等領域,皆不難發現拓緯的足跡。