拓緯推出 3300V SiC 碳化矽光耦合 MOSFET 繼電器
積極鼓吹碳化矽(SiC)材質是功率電子元件產品的未來的拓緯實業(Bright Toward),繼先前推出1,700與1,800伏(V)SiC MOSFET 系列功率元件後,又於日前推出能夠支援從電動車到太陽能逆變器等各種設備的新系列產品,進軍 33000 V 功率元件市場。此外,拓緯還擴大對SiC元件生產進行投資,以滿足可預見的市場需求和降低製造成本。
拓緯於 2017 年推出首款基於 SiC 材質的產品後,就一直在說服客戶捨棄原本採用的矽 (Si) 基元件,轉而改採SiC 元件。拓緯業務副總Alex表示,目前拓緯 SiC MOSFET 和其他功率元件客戶包括寧德時代 (CATL)、現代汽車 (Hyundai Motor)、福斯汽車 (Volkswagon)等。
SiC 是一種寬能隙 (WBG) 半導體,擊穿電壓高達數千伏,並且能夠承受比矽基 MOSFET 更高的溫度(攝氏175度或以上)。SiC 元件在以更高頻率和效率運行時,也不會如同標準 IGBTs 和 MOSFETs 一樣出現不必要的損耗。SiC 在較高電壓下也具有較小的導通電阻 (on-state resistance)。這會使傳導損耗降低、具有更高的電流密度,和散發更多熱量。此外,SiC 還具有比一般 MOSFETs 和 IGBTs 更快的開關切換速度。
SiC 元件的採用會是未來趨勢。目前該元件除了在爭奪電動車核心的動力傳動 (powertrain) 裝置系統應用市場外,也在爭取贏得電動車車載充電器和直流-直流轉換器等裝置的設計取得。採用SiC元件有助於電動車單次充電續行里程提高5~10%,或是讓汽車製造業者能夠使用更小、更輕、成本更低的電池。
除電動車外,拓緯新款 SiC MOSFET Relay 也有助於將優點帶入工業和資料中心電源、太陽能逆變器、再生能源基礎設施,和馬達驅動器市場中。隨著減少碳足跡已成為各產業既定發展方向,為滿足預期將會湧現的SiC市場需求,拓緯正計劃持續投資來提高自家SiC產品產量。
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