Bright Toward Merilis Relai Opto-MOSFET Berbasis SiC dengan Tegangan 3300V
Bright Toward Industrial Co., LTD. percaya bahwa Silicon Carbide adalah masa depan komponen elektronik daya. Kami telah merilis relay Opto SiC-MOSFET 1700V dan 1800V dan akan merilis garis lainnya yaitu relay Opto SiC-MOSFET 3300V dan 6600V. Relai Opto-SiC MOSFET kami dapat mendukung berbagai aplikasi, mulai dari kendaraan listrik hingga pengujian Hi-pot, konverter, inverter, peralatan medis, penggerak satelit, dan banyak lagi.
Bright Toward merilis relay SiC MOSFET pertamanya pada tahun 2017. Setelah itu, kami berhasil meyakinkan pelanggan otomotif kami untuk mengganti relay berbasis Si dengan yang berbasis SiC. Banyak pelanggan yang telah memvalidasi produk berbasis SiC kami dan menerapkannya dalam desain BMS mereka, termasuk CATL dan Volkswagon.
SiC adalah semikonduktor dengan celah pita lebar yang dapat menahan ribuan volt dan suhu tinggi (lebih dari 175C). Komponen SiC dapat bekerja secara efisien pada frekuensi yang lebih tinggi tanpa kerugian yang tidak perlu seperti IGBT dan MOSFET berbasis Si. SiC juga memiliki resistansi on-state yang lebih rendah pada tegangan yang lebih tinggi.
Komponen berbasis SiC adalah tren. Saat ini, komponen SiC bersaing untuk sistem penggerak pasar mobil listrik. Komponen SiC berusaha untuk didesain dalam pengisi daya onboard mobil listrik dan konverter DC-to-DC. Penggunaan komponen SiC dapat membantu meningkatkan jarak tempuh kendaraan listrik sebesar 5-10% dengan sekali pengisian. Oleh karena itu, produsen mobil dapat menggunakan baterai yang lebih kecil, lebih ringan, dan lebih murah dalam desain mereka.
Selain pasar kendaraan listrik, Opto SiC-MOSFET Relays dari Bright Toward juga dapat memberikan manfaat pada pasokan daya industri dan pusat data, inverter surya, infrastruktur energi terbarukan, dan pasar otomasi industri. Mengurangi jejak karbon adalah arah bagi berbagai industri. Untuk memenuhi permintaan pasar SiC, Bright Toward berencana untuk melakukan investasi lebih lanjut guna meningkatkan kapasitas produksi produk berbasis SiC kami.
- Unduhan file
-
- Produk Terkait
-
Relai State Solid 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
AA51
Relai Keadaan Padat Miniatur IC Karbida Silikon ini menyediakan tegangan beban hingga 1200V dengan arus beban 470mA dan resistansi pada 0.6Ω. Ini memiliki...
Detail Masukkan ke keranjangRelai Solid State 1200V/470mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)
AA51F
Dengan tegangan beban hingga 1200V dan arus beban hingga 470mA, Solid State Relay IC miniatur Silicon Carbide kami dirancang untuk aplikasi tegangan tinggi...
Detail Masukkan ke keranjangRelai State Solid 1200V/470mA DIP8-6 (SiC MOSFET)
AM51
Dengan tegangan beban pada 1200V dalam paket DIP8-6 yang kompak, Solid State Relay IC miniatur Silicon Carbide dirancang untuk aplikasi tegangan tinggi...
Detail Masukkan ke keranjangRelai Solid State 1200V/470mA/SMD8-6 (MOSFET SiC)
AM51F
Tegangan beban ini pada 1200V, arus beban pada 470mA, SMD8-6 Silicon Carbide IC Solid State Relay dirancang untuk aplikasi tegangan tinggi seperti deteksi...
Detail Masukkan ke keranjang1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relay (SiC MOSFET)
AA52
Tegangan beban ini mencapai 1700V, arus beban pada 350mA DIP6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relay dirancang untuk aplikasi tegangan tinggi seperti deteksi...
Detail Masukkan ke keranjangRelai Solid State 1700V/350mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)
AA52F
TOWARD RELAYS' 1700V/350mA, resistansi on-resistance 0.6Ω, SMD6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relays dirancang untuk aplikasi tegangan tinggi seperti...
Detail Masukkan ke keranjangRelai Solid State 3300V/300mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
AA53
Dengan kemampuan membawa tegangan beban hingga 3300V dalam paket DIP6-5, Relai Solid-State IC SiC kami adalah yang paling inovatif di industri. TOWARD...
Detail Masukkan ke keranjangRelai Solid State 3300V/300mA/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA53F
SMD6-5 Solid State Relays IC Karbida Silikon memiliki tegangan beban sebesar 3300V dan mampu membawa arus beban sebesar 300mA, memiliki status unik di dalam...
Detail Masukkan ke keranjangRelai Solid State 3300V/300mA/DIP8-6 (MOSFET SiC)
AM53
Dengan kemampuan untuk membawa tegangan beban hingga 3300V dalam paket DIP8-6 miniatur, Solid-State Relays IC Silicon Carbide kami adalah yang paling inovatif...
Detail Masukkan ke keranjangRelai Solid State 3300V/300mA/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM53F
Dengan kemampuan untuk membawa hingga 3300V tegangan beban dalam paket SMD8-6, Solid-State Relays IC Silicon Carbide kami adalah yang paling inovatif di industri...
Detail Masukkan ke keranjangPaket unik untuk meningkatkan jarak creepage, RELAY Solid State 3000V/500mA
AN53
Relai Solid State IC Karbida Silikon miniatur 3000V/500mA yang dikemas dengan unik ini secara signifikan meningkatkan jarak creepage untuk Peralatan Uji Otomatis...
Detail Masukkan ke keranjangRelai Solid State 1800V/30mA (MOSFET SiC), DIP6-5
AA58
Ini adalah relay state solid kecil dengan output SiC MOSFET yang dapat menangani tegangan hingga 1800V. Silikon Karbida digunakan sebagai bahan untuk MOSFET...
Detail Masukkan ke keranjang