
['Toward'] veröffentlicht 3300V SiC-basierte Opto-MOSFET-Relais
Bright Toward Industrial glaubt an Siliziumkarbid als die Zukunft der Leistungselektronikkomponenten. Wir haben 1700V und 1800V Opto SiC-MOSFET-Relais veröffentlicht und werden eine weitere Reihe von 3300V und 6600V Opto SiC-MOSFET-Relais herausbringen. Unsere Opto-SiC MOSFET-Relais können verschiedene Anwendungen unterstützen, von Elektrofahrzeugen über Hochspannungstests, Konverter, Wechselrichter, medizinische Geräte, Satellitentriebwerke und viele mehr.
['Toward'] brachte 2017 sein erstes SiC-MOSFET-Relais auf den Markt. Danach überzeugten wir unsere Automobilkunden, die Si-basierten Relais durch SiC-basierte zu ersetzen. Viele Kunden haben unsere SiC-basierten Produkte validiert und in ihren BMS-Designs angewendet, darunter CATL und Volkswagen.
SiC ist ein Halbleiter mit breitem Bandabstand, der Tausende von Volt und hohe Temperaturen (über 175 °C) aushalten kann. SiC-Komponenten können effizient bei höheren Frequenzen arbeiten, ohne unnötige Verluste wie IGBT und Si-basierte MOSFETs. SiC hat auch einen geringeren Einschaltwiderstand bei höheren Spannungen.
SiC-basierte Komponenten sind der Trend. Derzeit konkurrieren SiC-Komponenten um das Antriebssystem des EV-Marktes. SiC-Komponenten streben an, Onboard-Ladegeräte und DC-DC-Wandler für Elektrofahrzeuge zu integrieren. Der Einsatz von SiC-Komponenten könnte die Reichweite von Elektrofahrzeugen bei einer einzigen Ladung um 5-10 % erhöhen. Daher können Automobilhersteller in ihren Designs kleinere, leichtere und kostengünstigere Batterien verwenden.
Neben dem EV-Markt können die Opto SiC-MOSFET-Relais von ['Toward'] auch der Industrie- und Rechenzentrumsstromversorgung, Solarwechselrichtern, der Infrastruktur für erneuerbare Energien und den Märkten für industrielle Automatisierung zugutekommen. Die Reduzierung des CO2-Fußabdrucks ist die Richtung für verschiedene Branchen. Um der Nachfrage des SiC-Marktes gerecht zu werden, plant ['Toward'], mehr zu investieren, um die Produktionskapazität unserer SiC-basierten Produkte zu erhöhen.
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