Bright Toward veröffentlicht 3300V SiC-basierte Opto-MOSFET-Relais
Bright Toward Industrial Co., LTD. glaubt an Siliziumkarbid als die Zukunft der Leistungselektronikkomponenten. Wir haben Opto-SiC-MOSFET-Relais mit 1700V und 1800V veröffentlicht und werden eine weitere Linie von Opto-SiC-MOSFET-Relais mit 3300V und 6600V veröffentlichen. Unsere Opto-SiC-MOSFET-Relais können verschiedene Anwendungen unterstützen, von Elektrofahrzeugen über Hi-Pot-Tests, Konverter, Wechselrichter, medizinische Geräte, Satellitenantriebe und vieles mehr.
Bright Toward hat 2017 sein erstes SiC MOSFET-Relais auf den Markt gebracht. Seitdem konnten wir unsere Automobilkunden davon überzeugen, die Si-basierten Relais durch SiC-basierte zu ersetzen. Viele Kunden haben unsere SiC-basierten Produkte validiert und in ihren BMS-Designs angewendet, darunter CATL und Volkswagen.
SiC ist ein Halbleiter mit breiter Bandlücke, der Tausende von Spannungen und hohe Temperaturen (über 175 °C) aushalten kann. SiC-Komponenten können effizient bei höheren Frequenzen arbeiten, ohne unnötige Verluste wie IGBT und Si-basierte MOSFET. SiC hat auch einen geringeren Einschaltwiderstand bei höherer Spannung.
SiC-basierte Komponenten sind im Trend. Derzeit konkurrieren SiC-Komponenten um das Antriebssystem des Elektrofahrzeugmarktes. SiC-Komponenten streben danach, EV-Bordladegeräte und DC-DC-Wandler zu integrieren. Durch den Einsatz von SiC-Komponenten könnte die Reichweite von Elektrofahrzeugen um 5-10% pro Ladung erhöht werden. Daher können Automobilhersteller kleinere, leichtere und kostengünstigere Batterien in ihren Designs verwenden.
Neben dem EV-Markt können die Opto SiC-MOSFET-Relais von Bright Toward auch in den Bereichen industrielle und Rechenzentrum-Stromversorgung, Solarwechselrichter, erneuerbare Energieinfrastruktur und industrielle Automatisierungsmärkte von Vorteil sein. Die Reduzierung des CO2-Fußabdrucks ist der Weg für verschiedene Branchen. Um den Bedarf des SiC-Marktes zu decken, plant Bright Toward, mehr zu investieren, um die Produktionskapazität unserer auf SiC basierenden Produkte zu erhöhen.
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