Relais MOSFET SiC (1500V à 6600V) - B.T - Un fabricant de relais à semi-conducteurs, de relais reed et de commutateurs MEMS.

En utilisant des MOSFET en carbure de silicium dans nos relais optiquement couplés, les tensions de charge sont augmentées jusqu'à 3300V, avec 6600V en développement. La tension de claquage d'entrée/sortie est de 3750V et 5000V. Ces relais Opto SiC-MOSFET à haute tension de charge sont certifiés AEC-Q101, fabriqués dans les salles blanches de qualité 1K de l'usine de Bright Toward. B.T est un fabricant de commutateurs RF MEMS de haute qualité, de relais Opto-MOS, de relais Opto-MOSFET, de relais Reed et de relais à semi-conducteurs basé à Taiwan. Avec plus de 30 ans d'expérience dans la fabrication de relais, Bright Toward est spécialisé dans la fabrication de différents types de relais.

service@relay.com.tw

Contactez-nous

Relais MOSFET SiC (1500V à 6600V)

Relais MOSFET en SiC couplés optiquement, supportant une tension de charge de 1500V à 3300V et plus. / Bright Toward Industrial Co., LTD. est un fabricant de relais à semi-conducteurs, de relais à lames et de commutateurs MEMS.

Relais MOSFET en SiC couplés optiquement, supportant une tension de charge de 1500V à 3300V et plus.
Relais MOSFET en SiC couplés optiquement, supportant une tension de charge de 1500V à 3300V et plus.

Relais MOSFET SiC (1500V à 6600V)

En utilisant des MOSFET en carbure de silicium dans nos relais optiquement couplés, les tensions de charge sont augmentées jusqu'à 3300V, avec 6600V en développement. La tension de claquage d'entrée/sortie est de 3750V et 5000V. Ces relais Opto SiC-MOSFET à haute tension de charge sont certifiés AEC-Q101, fabriqués dans les salles blanches de qualité 1K de l'usine de Bright Toward.

Toutes les conditions
Recherche

Cliquez et sélectionnez votre requête de recherche

Résultat 1 - 12 de 15
ImagenameForme de contactTension de charge (V)Courant de charge (A)TéléchargerAction
Relais à semi-conducteurs 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) AA51 Relais à semi-conducteurs 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)

1 Form A

1200

0.47

Relais à semi-conducteurs 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 1200V/470mA (MOSFET SiC) AA51F Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 1200V/470mA (MOSFET SiC)

1 Form A

1200

0.47

Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 1200V/470mA (MOSFET SiC)
Relais à semi-conducteurs DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC) AM51 Relais à semi-conducteurs DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC)

1 Form A

1200

0.47

Relais à semi-conducteurs DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC)
Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 1200V/470mA (MOSFET SiC) AM51F Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 1200V/470mA (MOSFET SiC)

1 Form A

1200

0.47

Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 1200V/470mA (MOSFET SiC)
Relais à semi-conducteurs (SiC MOSFET) 1700V/350mA/DIP6-5 AA52 Relais à semi-conducteurs (SiC MOSFET) 1700V/350mA/DIP6-5

1 Form A

1700

0.35

Relais à semi-conducteurs (SiC MOSFET) 1700V/350mA/DIP6-5
Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 1700V/350mA (MOSFET SiC) AA52F Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 1700V/350mA (MOSFET SiC)

1 Form A

1700

0.35

Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 1700V/350mA (MOSFET SiC)
Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC) AA53 Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC)

1 Form A

3300

0.3

Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC) AA53F Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC)

1 Form A

3300

0.3

Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
Relais à semi-conducteurs DIP8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC) AM53 Relais à semi-conducteurs DIP8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC)

1 Form A

3300

0.3

Relais à semi-conducteurs DIP8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC) AM53F Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC)

1 Form A

3300

0.3

Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
Paquet unique pour améliorer la distance de fuite, RELAIS À SEMI-CONDUCTEUR 3000V/500mA AN53 Paquet unique pour améliorer la distance de fuite, RELAIS À SEMI-CONDUCTEUR 3000V/500mA

1 Form A

3000

0.5

Paquet unique pour améliorer la distance de fuite, RELAIS À SEMI-CONDUCTEUR 3000V/500mA
Relais à semi-conducteurs 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC) AS53F Relais à semi-conducteurs 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC)

1 Form A

3300

0.35

Relais à semi-conducteurs 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC)
Résultat 1 - 12 de 15

B.T - Un fabricant de relais MOSFET SiC (1500V à 6600V)

Située à Taïwan depuis 1988, Bright Toward Industrial Co., LTD. est un fournisseur et fabricant de relais. Ses principaux produits comprennent les relais opto-MOSFET, les relais opto-SiC MOSFET, les relais à semi-conducteurs, les relais à lames souples et les commutateurs RF MEMS.

B.T fournit des relais aux industries des semi-conducteurs et de l'automobile depuis plus de trois décennies et entretient des partenariats à long terme avec OKITA Works basé au Japon; Menlo Microsystems basé en Californie; JEL Systems basé au Japon et Teledyne Relays and Coax Switches basé en Californie. Il sert principalement les industries du test des semi-conducteurs, des ATE, des BMS (systèmes de gestion de batterie), des machines industrielles et des véhicules électriques.

B.T propose aux clients des relais Opto-MOSFET et Opto-SiC MOSFET de haute qualité depuis 1988, avec une technologie avancée et 30 ans d'expérience, B.T veille à ce que les exigences de chaque client soient satisfaites.