SiC MOSFETリレー(1500Vから6600V)
シリコンカーバイドMOSFETを光アイソレータリレーに適用することで、負荷電圧は最大3300Vに引き上げられ、6600Vの開発も進めています。入力/出力のブレークダウン電圧は3750Vと5000Vの選択肢があります。これらの高負荷電圧Opto SiC-MOSFETリレーはAEC-Q101認証を取得しており、Towardの工場の1Kグレードのクリーンルームで製造されています。
画像 | name | 接点形式 | 負荷電圧 (V) | 負荷電流 (A) | ダウンロード | アクション |
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![]() | 1200V/470mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA DIP8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1700V/350mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 1700V/350mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 3300V/300mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/DIP8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | クリープ距離を改善するためのパッケージユニーク、3000V/500mA、固体状態リレー | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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![]() | 3300V/350mA/SO16 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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