SiC MOSFETリレー(1500Vから6600V)
シリコンカーバイドMOSFETを光アイソレータリレーに適用することで、負荷電圧は最大3300Vに引き上げられ、6600Vの開発も進めています。入力/出力のブレークダウン電圧は3750Vと5000Vの選択肢があります。これらの高負荷電圧Opto SiC-MOSFETリレーはAEC-Q101認証を取得しており、Towardの工場の1Kグレードのクリーンルームで製造されています。
| 画像 | name | 接点形式 | 負荷電圧 (V) | 現在の負荷 (A) | ダウンロード | アクション |
|---|---|---|---|---|---|---|
AA51
|
1200V/470mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AA51F
|
1200V/470mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AM51
|
1200V/470mA DIP8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AM51F
|
1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AA52
|
1700V/350mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
|
|
AA52F
|
1700V/350mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
|
|
AA53
|
3300V/300mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
|
AA53F
|
3300V/300mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
|
AM53
|
3300V/300mA/DIP8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
|
AM53F
|
3300V/300mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
|
AN53
|
クリープ距離を改善するためのユニークなパッケージ、3000V/500mA、ソリッドステートリレー |
1 Form A |
3000 |
0.5 |
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AS53F
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3300V/350mA/SO16 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.35 |
|