SiC MOSFETリレー(1500Vから6600V)
シリコンカーバイドMOSFETを光結合リレーに適用することで、負荷電圧は最大3300Vまで増加し、開発中では6600Vにまで向上します。 入出力の耐圧は3750Vと5000Vの選択肢があります。これらの高負荷電圧オプトSiC-MOSFETリレーは、Bright Towardの工場の1Kグレードのクリーンルームで製造され、AEC-Q101認証を取得しています。
画像 | name | 接触フォーム | 負荷電圧 (V) | 負荷電流 (A) | ダウンロード | アクション |
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1200V/470mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
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|
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1200V/470mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
![]() |
|
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1200V/470mA DIP8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
![]() |
|
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1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
![]() |
|
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1700V/350mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
![]() |
|
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1700V/350mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
![]() |
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3300V/300mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
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|
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3300V/300mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
![]() |
|
![]() |
3300V/300mA/DIP8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
![]() |
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3300V/300mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
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クリープ距離を改善するためのパッケージユニーク、3000V/500mA、固体状態リレー |
1 Form A |
3000 |
0.5 |
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3300V/350mA/SO16 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.35 |
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