Relè a MOSFET in SiC accoppiati otticamente che supportano tensioni di carico da 1500V a 3300V e oltre.
Relè SiC MOSFET (1500V a 6600V)
Applicando i MOSFET al carburo di silicio nei nostri relè otticamente accoppiati, le tensioni di carico vengono aumentate fino a 3300V, con 6600V in fase di sviluppo. La tensione di breakdown di ingresso/uscita è nelle scelte di 3750V e 5000V. Questi relè Opto SiC-MOSFET ad alta tensione di carico sono certificati AEC-Q101, prodotti nelle camere bianche di grado 1K della fabbrica di ['Toward'].
| Immagine | name | Forma di Contatto | Tensione di Carico (V) | Carico Corrente (A) | Scarica | Azione |
|---|---|---|---|---|---|---|
AA51
| Relè a stato solido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AA51F
| Relè a stato solido SMD6-5 1200V/470mA (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AM51
| RELÈ A STATO SOLIDO DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AM51F
| Relè a stato solido SMD8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AA52
| Relè a stato solido 1700V/350mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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AA52F
| Relè a stato solido SMD6-5 1700V/350mA (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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AA53
| Relè a stato solido 3300V/300mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AA53F
| Relè a stato solido SMD6-5 3300V/300mA (MOSFET SiC) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AM53
| Relè a stato solido DIP8-6 3300V/300mA (MOSFET SiC) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AM53F
| Relè a stato solido SMD8-6 3300V/300mA (MOSFET SiC) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AN53
| Pacchetto unico per migliorare la distanza di strisciamento, RELÈ A STATO SOLIDO 3000V/500mA | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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AS53F
| Relè a stato solido 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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