SiC MOSFET Relè (1500V a 6600V) - B.T - Un produttore di relè a stato solido, relè a lamina e interruttori MEMS.

Applicando i MOSFET al carburo di silicio nei nostri relè otticamente accoppiati, le tensioni di carico vengono aumentate fino a 3300V, con 6600V in fase di sviluppo. La tensione di rottura di ingresso/uscita è disponibile nelle scelte di 3750V e 5000V. Questi relè Opto SiC-MOSFET ad alta tensione di carico sono certificati AEC-Q101, prodotti nelle sale pulite di grado 1K della fabbrica di Bright Toward. B.T è un produttore di commutatori RF MEMS di alta qualità, relè Opto-MOS, relè Opto-MOSFET, relè Reed e relè a stato solido di Taiwan. Con oltre 30 anni di esperienza nella produzione di relè, Bright Toward è specializzata nella produzione di diversi tipi di relè.

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Relè SiC MOSFET (da 1500V a 6600V)

Relè a MOSFET in SiC accoppiati otticamente che supportano tensioni di carico da 1500V a 3300V e oltre. / Bright Toward Industrial Co., LTD. è un produttore di Relè a Stato Solido, Relè a Lamina e Interruttori MEMS.

Relè a MOSFET in SiC accoppiati otticamente che supportano tensioni di carico da 1500V a 3300V e oltre.
Relè a MOSFET in SiC accoppiati otticamente che supportano tensioni di carico da 1500V a 3300V e oltre.

Relè SiC MOSFET (da 1500V a 6600V)

Applicando i MOSFET al carburo di silicio nei nostri relè otticamente accoppiati, le tensioni di carico vengono aumentate fino a 3300V, con 6600V in fase di sviluppo. La tensione di rottura di ingresso/uscita è disponibile nelle scelte di 3750V e 5000V. Questi relè Opto SiC-MOSFET ad alta tensione di carico sono certificati AEC-Q101, prodotti nelle sale pulite di grado 1K della fabbrica di Bright Toward.

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Relè a stato solido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) AA51 Relè a stato solido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)

1 Form A

1200

0.47
Relè a stato solido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
Relè a stato solido SMD6-5 1200V/470mA (MOSFET SiC) AA51F Relè a stato solido SMD6-5 1200V/470mA (MOSFET SiC)

1 Form A

1200

0.47
Relè a stato solido SMD6-5 1200V/470mA (MOSFET SiC)
RELÈ A STATO SOLIDO DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC) AM51 RELÈ A STATO SOLIDO DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC)

1 Form A

1200

0.47
RELÈ A STATO SOLIDO DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC)
Relè a stato solido SMD8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC) AM51F Relè a stato solido SMD8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC)

1 Form A

1200

0.47
Relè a stato solido SMD8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC)
Relè a stato solido 1700V/350mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) AA52 Relè a stato solido 1700V/350mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)

1 Form A

1700

0.35
Relè a stato solido 1700V/350mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
Relè a stato solido SMD6-5 1700V/350mA (MOSFET SiC) AA52F Relè a stato solido SMD6-5 1700V/350mA (MOSFET SiC)

1 Form A

1700

0.35
Relè a stato solido SMD6-5 1700V/350mA (MOSFET SiC)
Relè a stato solido 3300V/300mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) AA53 Relè a stato solido 3300V/300mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)

1 Form A

3300

0.3
Relè a stato solido 3300V/300mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
Relè a stato solido SMD6-5 3300V/300mA (MOSFET SiC) AA53F Relè a stato solido SMD6-5 3300V/300mA (MOSFET SiC)

1 Form A

3300

0.3
Relè a stato solido SMD6-5 3300V/300mA (MOSFET SiC)
Relè a stato solido DIP8-6 3300V/300mA (MOSFET SiC) AM53 Relè a stato solido DIP8-6 3300V/300mA (MOSFET SiC)

1 Form A

3300

0.3
Relè a stato solido DIP8-6 3300V/300mA (MOSFET SiC)
Relè a stato solido SMD8-6 3300V/300mA (MOSFET SiC) AM53F Relè a stato solido SMD8-6 3300V/300mA (MOSFET SiC)

1 Form A

3300

0.3
Relè a stato solido SMD8-6 3300V/300mA (MOSFET SiC)
Pacchetto unico per migliorare la distanza di strisciamento, RELÈ A STATO SOLIDO 3000V/500mA AN53 Pacchetto unico per migliorare la distanza di strisciamento, RELÈ A STATO SOLIDO 3000V/500mA

1 Form A

3000

0.5
Pacchetto unico per migliorare la distanza di strisciamento, RELÈ A STATO SOLIDO 3000V/500mA
Relè a stato solido 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC) AS53F Relè a stato solido 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC)

1 Form A

3300

0.35
Relè a stato solido 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC)
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B.T - Un produttore di relè SiC MOSFET (1500V a 6600V)

Situata a Taiwan dal 1988, Bright Toward Industrial Co., LTD. è un fornitore e produttore di relè. Prodotti principali, inclusi relè Opto-MOSFET, relè Opto-SiC MOSFET, relè a stato solido, relè Reed e interruttori RF MEMS.

B.T fornisce relè alle industrie dei semiconduttori e dell'automotive da oltre tre decenni e ha partnership a lungo termine con OKITA Works con sede in Giappone; Menlo Microsystems con sede in California; JEL Systems con sede in Giappone e Teledyne Relays e Coax Switches con sede in California. Serve principalmente le industrie del Testing dei Semiconduttori, ATE, BMS (Battery Management Systems), macchinari industriali e veicoli elettrici.

B.T offre ai clienti relè Opto-MOSFET e Opto-SiC MOSFET di alta qualità dal 1988, entrambi con tecnologia avanzata e 30 anni di esperienza, B.T garantisce che le esigenze di ogni cliente siano soddisfatte.