
Relè a MOSFET in SiC accoppiati otticamente che supportano tensioni di carico da 1500V a 3300V e oltre.
Relè SiC MOSFET (1500V a 6600V)
Applicando i MOSFET in Carburo di Silicio nei nostri relè accoppiati otticamente, le tensioni di carico vengono aumentate fino a 3300V, con 6600V in fase di sviluppo. La tensione di rottura Ingresso/Uscita è disponibile nelle scelte di 3750V e 5000V. Questi relè Opto SiC-MOSFET ad alta tensione di carico sono certificati AEC-Q101, prodotti nelle camere bianche di grado 1K della fabbrica di Toward.
Immagine | name | Forma di Contatto | Tensione di Carico (V) | Carico Corrente (A) | Scarica | Azione |
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![]() | Relè a stato solido 1200V/470mA/DIP6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | Relè a stato solido 1200V/470mA/SMD6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | Relè a stato solido DIP8-6 1200V/470mA (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | Relè a stato solido 1200V/470mA/SMD8-6 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | Relè a stato solido 1700V/350mA/DIP6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | Relè a stato solido SMD6-5 (SiC MOSFET) 1700V/350mA | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | Relè a stato solido 3300V/300mA/DIP6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | Relè a stato solido 3300V/300mA/SMD6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | Relè a stato solido 3300V/300mA/DIP8-6 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | Relè a stato solido SMD8-6 3300V/300mA (MOSFET SiC) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | Pacchetto unico per migliorare la distanza di strisciamento, RELÈ A STATO SOLIDO 3000V/500mA | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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![]() | Relè a stato solido 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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