SiC MOSFET Relés (1500V a 6600V) - B.T - Un fabricante de relés de estado sólido, relés de lengüeta y interruptores MEMS.

Al aplicar MOSFET de carburo de silicio en nuestros relés ópticamente acoplados, los voltajes de carga se incrementan hasta 3300V, con 6600V en desarrollo. La tensión de ruptura de entrada/salida se encuentra en opciones de 3750V y 5000V. Estos relés Opto SiC-MOSFET de alta tensión de carga están certificados según AEC-Q101, fabricados en las salas limpias de grado 1K de la fábrica de Bright Toward. 'B.T' es un fabricante de alta calidad de interruptores RF MEMS, relés Opto-MOS, relés Opto-MOSFET, relés Reed y relés de estado sólido de Taiwán. Con más de 30 años de experiencia en la fabricación de relés, Bright Toward se especializa en la fabricación de diferentes tipos de relés.

Relés SiC MOSFET (1500V a 6600V)

Relés de MOSFET de SiC acoplados ópticamente que cargan voltaje desde 1500V hasta 3300V y más. / Bright Toward Industrial Co., LTD. es un fabricante de Relés de Estado Sólido, Relés de Lámina y Interruptores MEMS.

Relés de MOSFET de SiC acoplados ópticamente que cargan voltaje desde 1500V hasta 3300V y más.
Relés de MOSFET de SiC acoplados ópticamente que cargan voltaje desde 1500V hasta 3300V y más.

Relés SiC MOSFET (1500V a 6600V)

Al aplicar MOSFET de carburo de silicio en nuestros relés ópticamente acoplados, los voltajes de carga se incrementan hasta 3300V, con 6600V en desarrollo. La tensión de ruptura de entrada/salida se encuentra en opciones de 3750V y 5000V. Estos relés Opto SiC-MOSFET de alta tensión de carga están certificados según AEC-Q101, fabricados en las salas limpias de grado 1K de la fábrica de Bright Toward.

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ImagennameForma de ContactoVoltaje de carga (V)Corriente de carga (A)DescargarAcción
Relé de estado sólido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET de SiC) AA51 Relé de estado sólido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET de SiC)

1 Form A

1200

0.47

Relé de estado sólido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET de SiC)
Relé de estado sólido SMD6-5 de 1200V/470mA (MOSFET de SiC) AA51F Relé de estado sólido SMD6-5 de 1200V/470mA (MOSFET de SiC)

1 Form A

1200

0.47

Relé de estado sólido SMD6-5 de 1200V/470mA (MOSFET de SiC)
Relé de estado sólido DIP8-6 de 1200V/470mA (MOSFET de SiC) AM51 Relé de estado sólido DIP8-6 de 1200V/470mA (MOSFET de SiC)

1 Form A

1200

0.47

Relé de estado sólido DIP8-6 de 1200V/470mA (MOSFET de SiC)
Relé de estado sólido SMD8-6, 1200V/470mA (MOSFET de SiC) AM51F Relé de estado sólido SMD8-6, 1200V/470mA (MOSFET de SiC)

1 Form A

1200

0.47

Relé de estado sólido SMD8-6, 1200V/470mA (MOSFET de SiC)
Relé de estado sólido DIP6-5 de 1700V/350mA (MOSFET de SiC) AA52 Relé de estado sólido DIP6-5 de 1700V/350mA (MOSFET de SiC)

1 Form A

1700

0.35

Relé de estado sólido DIP6-5 de 1700V/350mA (MOSFET de SiC)
Relé de estado sólido SMD6-5, 1700V/350mA (MOSFET de SiC) AA52F Relé de estado sólido SMD6-5, 1700V/350mA (MOSFET de SiC)

1 Form A

1700

0.35

Relé de estado sólido SMD6-5, 1700V/350mA (MOSFET de SiC)
Relé de estado sólido DIP6-5 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC) AA53 Relé de estado sólido DIP6-5 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC)

1 Form A

3300

0.3

Relé de estado sólido DIP6-5 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC)
Relé de estado sólido SMD6-5 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC) AA53F Relé de estado sólido SMD6-5 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC)

1 Form A

3300

0.3

Relé de estado sólido SMD6-5 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC)
Relé de estado sólido DIP8-6 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC) AM53 Relé de estado sólido DIP8-6 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC)

1 Form A

3300

0.3

Relé de estado sólido DIP8-6 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC)
Relé de estado sólido SMD8-6 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC) AM53F Relé de estado sólido SMD8-6 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC)

1 Form A

3300

0.3

Relé de estado sólido SMD8-6 de 3300V/300mA (MOSFET de SiC)
Paquete único para mejorar la distancia de fuga, 3000V/500mA, relé de estado sólido AN53 Paquete único para mejorar la distancia de fuga, 3000V/500mA, relé de estado sólido

1 Form A

3000

0.5

Paquete único para mejorar la distancia de fuga, 3000V/500mA, relé de estado sólido
3300V/350mA/SO16 Relé de Estado Sólido (MOSFET de SiC) AS53F 3300V/350mA/SO16 Relé de Estado Sólido (MOSFET de SiC)

1 Form A

3300

0.35

3300V/350mA/SO16 Relé de Estado Sólido (MOSFET de SiC)
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B.T - Un fabricante de relés SiC MOSFET (1500V a 6600V)

Ubicada en Taiwán desde 1988, Bright Toward Industrial Co., LTD. es un proveedor y fabricante de relés. Sus productos principales incluyen relés Opto-MOSFET, relés Opto-SiC MOSFET, relés de estado sólido, relés de lámina y interruptores RF MEMS.

B.T suministra relés a las industrias de semiconductores y automotrices del mundo durante más de tres décadas y tiene asociaciones a largo plazo con OKITA Works con sede en Japón; Menlo Microsystems con sede en California; JEL Systems con sede en Japón y Teledyne Relays and Coax Switches con sede en California. Principalmente sirve a las industrias de pruebas de semiconductores, ATE, BMS (Sistemas de Gestión de Baterías), maquinaria industrial e industria de vehículos eléctricos.

B.T ha estado ofreciendo a los clientes relés Opto-MOSFET y Opto-SiC MOSFET de alta calidad desde 1988, ambos con tecnología avanzada y 30 años de experiencia, B.T garantiza que se satisfagan las demandas de cada cliente.