Package unique pour améliorer la distance de fuite, 3000V/500mA, Relais à état solide
AN53
Package unique to improve creepage distance, 3000V/ 500mA, Opto-MOS Relay
Ce relais à état solide miniature en carbure de silicium de 3000V/500mA, emballé de manière unique, améliore considérablement la distance de fuite pour les équipements de test automatisés (ATE), les dispositifs alimentés par batterie et les équipements de test électroniques à usage général. Nous sommes les premiers dans l'industrie à appliquer le carbure de silicium aux circuits intégrés MOSFET. Nous avons franchi une étape supplémentaire en intégrant des puces MOSFET SiC dans des boîtiers similaires à des relais à lames, facilitant ainsi le remplacement par les clients de relais à lames instables ou de relais à mercure.
Caractéristiques
- Relais MOSFET Opto-SiC
- Taille miniature
- MOSFET en carbure de silicium
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Fonctionnement silencieux (sans contacts mécaniques)
- Linéarité de grande performance
- Nécessite un faible courant/ tension de commande
- Bruit minimisé
- Haute isolation
- Isolement élevé
Forme de contact
- 1 Form A
Tension de rupture I/O
- 7000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 3000
Courant de charge (A)
- 0.5
Type d'emballage
- AN
Résistance à l'état actif (Ω)
- 3.4
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolation
- Véhicule électrique
- Stations de charge
- Mécanisme de protection haute tension
- Équipement de test automatique (ATE)
- Contrôle industriel
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Fiche technique AN53-3000V/500mA
1 Forme A, Type d'emballage unique pour améliorer la distance de creepage
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