SiC MOSFET रिले (1500V से 6600V)
सिलिकॉन कार्बाइड MOSFETs को हमारे ऑप्टिकल रूप से जुड़े रिले में लागू करके, लोड वोल्टेज को 3300V तक बढ़ाया गया है, जबकि 6600V विकास में है। इनपुट/आउटपुट ब्रेकडाउन वोल्टेज 3750V और 5000V के विकल्प में है। ये उच्च लोड वोल्टेज ऑप्टो SiC-MOSFET रिले AEC-Q101 प्रमाणित हैं, जो टॉवर्ड के कारखाने के 1K ग्रेड क्लीन रूम में निर्मित हैं।
छवि | name | संपर्क रूप | लोड वोल्टेज (V) | वर्तमान लोड (A) | डाउनलोड करें | कार्य |
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![]() | 1200V/470mA/DIP6-5 सॉलिड स्टेट रिले (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA/SMD6-5 सॉलिड स्टेट रिले (SiC मॉसफेट) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA DIP8-6 सॉलिड स्टेट रिले (SiC मॉसफेट) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA/SMD8-6 सॉलिड स्टेट रिले (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1700V/350mA/DIP6-5 सॉलिड स्टेट रिले (SiC मॉसफेट) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 1700V/350mA/SMD6-5 सॉलिड स्टेट रिले (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 3300V/300mA/DIP6-5 सॉलिड स्टेट रिले (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/SMD6-5 सॉलिड स्टेट रिले (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/DIP8-6 सॉलिड स्टेट रिले (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/SMD8-6 सॉलिड स्टेट रिले (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | पैकेज अद्वितीय को बढ़ाने के लिए, 3000V/500mA, सॉलिड स्टेट रिले | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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![]() | 3300V/350mA/SO16 सॉलिड स्टेट रिले (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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