Relais à état solide 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
AA51
DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Ce relais à état solide miniature en carbure de silicium fournit jusqu'à 1200V de tension de charge avec un courant de charge de 470mA et une résistance à l'état passant de 0,6Ω. Il présente un agencement de contact de type 1 Form A dans un boîtier DIP6-5. Avec ce type de paquet, la distance de creepage est améliorée pour une meilleure isolation. En utilisant le carbure de silicium comme matériau pour les MOSFET, notre relais à état solide IC peut supporter des hautes tensions tout en fonctionnant dans des environnements difficiles avec des températures fluctuantes.
Caractéristiques
- Relais MOSFET Opto-SiC
- Taille miniature
- Dimensions : 8.8* 6.4* 3.4 mm
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Fonctionnement silencieux (sans contacts mécaniques)
- Linéarité de grande performance
- Nécessite un faible courant/ tension de commande
- Bruit minimisé
- Haute isolation
- Isolement élevé
Forme de contact
- 1 Form A
Tension de claquage I/O
- 3750
- 5000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 1200
Courant de charge (A)
- 0.47
Type d'emballage
- DIP6-5
Résistance à l'état actif (Ω)
- 0.6
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolation
- Véhicule électrique
- Stations de charge
- Mécanisme de protection haute tension
- Équipement de test automatique (ATE)
- Contrôle industriel
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