รีเลย์ SiC MOSFET (1500V ถึง 6600V)
โดยการนำ Silicon Carbide MOSFETs มาใช้ในรีเลย์ที่เชื่อมต่อแสงของเรา แรงดันโหลดถูกเพิ่มขึ้นไปถึง 3300V และกำลังพัฒนาเพิ่มขึ้นไปถึง 6600V ความต้านทานขั้วเข้า/ออกอยู่ในช่วง 3750V และ 5000V ตัวรีเลย์ Opto SiC-MOSFET แรงดันสูงเหล่านี้ได้รับการรับรองตามมาตรฐาน AEC-Q101 และผลิตในห้องสะอาดระดับ 1K ของโรงงานของ Bright Toward
ภาพ | name | แบบฟอร์มติดต่อ | แรงดันไฟฟ้าโหลด (V) | กระแสโหลด (A) | ดาวน์โหลด | การกระทำ |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() | รีเลย์สแตต ซอลิด สเตต 1200V/470mA/DIP6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
![]() | |
![]() | รีเลย์สเตต Solid State 1200V/470mA/SMD6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
![]() | |
![]() | รีเลย์สเตต Solid State 1200V/470mA DIP8-6 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
![]() | |
![]() | รีเลย์สเตต Solid State 1200V/470mA SMD8-6 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
![]() | |
![]() | รีเลย์สแตต Solid State 1700V/350mA/DIP6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
![]() | |
![]() | รีเลย์สแตต Solid State 1700V/350mA/SMD6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
![]() | |
![]() | รีเลย์สแตต Solid State 3300V/300mA/DIP6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
![]() | |
![]() | รีเลย์สแตต Solid State 3300V/300mA SMD6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
![]() | |
![]() | รีเลย์สแตต Solid State 3300V/300mA/DIP8-6 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
![]() | |
![]() | รีเลย์สแตตเทท 3300V/300mA/SMD8-6 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
![]() | |
![]() | แพ็คเกจที่ไม่ซ้ำกันเพื่อเพิ่มระยะทางการเคลื่อนไหว, รีเลย์สแตตเทท 3000V/500mA | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
![]() | |
![]() | 3300V/350mA/SO16 รีเลย์สแตต (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
![]() |