Relais à état solide 3300V/300mA/DIP8-6 (MOSFET SiC)
AM53
DIP8-6, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Avec la capacité de supporter jusqu'à 3300V de tension de charge dans un boîtier miniature DIP8-6, nos relais à état solide en carbure de silicium sont les plus innovants de l'industrie. Avec un boîtier DIP8-6, ce relais offre une performance exceptionnelle d'isolation grâce à la distance de fuite. B.T RELAYS est le premier à utiliser le carbure de silicium comme matériau pour nos circuits intégrés MOSFET. Cela permet une très haute tension de charge avec des performances exceptionnelles en matière de durabilité. Avec des applications telles que des onduleurs, des stations de charge extérieures et des systèmes de gestion de batterie dans les véhicules électriques, notre SSR IC SiC peut résister à un environnement volatile, à l'humidité et à des températures fluctuantes. Tous les processus de fabrication sont réalisés dans des salles blanches de grade 1k dans notre usine, avec des certifications ISO9001 et IATF16949.
Caractéristiques
- Relais MOSFET Opto-SiC
- Taille miniature
- Dimensions : 9,8 * 6,4 * 3,4 mm
- MOSFET en carbure de silicium
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Fonctionnement silencieux (sans contacts mécaniques)
- Linéarité de grande performance
- Nécessite un faible courant/ tension de commande
- Bruit minimisé
- Haute isolation
- Isolement élevé
Forme de contact
- 1 Form A
Tension de claquage I/O
- 3750
- 5000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 3300
Courant de charge (A)
- 0.3
Type d'emballage
- DIP8-6
Résistance à l'état actif (Ω)
- 3.2
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolation
- Véhicule électrique
- Stations de charge
- Mécanisme de protection haute tension
- Équipement de test automatique (ATE)
- Contrôle industriel
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