SiC MOSFET-Relais (1500V bis 6600V)
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs in unseren optisch gekoppelten Relais werden Lastspannungen auf bis zu 3300V erhöht, mit 6600V in der Entwicklung. Die Durchbruchspannung für Ein- und Ausgänge ist wahlweise 3750V und 5000V. Diese Hochlastspannungs-Opto-SiC-MOSFET-Relais sind AEC-Q101-zertifiziert und werden in den Reinräumen der 1K-Klasse der Fabrik von Toward hergestellt.
| Bild | name | Kontaktform | Lastspannung (V) | Aktueller Last (A) | Herunterladen | Aktion |
|---|---|---|---|---|---|---|
AA51
|
1200V/470mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
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AA51F
|
1200V/470mA/SMD6-5 Festkörperrelais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AM51
|
1200V/470mA DIP8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AM51F
|
1200V/470mA/SMD8-6 Festkörperrelais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AA52
|
1700V/350mA/DIP6-5 Festkörperrelais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
|
|
AA52F
|
1700V/350mA/SMD6-5 Festkörperrelais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
|
|
AA53
|
3300V/300mA/DIP6-5 Festkörperrelais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
|
AA53F
|
3300V/300mA/SMD6-5 Festkörperrelais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
|
AM53
|
3300V/300mA/DIP8-6 Festkörperrelais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
|
AM53F
|
3300V/300mA/SMD8-6 Festkörperrelais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
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AN53
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Paket einzigartig zur Verbesserung des Kriechabstands, 3000V/500mA, Solid State Relay |
1 Form A |
3000 |
0.5 |
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AS53F
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3300V/350mA/SO16 Festkörperrelais (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.35 |
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