SiC MOSFET-Relais (1500V bis 6600V)
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs in unseren optisch gekoppelten Relais werden Lastspannungen auf bis zu 3300V erhöht, mit 6600V in der Entwicklung. Die Durchbruchspannung für Ein- und Ausgänge ist wahlweise 3750V und 5000V. Diese Hochlastspannungs-Opto-SiC-MOSFET-Relais sind AEC-Q101-zertifiziert und werden in den Reinräumen der 1K-Klasse der Fabrik von Toward hergestellt.
Bild | name | Kontaktform | Lastspannung (V) | Aktueller Last (A) | Herunterladen | Aktion |
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![]() | 1200V/470mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA/SMD6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA DIP8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA/SMD8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 1700V/350mA/SMD6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 3300V/300mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/SMD6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/DIP8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/SMD8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | Paket einzigartig zur Verbesserung des Kriechwegs, 3000V/500mA, Solid State Relais | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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![]() | 3300V/350mA/SO16 Solid State Relay (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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