Relais à état solide DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC)
AM51
DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Avec une tension de charge de 1200V dans un boîtier compact DIP8-6, le relais à état solide miniature en carbure de silicium est conçu pour des applications haute tension telles que la détection d'isolation dans les systèmes de gestion de batterie (BMS). Pour satisfaire les exigences de haute tension et de haute durabilité de l'industrie des véhicules électriques, nous avons appliqué le carbure de silicium comme matériau pour les MOSFET internes de nos relais miniatures ; cela permet des applications dans des environnements difficiles. Le design sans contact permet également une durée de vie opérationnelle presque illimitée. Avec un boîtier DIP8-6, la distance de fuite est améliorée pour renforcer l'isolation. Le relais à état solide AM51 SiC IC est conçu, fabriqué et testé dans notre usine avec les certifications ISO9001 et IATF16949.
Caractéristiques
- Taille miniature
- Dimensions : 9,8 * 6,4 * 3,4 mm
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Fonctionnement silencieux (sans contacts mécaniques)
- Linéarité de grande performance
- Nécessite un faible courant/ tension de commande
- Bruit minimisé
- Haute isolation
- Isolement élevé
Forme de contact
- 1 Form A
Tension de claquage I/O
- 3750
- 5000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 1200
Courant de charge (A)
- 0.47
Type d'emballage
- DIP8-6
Résistance à l'état actif (Ω)
- 0.6
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolation
- Véhicule électrique
- Stations de charge
- Mécanisme de protection haute tension
- Équipement de test automatique (ATE)
- Contrôle industriel
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