SiC MOSFET 릴레이 (1500V에서 6600V까지)
실리콘 카바이드 MOSFET을 광결합 릴레이에 적용함으로써, 부하 전압을 최대 3300V까지 상승시킬 수 있으며, 6600V로 개발 중입니다. 입출력 분해 전압은 3750V와 5000V의 선택이 가능합니다. 이 고전압 부하 Opto SiC-MOSFET 릴레이는 AEC-Q101 인증을 받았으며, B.T의 공장 1K 등급 클린룸에서 제조되었습니다.
| 영상 | name | 접점 형태 | 로드 전압 (V) | 부하 전류 (A) | 다운로드 | 행동 |
|---|---|---|---|---|---|---|
AA51
| 1200V/470mA/DIP6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AA51F
| 1200V/470mA/SMD6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AM51
| 1200V/470mA DIP8-6 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AM51F
| 1200V/470mA/SMD8-6 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AA52
| 1700V/350mA/DIP6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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AA52F
| 1700V/350mA/SMD6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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AA53
| 3300V/300mA/DIP6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AA53F
| 3300V/300mA/SMD6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AM53
| 3300V/300mA/DIP8-6 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AM53F
| 3300V/300mA/SMD8-6 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AN53
| 크리피지 거리 향상을 위한 패키지 고유, 3000V/500mA 솔리드 스테이트 릴레이 | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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AS53F
| 3300V/350mA/SO16 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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