SiC MOSFET 릴레이 (1500V에서 6600V까지)
실리콘 카바이드 MOSFET을 광결합 릴레이에 적용함으로써, 부하 전압을 최대 3300V까지 상승시킬 수 있으며, 6600V로 개발 중입니다. 입력/출력 붕괴 전압은 3750V와 5000V의 선택지가 있습니다. 이 고부하 전압 옵토 SiC-MOSFET 릴레이는 AEC-Q101 인증을 받았으며, Bright Toward의 공장의 1K 등급 청정실에서 생산됩니다.
영상 | name | 접점 형태 | 부하 전압 (V) | 부하 전류 (A) | 다운로드 | 행동 |
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AA51 | 1200V/470mA/DIP6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AA51F | 1200V/470mA/SMD6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AM51 | 1200V/470mA DIP8-6 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AM51F | 1200V/470mA/SMD8-6 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AA52 | 1700V/350mA/DIP6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 | ||
AA52F | 1700V/350mA/SMD6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 | ||
AA53 | 3300V/300mA/DIP6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AA53F | 3300V/300mA/SMD6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AM53 | 3300V/300mA/DIP8-6 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AM53F | 3300V/300mA/SMD8-6 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AN53 | 크리피지 거리 향상을 위한 패키지 고유, 3000V/500mA 솔리드 스테이트 릴레이 | 1 Form A | 3000 | 0.5 | ||
AS53F | 3300V/350mA/SO16 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |