SiC MOSFET 릴레이 (1500V에서 6600V까지)
실리콘 카바이드 MOSFET를 광 결합 릴레이에 적용함으로써, 부하 전압이 최대 3300V로 증가하며, 6600V 개발 중입니다. 입력/출력 파괴 전압은 3750V와 5000V 중에서 선택할 수 있습니다. 이러한 고전압 부하 Opto SiC-MOSFET 릴레이는 AEC-Q101 인증을 받았으며, Toward의 공장 1K 등급 클린룸에서 제조됩니다.
영상 | name | 접촉 형태 | 부하 전압 (V) | 부하 전류 (A) | 다운로드 | 행동 |
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![]() | 1200V/470mA/DIP6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA/SMD6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA DIP8-6 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1200V/470mA/SMD8-6 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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![]() | 1700V/350mA/DIP6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 1700V/350mA/SMD6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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![]() | 3300V/300mA/DIP6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/SMD6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/DIP8-6 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 3300V/300mA/SMD8-6 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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![]() | 크리피지 거리 향상을 위한 패키지 고유, 3000V/500mA 솔리드 스테이트 릴레이 | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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![]() | 3300V/350mA/SO16 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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