Relai MOSFET SiC yang terhubung secara optik memuat tegangan dari 1500V hingga 3300V dan lebih tinggi.
Relai SiC MOSFET (1500V hingga 6600V)
Dengan menerapkan MOSFET Karbida Silikon ke dalam relay yang terhubung secara optik kami, tegangan beban ditingkatkan hingga 3300V, dengan 6600V dalam pengembangan. Tegangan breakdown Input/Output tersedia dalam pilihan 3750V dan 5000V. Relay Opto SiC-MOSFET dengan tegangan beban tinggi ini telah bersertifikat AEC-Q101, diproduksi di ruang bersih kelas 1K pabrik Bright Toward.
Gambar | name | Formulir Kontak | Tegangan Beban (V) | Arus Beban (A) | Unduh | Tindakan |
---|---|---|---|---|---|---|
AA51 | Relai State Solid 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AA51F | Relai Solid State 1200V/470mA/SMD6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AM51 | Relai State Solid 1200V/470mA DIP8-6 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AM51F | Relai Solid State 1200V/470mA/SMD8-6 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AA52 | 1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relay (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 | ||
AA52F | Relai Solid State 1700V/350mA/SMD6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 1700 | 0.35 | ||
AA53 | Relai Solid State 3300V/300mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AA53F | Relai Solid State 3300V/300mA/SMD6-5 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AM53 | Relai Solid State 3300V/300mA/DIP8-6 (MOSFET SiC) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AM53F | Relai Solid State 3300V/300mA/SMD8-6 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AN53 | Paket unik untuk meningkatkan jarak creepage, RELAY Solid State 3000V/500mA | 1 Form A | 3000 | 0.5 | ||
AS53F | Relai Solid State 3300V/350mA/SO16 (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |