Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), SMD6-5Поставщик | Производитель высококачественных реле и переключателей из Тайваня | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Это миниатюрное твердотельное реле SMD6-5 (6,4 мм * 8,8 мм) SiC MOSFET с выходом может нагружать напряжение до 1800 В и передавать ток 30 мА. Карбид кремния используется в качестве материала для полевого МОП-транзистора внутри реле, что обеспечивает высокое напряжение нагрузки с выдающимися характеристиками долговечности. Он может выдерживать летучие среды, влажность и колебания температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях класса 1k на нашем заводе с сертификатами ISO9001 и IATF16949.BT — тайваньский высококачественный Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), SMD6-5производитель и поставщик Обладая более чем 30-летним опытом производства реле, компания Bright Toward специализируется на производстве различных видов реле. с 1988 г.

service@relay.com.tw

Свяжитесь с нами

Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), SMD6-5

SMD6-5,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)/ Bright Toward Industrial Co., Ltd является производителем твердотельных реле, герконовых реле и МЭМС-переключателей.

Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), SMD6-5 - SMD6-5, 1800 В / 30 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
  • Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), SMD6-5 - SMD6-5, 1800 В / 30 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), SMD6-5
AA58F

SMD6-5,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

Это миниатюрное твердотельное реле SMD6-5 (6,4 мм * 8,8 мм) SiC MOSFET с выходом может нагружать напряжение до 1800 В и передавать ток 30 мА. Карбид кремния используется в качестве материала для полевого МОП-транзистора внутри реле, что обеспечивает высокое напряжение нагрузки с выдающимися характеристиками долговечности. Он может выдерживать летучие среды, влажность и колебания температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях класса 1k на нашем заводе с сертификатами ISO9001 и IATF16949.

Функции
  • Реле Opto-SiC MOSFET
  • Миниатюрный размер
  • Размеры: 8,8*6,4*3,4 мм
  • Карбид кремния МОП-транзистор
  • Долгий срок службы (без механических контактов)
  • Бесшумная работа (без механических контактов)
  • Отличная производительность линейности
  • Требуется низкий ток привода / напряжение
  • Минимальный шум
  • Высокая изоляция
  • Высокая изоляция
Форма обратной связи
  • 1 Form A
Напряжение пробоя ввода/вывода
  • 5000
Тип нагрузки
  • AC
  • DC
Напряжение нагрузки (В)
  • 1800
Ток нагрузки (А)
  • 0.03
Тип упаковки
  • SMD6-5
По сопротивлению (Ом)
  • 100
заявка
  • Система управления батареями (BMS)
  • Модули обнаружения изоляции
  • Электромобиль
  • Зарядные станции
  • Механизм защиты от высокого напряжения
  • Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
  • Промышленный контроль
сопутствующие товары
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200 В/ 470 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA51

Это миниатюрное твердотельное реле на основе карбида...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200 В/ 470 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA51F

С напряжением нагрузки до 1200 В и током нагрузки до...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле DIP8-6 1200 В/470 мА (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200 В/ 470 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле DIP8-6 1200 В/470 мА (SiC MOSFET)
AM51

С напряжением нагрузки 1200 В в компактном корпусе DIP8-6...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET) - SMD8-6, 1200 В/ 470 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM51F

Это напряжение нагрузки 1200 В, ток нагрузки 470 мА, твердотельное...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1700 В/ 350 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA52

Это напряжение нагрузки до 1700 В, ток нагрузки 350 мА...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1700 В/ 350 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA52F

Твердотельные реле TOWARD RELAYS 1700 В / 350 мА, сопротивление...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5, 3300 В/ 300 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA53

Наши твердотельные реле SiC IC, способные выдерживать...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) - SMD6-5, 3300 В/ 300 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA53F

Это напряжение нагрузки 3300 В, ток нагрузки 300 мА Твердотельные...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET) - DIP8-6, 3300 В/ 300 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET)
AM53

Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300 В/ 300 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM53F

Благодаря способности выдерживать напряжение нагрузки...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET) - SO-16, 3300 В/ 350 мА SSR РЕЛЕ Путь утечки > 8 мм SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)
AS53F

Это твердотельное реле с карбидом кремния IC может...

Подробности Добавить в корзину
Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), DIP6-5 - DIP6-5, 1800 В / 30 мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58

Это миниатюрное твердотельное реле с выходом SiC MOSFET,...

Подробности Добавить в корзину
Скачать
Лист данных AA58-1800 В/30 мА
Лист данных AA58-1800 В/30 мА

1 форма A, SiC MOSFET, корпус DIP6-5-8,8 мм * 6,4 мм * 3,4 мм

Скачать

Обзор продукта

Скачать обзор продукта

Позвоните нам +886-2-8227-6000

или по электронной почте service@relay.com.tw

Подробнее

БТ -Твердотельное реле 1800 В/30 мА (SiC MOSFET), SMD6-5Производитель

Находится на Тайване с 1988 года.Bright Toward Industrial Co., LTD.является поставщиком и производителем реле. Основная продукция, включая реле Opto-MOSFET, реле Opto-SiC MOSFET, твердотельные реле, герконовые реле и радиочастотные МЭМС-переключатели.

BT поставляет реле для полупроводниковой и автомобильной промышленности мира более трех десятилетий и имеет долгосрочные партнерские отношения с OKITA Works, базирующейся в Японии; Menlo Microsystems, базирующаяся в Калифорнии; JEL Systems, базирующаяся в Японии, и Teledyne Relays and Coax Switches, базирующаяся в Калифорнии. В основном обслуживают тестирование полупроводников, ATE, BMS (системы управления батареями), промышленное оборудование и электромобили.

BT предлагает клиентам высококачественные реле Opto-MOSFET и Opto-SiC MOSFET с 1988 года. Благодаря передовым технологиям и 30-летнему опыту BT обеспечивает удовлетворение требований каждого клиента.