1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SMD6-5 | 台湾高品质1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SMD6-5制造商 | 拓緯實業股份有限公司

拓纬是台湾专业制造 1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SMD6-5及提供 1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SMD6-5服务的优良厂商(成立于西元1988年)超过30年的继电器研发及生产经验,除深耕半导体测试市场外,车用电子、射频讯号、军用市场等领域等.

1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SMD6-5

SMD6-5,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)/ 拓纬是继电器的专业制造商。主要产品有:磁簧继电器、光耦合继电器、射频微机电开关、碳化矽光耦合继电器、固态继电器。

1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SMD6-5 - SMD6-5,1800V/30mA SPST-NO(1 Form A), SiC MOSFET
  • 1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SMD6-5 - SMD6-5,1800V/30mA SPST-NO(1 Form A), SiC MOSFET
1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SMD6-5
AA58F

SMD6-5,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

这是一颗半导体式小型光耦合继电器。可负载高达3300伏电压,耐电流330毫安培,采8.8mm*6.4mm SMD6-5封装形式,使用碳化矽做为MOSFET晶片材料。可承受湿度和温度大幅波动,在恶劣环境下正常运作。

 

碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力,并确保其产品能于-40 °C to 125 °C ( -40°F to 257°F)以及各种恶劣环境下正常运作。

 

内部由LED 驱动SiC MOSFET 进行开关,以光信号为媒介来实现电信号的耦合与传递,输入与输出具有更好的隔离度与抗干扰。

 

结合微型尺寸设计、高绝缘性、高崩溃电压、良好散热等特性,碳化矽光耦合继电器适用于电池管理系统绝缘检测线路(BMS Insulation Detection Circuit) 应用。当电池模组内绝缘劣化时,会有接地故障电流通过光耦合继电器,因而启动保护机制。因为电池模组的总电压很高,拓纬的碳化矽光耦合继电器高电压特性能满足绝缘检测线路需求。

 

拓纬的碳化矽光耦合继电器从晶片设计到晶片切割、扩晶、固晶、打线、到封装、测试皆在拓纬拥有ISO9001 与IATF16949车规认证的新竹厂1K等级无尘室中完成。品质管控、供应链管理、成本控制、交期皆是优势。

产品特性
  • 小尺寸
  • 长宽: 8.8mm*6.4mm
  • 高: 3.4mm
  • 内部使用碳化矽MOSFET
  • 无机械接点造就超长寿命
  • 无机械接点造就无声运作
  • 线性度表现佳
  • 低失真
  • 低耗电
  • 低杂讯
  • 高隔离
  • 高绝缘性
接点形式
  • 1 Form A
输入/输出间绝缘耐压(V)
  • 5000
交流/直流
  • AC
  • DC
耐电压(V)
  • 1800
耐电流(A)
  • 0.03
封装形式
  • SMD6-5
导通电组(Ω)
  • 100
产品应用
  • 电动车电池管里系统(BMS)
  • 充电桩
  • 绝缘检测、高压检测
  • 半导体测试介面板
  • 半导体测试机(ATE)
  • 工业控制
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此光耦合继电器耐电压达1200伏,耐电流为470 毫安培,导通电阻为0.6 Ohms,使用SMD6-5的封装,是一颗高耐压碳化矽半导体式小型光耦合继电器。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力,并确保其产品能于-40...

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采用DIP8-6封装形式的AM51 为碳化矽半导体式小型光耦合继电器。能负载1200伏电压,470毫安培电流,导通电阻为0.6...

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能负载高达1700伏的AA52F,是一颗采用8.8mm*6.4mm SMD6-5封装形式的碳化矽半导体式小型光耦合继电器,耐电流为350毫安培,导通电阻为0.06...

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此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压,耐电流达300mA,为A接点常开型的碳化矽半导体式小型光耦合继电器。使用8.8mm*6.4mm...

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此小型光耦合继电器可负载高达3300伏电压,耐电流330毫安培,使用SMD6-5封装形式,增加了爬电距离,增大表面绝缘面积,增强耐用度。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力,并确保其产品能于-40...

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此光耦合继电器能负载高达3300伏的电压,耐电流300毫安培,封装于SMD8-6。使用碳化矽做为继电器内部MOSFET材料。内部使用LED驱动碳化矽MOSFET开关,可以一直开关动作直到LED光衰,寿命在正常负载条件使用下长达数十年之久。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力,并确保其产品能于-40...

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采特殊封装以增加爬电距离, 3000V/500mA 光耦合继电器 - 特殊封装,3000V/500mA SPST-NO(1 Form A)
采特殊封装以增加爬电距离, 3000V/500mA 光耦合继电器
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此产品可负载高达3300伏的电压,耐电流达500mA,为常开型的碳化矽半导体式光耦合继电器。AN53使用特殊形式封装,除了让脚位能更容易取代磁簧继电器,也大幅提升了绝缘性与耐电流。为了使继电器的负载电压能再提高,并确保于恶劣环境下继电器的运作能不受影响,因此使用了碳化矽做为继电器内部晶片的材料。此继电器适用于逆变器、充电站、电动车的电池管理系统,可耐受湿度和温度的大幅波动。全系列产品在1K无尘室条件下生产,工厂拥有ISO...

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这是一颗可负载1800V电压的半导体式小型光耦合继电器。内部的MOSFET由碳化矽为材料制成,因而大幅增加电压负载能力与耐用度。为了避免机械接点,内部设计使用LED驱动SiC...

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AA58-1800V/30mA规格书
AA58-1800V/30mA规格书

1 Form A,SiC MOSFET,DIP6-5封装-8.8mm*6.4mm*3.4mm

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拓緯實業股份有限公司是台湾一家拥有超过30年经验的专业1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SMD6-5生产制造商. 我们成立于西元1988年, 在继电器研发与生产领域上, 拓纬提供专业高品质的1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SMD6-5制造服务,拓纬以追求为客户提供高品质的产品与服务为目标。