Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SiC MOSFET),SMD6-5Pembekal | Pengeluar Geganti dan Suis Berkualiti Tinggi dari Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

SMD6-5 (6.4mm*8.8mm) SiC MOSFET output-minitur pepejal geganti ini boleh memuatkan voltan sehingga 1800V dan membawa 30mA arus. Silicon Carbide digunakan sebagai bahan untuk MOSFET di dalam geganti, ini membolehkan voltan beban beban tinggi dengan prestasi cemerlang dalam ketahanan. Ia boleh menahan persekitaran yang tidak menentu, kelembapan dan suhu yang berubah-ubah. Semua proses pembuatan dilakukan di bilik bersih gred 1k di kilang kami dengan pensijilan ISO9001 dan IATF16949.BT ialah Taiwan berkualiti tinggi Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SiC MOSFET),SMD6-5pengilang dan pembekal Dengan lebih daripada 30 tahun pengalaman pembuatan geganti, Bright Toward mengkhusus dalam pembuatan pelbagai jenis geganti. sejak tahun 1988

Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SiC MOSFET),SMD6-5

SMD6-5,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)/ Bright Toward Industrial Co., Ltd ialah pengeluar Geganti Keadaan Pepejal, Geganti Reed dan Suis MEMS.

Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SiC MOSFET),SMD6-5 - SMD6-5,1800V/30mA SSR RELAY SPST-NO(1 Borang A), SiC MOSFET
  • Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SiC MOSFET),SMD6-5 - SMD6-5,1800V/30mA SSR RELAY SPST-NO(1 Borang A), SiC MOSFET
Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SiC MOSFET),SMD6-5
AA58F

SMD6-5,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

SMD6-5 (6.4mm*8.8mm) SiC MOSFET output-minitur pepejal geganti ini boleh memuatkan voltan sehingga 1800V dan membawa 30mA arus. Silicon Carbide digunakan sebagai bahan untuk MOSFET di dalam geganti, ini membolehkan voltan beban beban tinggi dengan prestasi cemerlang dalam ketahanan. Ia boleh menahan persekitaran yang tidak menentu, kelembapan dan suhu yang berubah-ubah. Semua proses pembuatan dilakukan di bilik bersih gred 1k di kilang kami dengan pensijilan ISO9001 dan IATF16949.

ciri-ciri
  • Geganti Opto-SiC MOSFET
  • Saiz Miniatur
  • Dimensi: 8.8* 6.4* 3.4 mm
  • Silicon Carbide MOSFET
  • Long Life (tanpa sentuhan mekanikal)
  • Operasi Senyap (tanpa sesentuh mekanikal)
  • Lineariti Berprestasi Hebat
  • Memerlukan Arus/ Voltan pemacu rendah
  • Bunyi yang diminimumkan
  • Penebat tinggi
  • Pengasingan tinggi
Borang hubungan
  • 1 Form A
Voltan Pecah I/O
  • 5000
Jenis Beban
  • AC
  • DC
Voltan Beban (V)
  • 1800
Muatkan Arus (A)
  • 0.03
Jenis Pakej
  • SMD6-5
Pada Rintangan (Ω)
  • 100
Permohonan
  • Sistem Pengurusan Bateri (BMS)
  • Modul Pengesanan Penebat
  • Kenderaan Elektrik
  • Stesen Pengecasan
  • Mekanisme Perlindungan Voltan Tinggi
  • Peralatan Ujian Automatik (ATE)
  • Kawalan Perindustrian
Produk Berkaitan
1200V/470mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200V/ 470mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
1200V/470mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA51

Relay Keadaan Pepejal Miniatur Silicon Carbide IC ini menyediakan sehingga 1200V voltan beban...

Details Add to cart
1200V/470mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200V/ 470mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA51F

Dengan sehingga 1200V voltan beban dan 470mA arus beban, Silicon Carbide miniatur IC Solid...

Details Add to cart
1200V/470mA DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200V/ 470mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
1200V/470mA DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM51

Dengan voltan beban pada 1200V dalam pakej DIP8-6 padat, Silicon Carbide miniatur IC Solid...

Details Add to cart
1200V/470mA/SMD8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET) - SMD8-6, 1200V/ 470mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM51F

Voltan beban ini pada 1200V, arus beban pada 470mA, SMD8-6 Silicon Carbide IC Solid State Relay...

Details Add to cart
1700V/350mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1700V/ 350mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
1700V/350mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA52

Voltan beban ini sehingga 1700V, arus beban pada 350mA DIP6-5 Silicon Carbide IC Solid State...

Details Add to cart
1700V/350mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1700V/ 350mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
1700V/350mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA52F

TOWARD RELAYS' 1700V/350mA, on-resistance 0.6Ω, SMD6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relay...

Details Add to cart
3300V/300mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET) - DIP6-5, 3300V/ 300mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA53

Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej DIP6-5, Geganti Keadaan...

Details Add to cart
3300V/300mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET) - SMD6-5, 3300V/ 300mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD6-5 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AA53F

Voltan beban 3300V, arus beban 300mA SMD6-5 Silicon Carbide IC Solid State Relays adalah unik...

Details Add to cart
3300V/300mA/DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET) - DIP8-6, 3300V/ 300mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM53

Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej miniatur DIP8-6, Silicon...

Details Add to cart
3300V/300mA/SMD8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300V/ 300mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD8-6 Geganti Keadaan Pepejal (SiC MOSFET)
AM53F

Dengan keupayaan untuk membawa sehingga 3300V voltan beban dalam pakej SMD8-6, Silicon Carbide...

Details Add to cart
Geganti Keadaan Pepejal 3300V/350mA/SO16 (SiC MOSFET) - SO-16, 3300V/ 350mA SSR RELAY Rayapan > 8mm SPST-NO (1 Borang A), SiC MOSFET
Geganti Keadaan Pepejal 3300V/350mA/SO16 (SiC MOSFET)
AS53F

Silicon Carbide IC Solid State Relay ini boleh memuatkan voltan sehingga 3300V, dengan jarak...

Details Add to cart
Pakej unik untuk meningkatkan jarak rayapan, 3000V/500mA, Geganti Keadaan Pepejal - Pakej unik, 3000V/500mA SSR RELAY SPST-NO (1 Borang A)
Pakej unik untuk meningkatkan jarak rayapan, 3000V/500mA, Geganti Keadaan Pepejal
AN53

Relay Keadaan Pepejal IC Silicon Carbide 3000V/500mA yang dibungkus secara unik ini meningkatkan...

Details Add to cart
Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SIC MOSFET), DIP6-5 - DIP6-5,1800V/30mA SSR relay SPST-NO(1 Borang A), SiC MOSFET
Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SIC MOSFET), DIP6-5
AA58

Ini ialah geganti keadaan pepejal keluaran SiC MOSFET yang memuatkan voltan sehingga 1800V....

Details Add to cart
Muat turun
Helaian Data AA58-1800V/30mA
Helaian Data AA58-1800V/30mA

1 Borang A,SiC MOSFET,DIP6-5 Pakej-8.8mm*6.4mm*3.4mm

Download

Gambaran Keseluruhan Produk

Muat Turun Gambaran Keseluruhan Produk

Hubungi kami +886-2-8227-6000

atau e-mel service@relay.com.tw

More Details

BT -Geganti Keadaan Pepejal 1800V/30mA(SiC MOSFET),SMD6-5Pengeluar

Terletak di Taiwan sejak 1988,Bright Toward Industrial Co., LTD.ialah pembekal dan pengilang geganti. Produk utama, termasuk Relay Opto-MOSFET, Relay MOSFET Opto-SiC, Relay Keadaan Pepejal, Relay Reed dan Suis RF MEMS.

BT membekalkan geganti kepada industri semikonduktor dan automotif dunia selama lebih tiga dekad dan mempunyai perkongsian jangka panjang jangka panjang dengan OKITA Works yang berpangkalan di Jepun; Menlo Microsystems yang berpangkalan di California; JEL Systems yang berpangkalan di Jepun dan Teledyne Relays and Coax Switches yang berpangkalan di California. Terutamanya berkhidmat dalam Pengujian Semikonduktor, ATE, BMS (Sistem Pengurusan Bateri), jentera perindustrian dan industri Kenderaan Elektrik.

BT telah menawarkan kepada pelanggan geganti Opto-MOSFET dan Opto-SiC MOSFET berkualiti tinggi sejak 1988, kedua-duanya dengan teknologi canggih dan pengalaman selama 30 tahun, BT memastikan setiap permintaan pelanggan dipenuhi.