1200V/470mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET)Lieferant | Hersteller von hochwertigen Relais und Schaltern aus Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Dieser Siliziumkarbid-IC-Miniatur-Festkörperrelais bietet bis zu 1200V Lastspannung mit 470mA Laststrom und einem Einschaltwiderstand von 0,6Ω. Es verfügt über eine 1 Form A-Kontaktanordnung in einem DIP6-5-Gehäuse. Mit dieser Art von Verpackung wird der Kriechweg zur besseren Isolierung verbessert. Durch die Verwendung von Siliziumkarbid als Material für MOSFETs kann unser IC-Halbleiterrelais hohen Spannungen standhalten und gleichzeitig in rauen Umgebungen mit schwankenden Temperaturen betrieben werden.B.T ist ein hochwertiger RF MEMS-Schalter, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Solid-State-Relais-Hersteller aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisfertigung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. Seit 1988

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1200V/470mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET)

DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) / Bright Toward Industrial Co., LTD. ist ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

1200V/470mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200V/ 470mA SSR RELAIS SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
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1200V/470mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET)
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DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

Dieser Siliziumkarbid-IC-Miniatur-Festkörperrelais bietet bis zu 1200V Lastspannung mit 470mA Laststrom und einem Einschaltwiderstand von 0,6Ω. Es verfügt über eine 1 Form A-Kontaktanordnung in einem DIP6-5-Gehäuse. Mit dieser Art von Verpackung wird der Kriechweg zur besseren Isolierung verbessert. Durch die Verwendung von Siliziumkarbid als Material für MOSFETs kann unser IC-Halbleiterrelais hohen Spannungen standhalten und gleichzeitig in rauen Umgebungen mit schwankenden Temperaturen betrieben werden.

Funktionen
  • Opto-SiC MOSFET-Relais
  • Kompakte Größe
  • Abmessungen: 8,8* 6,4* 3,4 mm
  • Langlebigkeit (ohne mechanische Kontakte)
  • Geräuschloser Betrieb (ohne mechanische Kontakte)
  • Hervorragende Linearität der Leistung
  • Erfordert geringen Antriebsstrom/Spannung
  • Minimiertes Rauschen
  • Hohe Isolierung
  • Hohe Isolation
Kontaktformular
  • 1 Form A
I/O-Durchbruchspannung
  • 3750
  • 5000
Art der Last
  • AC
  • DC
Lastspannung (V)
  • 1200
Lastspannung (A)
  • 0.47
Gehäusetyp
  • DIP6-5
Einschaltwiderstand (Ω)
  • 0.6
Anwendung
  • Batteriemanagementsystem (BMS)
  • Isolationsdetektionsmodule
  • Elektrofahrzeug
  • Ladestationen
  • Hochspannungsschutzmechanismus
  • Automatisches Testequipment (ATE)
  • Industrielle Steuerung
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B.T - 1200V/470mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) Hersteller

Seit 1988 in Taiwan ansässig, ist Bright Toward Industrial Co., LTD. ein Lieferant und Hersteller von Relais. Zu den Hauptprodukten gehören Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Solid-State-Relais, Reed-Relais und RF-MEMS-Schalter.

B.T liefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und pflegt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan, Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien, JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays und Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Hauptmärkte sind die Halbleitertestung, ATE, BMS (Battery Management Systems), Industriemaschinen und die Elektrofahrzeugindustrie.

B.T bietet Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, sowohl mit fortschrittlicher Technologie als auch mit 30 Jahren Erfahrung. B.T stellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.