1200V/470mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA51F
SMD6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
最大1200Vの負荷電圧と470mAの負荷電流に対応した当社のシリコンカーバイドミニチュアICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。 電気自動車産業の高電圧および高耐久性の要件を満たすために、当社のミニチュアリレーの内部MOSFETの材料としてシリコンカーバイドを採用しました。これにより、過酷な環境での使用が可能になります。 すべての製造プロセスは、当社の工場の1kグレードのクリーンルームで行われています。
特徴
- オプトSiC MOSFETリレー
- ミニチュアサイズ
- 寸法：8.8* 6.4* 3.4 mm
- 長寿命（機械的接触なし）
- 静音動作（機械的接触なし）
- 優れた線形性能
- 低い駆動電流/電圧が必要
- ノイズ最小化
- 高い絶縁性
- 高い絶縁
接点形式
- 1 Form A
I/O ブレークダウン電圧
- 3750
- 5000
負荷の種類
- AC
- DC
負荷電圧 (V)
- 1200
負荷電流 (A)
- 0.47
パッケージタイプ
- SMD6-5
オン抵抗 (Ω)
- 0.6
アプリケーション
- バッテリー管理システム (BMS)
- 絶縁検出モジュール
- 電気自動車
- 充電ステーション
- 高電圧保護機構
- 自動試験装置 (ATE)
- 産業用制御
- 関連製品
1200V/470mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA51
このシリコンカーバイドICミニチュアソリッドステートリレーは、470mAの負荷電流と0.6Ωのオン抵抗で最大1200Vの負荷電圧を提供します。...
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1200V/470mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA51F
最大1200Vの負荷電圧と470mAの負荷電流に対応した当社のシリコンカーバイドミニチュアICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。...
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1200V/470mA DIP8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AM51
1200Vの負荷電圧でコンパクトなDIP8-6パッケージに収められたシリコンカーバイドミニチュアICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。...
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1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AM51F
この1200Vの負荷電圧、470mAの負荷電流のSMD8-6シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。...
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1700V/350mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA52
この負荷電圧は1700Vまで、負荷電流は350mAのDIP6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。...
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1700V/350mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA52F
Bright Toward RELAYSの1700V/350mA、オン抵抗0.6Ω、SMD6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。シリコンカーバイドMOSFETとLEDをドライバーとして組み込むことで、高電圧と変動する環境に耐えながら、ほぼ無限の寿命を実現できます。
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3300V/300mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA53
DIP6-5パッケージで最大3300Vの負荷電圧を扱うことができる当社のSiC ICソリッドステートリレーは、業界で最も革新的です。...
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3300V/300mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA53F
SMD6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、3300Vの負荷電圧を持ち、300mAの負荷電流を運ぶことができ、業界内で独自の地位を持っています。...
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3300V/300mA/DIP8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AM53
ミニチュアDIP8-6パッケージで最大3300Vの負荷電圧を扱うことができる当社のシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、業界で最も革新的です。...
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3300V/300mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AM53F
SMD8-6パッケージで最大3300Vの負荷電圧を扱うことができる当社のシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、業界で最も革新的です。...
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3300V/350mA/SO16 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AS53F
私たちの350mAシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、高需要のアプリケーション向けに特別に設計されており、負荷電圧は最大3300Vまでサポートし、クリープ距離は8mm以上を確保しています。...
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クリープ距離を改善するためのユニークなパッケージ、3000V/500mA、ソリッドステートリレー
AN53
このユニークにパッケージされた3000V/500mAミニチュアシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、自動試験装置（ATE）、バッテリー駆動デバイス、汎用電子試験機器のためのクリープ距離を大幅に改善します。...
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1800V/30mAソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、DIP6-5
AA58
これは、最大1800Vの電圧を負荷できるSiC MOSFET出力のミニチュア固体リレーです。リレー内部のMOSFETにはシリコンカーバイドが材料として使用されており、優れた耐久性を持つ高負荷電圧を実現しています。...
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