SiC MOSFETリレー（1500Vから6600V） - Toward Technologies株式会社 - ソリッドステートリレー、リードリレー、MEMSスイッチの製造業者です。

シリコンカーバイドMOSFETを光アイソレータリレーに適用することで、負荷電圧は最大3300Vに引き上げられ、6600Vの開発が進められています。 入力/出力のブレークダウン電圧は3750Vと5000Vの選択肢があります。これらの高負荷電圧Opto SiC-MOSFETリレーはAEC-Q101認証を受けており、Towardの工場の1Kグレードのクリーンルームで製造されています。 Toward Technologiesは、台湾の高品質RF MEMSスイッチ、オプトMOSリレー、オプトMOSFETリレー、リードリレー、ソリッドステートリレーの製造業者です。 30年以上のリレー製造経験を持つTowardは、さまざまな種類のリレーの製造を専門としています。

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SiC MOSFETリレー（1500Vから6600V）

光学的に結合されたSiC MOSFETリレーは、1500Vから3300V以上の負荷電圧に対応しています。 / Toward Technologies, Inc.は、ソリッドステートリレー、リードリレー、MEMSスイッチの製造業者です。

光学的に結合されたSiC MOSFETリレーは、1500Vから3300V以上の負荷電圧に対応しています。
光学的に結合されたSiC MOSFETリレーは、1500Vから3300V以上の負荷電圧に対応しています。

SiC MOSFETリレー（1500Vから6600V）

シリコンカーバイドMOSFETを光アイソレータリレーに適用することで、負荷電圧は最大3300Vに引き上げられ、6600Vの開発も進めています。入力/出力のブレークダウン電圧は3750Vと5000Vの選択肢があります。これらの高負荷電圧Opto SiC-MOSFETリレーはAEC-Q101認証を取得しており、Towardの工場の1Kグレードのクリーンルームで製造されています。

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1800V/30mAソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、DIP6-5 AA58 1800V/30mAソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、DIP6-5

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1800V/30mAソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、DIP6-5
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1800V/30mAソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、SMD6-5
1800V/30mA/SO16ソリッドステートリレー（SiC MOSFET） AS58F 1800V/30mA/SO16ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）

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1800V/30mA/SO16ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
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Toward Technologies - SiC MOSFETリレーの製造業者（1500Vから6600V）

1988年から台湾に位置するToward Technologies, Inc.は、リレーの供給者および製造業者です。主な製品には、オプトMOSFETリレー、オプトSiC MOSFETリレー、ソリッドステートリレー、リードリレー、RF MEMSスイッチが含まれます。

Toward Technologiesは、世界の半導体および自動車産業に30年以上にわたりリレーを供給しており、日本のOKITA Works、カリフォルニアのMenlo Microsystems、日本のJEL Systems、カリフォルニアのTeledyne Relays and Coax Switchesとの長期的なパートナーシップを築いています。主に半導体テスト、ATE、BMS（バッテリー管理システム）、産業機械および電気自動車産業にサービスを提供しています。

Toward Technologiesは1988年から高品質のオプトMOSFETおよびオプトSiC MOSFETリレーを提供しており、先進技術と37年の経験を持って、Toward Technologiesは各顧客の要求に応えています。