1200V/470mA/SMD8-6 ठोस राज्य रिले (SiC MOSFET)
AM51F
SMD8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
यह लोड वोल्टेज 1200V पर, लोड करंट 470mA पर, SMD8-6 सिलिकॉन कार्बाइड IC सॉलिड स्टेट रिले उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है जैसे कि बैटरी प्रबंधन प्रणालियों (BMS) में इंसुलेशन डिटेक्शन। एक सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET और एक LED को ड्राइवर के रूप में शामिल करते हुए, यह उच्च वोल्टेज और अस्थिर वातावरण को सहन करते हुए लगभग असीमित जीवनकाल प्रदर्शन कर सकता है। इलेक्ट्रिक वाहन उद्योग की उच्च वोल्टेज और उच्च स्थायित्व आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए, हमने अपने लघु रिले में आंतरिक MOSFETs के लिए सामग्री के रूप में सिलिकॉन कार्बाइड का उपयोग किया। SMD8-6 पैकेज के साथ, क्रेपेज दूरी को इन्सुलेशन को बढ़ाने के लिए सुधारा गया है। AM51F SiC IC ठोस राज्य रिले को हमारे कारखाने में ISO9001 और IATF16949 प्रमाणपत्रों के साथ डिज़ाइन, निर्मित और परीक्षण किया गया है।
विशेषताएँ
- सूक्ष्म आकार
- आयाम: 9.8* 6.4* 3.4 मिमी
- लंबी उम्र (यांत्रिक संपर्कों के बिना)
- शांत संचालन (यांत्रिक संपर्कों के बिना)
- उत्कृष्ट प्रदर्शन रेखीयता
- कम ड्राइव करंट/ वोल्टेज की आवश्यकता है
- कम से कम शोर
- उच्च इन्सुलेशन
- उच्च पृथक्करण
संपर्क रूप
- 1 Form A
I/O ब्रेकडाउन वोल्टेज
- 3750
- 5000
लोड का प्रकार
- AC
- DC
लोड वोल्टेज (V)
- 1200
लोड करंट (A)
- 0.47
पैकेज प्रकार
- SMD8-6
ऑन रेजिस्टेंस (Ω)
- 0.6
आवेदन
- बैटरी प्रबंधन प्रणाली (BMS)
- इंसुलेशन डिटेक्शन मॉड्यूल्स
- इलेक्ट्रिक वाहन
- चार्जिंग स्टेशन
- उच्च वोल्टेज सुरक्षा तंत्र
- स्वचालित परीक्षण उपकरण (ATE)
- औद्योगिक नियंत्रण
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