क्रेपेज़ दूरी में सुधार के लिए अद्वितीय पैकेज, 3000V/500mA, ठोस राज्य रिले
AN53
Package unique to improve creepage distance, 3000V/ 500mA, Opto-MOS Relay
यह विशेष रूप से पैक किया गया 3000V/500mA लघु सिलिकॉन कार्बाइड आईसी ठोस राज्य रिले स्वचालित परीक्षण उपकरण (ATE), बैटरी चालित उपकरणों, सामान्य प्रयोजन इलेक्ट्रॉनिक परीक्षण उपकरण के लिए क्रेपेज दूरी को महत्वपूर्ण रूप से सुधारता है। हम उद्योग में MOSFET ICs पर सिलिकॉन कार्बाइड लागू करने वाले पहले हैं। हमने एक कदम आगे बढ़ते हुए SiC MOSFET चिप्स को रीड रिले जैसे पैकेज में पैक किया, जिससे ग्राहकों के लिए अस्थिर रीड रिले या पारा रिले को बदलना आसान हो गया।
विशेषताएँ
- ऑप्टो-SiC MOSFET रिले
- सूक्ष्म आकार
- सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET
- लंबी उम्र (यांत्रिक संपर्कों के बिना)
- शांत संचालन (यांत्रिक संपर्कों के बिना)
- उत्कृष्ट प्रदर्शन रेखीयता
- कम ड्राइव करंट/ वोल्टेज की आवश्यकता है
- कम से कम शोर
- उच्च इन्सुलेशन
- उच्च पृथक्करण
संपर्क फॉर्म
- 1 Form A
आई/ओ ब्रेकडाउन वोल्टेज
- 7000
लोड का प्रकार
- AC
- DC
लोड वोल्टेज (वी)
- 3000
लोड करंट (A)
- 0.5
पैकेज प्रकार
- AN
ऑन रेजिस्टेंस (Ω)
- 3.4
आवेदन
- बैटरी प्रबंधन प्रणाली (BMS)
- इंसुलेशन डिटेक्शन मॉड्यूल्स
- इलेक्ट्रिक वाहन
- चार्जिंग स्टेशन
- उच्च वोल्टेज सुरक्षा तंत्र
- स्वचालित परीक्षण उपकरण (ATE)
- औद्योगिक नियंत्रण
- संबंधित उत्पाद
1200V/470mA/DIP6-5 ठोस राज्य रिले (SiC MOSFET)
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1200V/470mA/SMD6-5 ठोस राज्य रिले (SiC MOSFET)
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3300V/300mA/SMD6-5 ठोस राज्य रिले (SiC MOSFET)
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3300V/300mA/DIP8-6 ठोस राज्य रिले (SiC MOSFET)
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क्रेपेज़ दूरी में सुधार के लिए अद्वितीय पैकेज, 3000V/500mA, ठोस राज्य रिले
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1800V/30mA ठोस राज्य रिले(SiC MOSFET),DIP6-5
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AN53 डेटा शीट-3000V/500mA
1 Form A,अनूठा पैकेज प्रकार क्रीपेज दूरी को बेहतर बनाने के लिए
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