采特殊封装以增加爬电距离, 3000V/500mA 光耦合继电器
AN53
Package unique to improve creepage distance, 3000V/ 500mA, Opto-MOS Relay
此产品可负载高达3300伏的电压，耐电流达500mA，为常开型的碳化矽半导体式光耦合继电器。 AN53使用特殊形式封装，除了让脚位能更容易取代磁簧继电器，也大幅提升了绝缘性与耐电流。为了使继电器的负载电压能再提高，并确保于恶劣环境下继电器的运作能不受影响，因此使用了碳化矽做为继电器内部晶片的材料。此继电器适用于逆变器、充电站、电动车的电池管理系统，可耐受湿度和温度的大幅波动。全系列产品在1K无尘室条件下生产，工厂拥有ISO 9001, 以及车规IATF16949等认证。
产品特性
- 小尺寸
- 内部使用碳化矽MOSFET
- 无机械接点造就超长寿命
- 无机械接点造就无声运作
- 线性度表现佳
- 低失真
- 低耗电
- 低杂讯
- 高隔离
- 高绝缘性
接点形式
- 1 Form A
输入/输出间绝缘耐压(V)
- 7000
交流/直流
- AC
- DC
耐电压(V)
- 3000
耐电流(A)
- 0.5
封装形式
- AN
导通电组(Ω)
- 3.2
产品应用
- 电动车电池管里系统(BMS)
- 充电桩
- 绝缘检测、高压检测
- 半导体测试介面板
- 半导体测试机(ATE)
- 工业控制
- 关联产品
1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA51
拓緯的AA51光耦合繼電器採用碳化矽 (Silicon Carbide) 做為內部晶片材料，可負載高達1200伏的電壓，耐電流為470毫安培，導通電阻為...
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA51F
此光耦合繼電器耐電壓達1200伏，耐電流為 470 毫安培，導通電阻為 0.6 Ohms，使用SMD6-5的封裝，是一顆高耐壓碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51
採用DIP8-6封裝形式的AM51 為碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。能負載1200伏電壓，470毫安培電流，導通電阻為...
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1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA52F
能負載高達1700伏的AA52F，是一顆採用8.8mm*6.4mm SMD6-5封裝形式的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器，耐電流為350毫安培，導通電阻為...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，耐電流達300mA，為A接點常開型的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。使用8.8mm*6.4mm...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA53F
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏電壓，耐電流330毫安培，使用SMD6-5封裝形式，增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM53
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，使用SMD6-5的封装形式。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM53F
此光耦合继电器能负载高达3300伏的电压，耐电流300毫安培，封装于SMD8-6。使用碳化矽做为继电器内部MOSFET材料。内部使用LED驱动碳化矽MOSFET开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常负载条件使用下长达数十年之久。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA58
这是一颗可负载1800V电压的半导体式小型光耦合继电器。内部的MOSFET由碳化矽为材料制成，因而大幅增加电压负载能力与耐用度。为了避免机械接点，内部设计使用LED驱动SiC...
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