حزمة فريدة لتحسين مسافة الزحف، 3000V/500mA، مرحل الحالة الصلبةالمورد | مصنع ريليهات ومفاتيح عالية الجودة من تايوان | Toward Technologies, Inc.

هذا الترحيل المصغرة للسيليكون المصغرة 3000V/500 فولت/500mA يحسن بشكل كبير المسافة الزاحفة لمعدات الاختبار الآلية (ATE) ، والأجهزة التي تعمل بالبطارية ، ومعدات الاختبار الإلكترونية للأغراض العامة. نحن الأوائل في الصناعة الذين يطبقون كربيد السيليكون على دوائر MOSFET المتكاملة. لقد أخذنا خطوة إضافية وقمنا بتغليف شرائح SiC MOSFET في عبوات تشبه المرحلات الشوكية، مما يسهل على العملاء استبدال المرحلات الشوكية غير المستقرة أو المرحلات الزئبقية. Toward Technologies هي شركة مصنعة لمفاتيح RF MEMS عالية الجودة، ومرحلات Opto-MOS، ومرحلات Opto-MOSFET، ومرحلات Reed، ومرحلات الحالة الصلبة من تايوان. مع أكثر من 30 عامًا من خبرة تصنيع المرحلات، تتخصص Toward في تصنيع أنواع مختلفة من المرحلات. منذ عام 1988

support@toward.com

اتصل بنا

حزمة فريدة لتحسين مسافة الزحف، 3000V/500mA، مرحل الحالة الصلبة

Package unique to improve creepage distance, 3000V/ 500mA, Opto-MOS Relay / Toward Technologies, Inc. هي شركة مصنعة للريلايات الحالة الصلبة، والريلايات الشريطية، ومفاتيح MEMS.

حزمة فريدة لتحسين مسافة الزحف، 3000V/500mA، مرحل الحالة الصلبة - حزمة فريدة، 3000V/500mA SSR RELAY SPST-NO (1 Form A)
  • حزمة فريدة لتحسين مسافة الزحف، 3000V/500mA، مرحل الحالة الصلبة - حزمة فريدة، 3000V/500mA SSR RELAY SPST-NO (1 Form A)
حزمة فريدة لتحسين مسافة الزحف، 3000V/500mA، مرحل الحالة الصلبة
AN53

Package unique to improve creepage distance, 3000V/ 500mA, Opto-MOS Relay

هذا الترحيل المصغرة للسيليكون المصغرة 3000V/500 فولت/500mA يحسن بشكل كبير المسافة الزاحفة لمعدات الاختبار الآلية (ATE) ، والأجهزة التي تعمل بالبطارية ، ومعدات الاختبار الإلكترونية للأغراض العامة. نحن الأوائل في الصناعة الذين يطبقون كربيد السيليكون على دوائر MOSFET المتكاملة. لقد أخذنا خطوة إضافية وقمنا بتغليف شرائح SiC MOSFET في عبوات تشبه المرحلات الشوكية، مما يسهل على العملاء استبدال المرحلات الشوكية غير المستقرة أو المرحلات الزئبقية.

أضف إلى القائمة
مطلوب الان
الميزات
  • مرحلات MOSFET من نوع Opto-SiC
  • حجم مصغر
  • MOSFET من كربيد السيليكون
  • عمر طويل (بدون اتصالات ميكانيكية)
  • عمليات صامتة (بدون اتصالات ميكانيكية)
  • خطية أداء رائعة
  • تتطلب تيار/جهد منخفضين
  • تقليل الضوضاء
  • عزل عالي
  • عزل عالي
نموذج الاتصال
  • 1 Form A
جهد الانهيار I/O
  • 7000
نوع الحمل
  • AC
  • DC
جهد الحمل (ف)
  • 3000
تيار الحمل (أ)
  • 0.5
نوع الحزمة
  • AN
مقاومة التشغيل (Ω)
  • 3.4
تطبيق
  • نظام إدارة البطارية (BMS)
  • وحدات كشف العزل
  • سيارة كهربائية
  • محطات الشحن
  • آلية حماية الجهد العالي
  • معدات الاختبار التلقائي (ATE)
  • التحكم الصناعي
المنتجات ذات الصلة
ريلي الحالة الصلبة 1200V / 470mA / DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5، 1200V / 470mA ريلي SSR SPST-NO (1 شكل A)، SiC MOSFET
ريلي الحالة الصلبة 1200V / 470mA / DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA51

يوفر هذا المرحل الصلب المصغر من كربيد السيليكون جهد...

تفاصيل أضف إلى القائمة
1200 فولت/470 مللي أمبير/SMD6-5 ريلاي الحالة الصلبة (SiC MOSFET) - SMD6-5، 1200 فولت/ 470 مللي أمبير SSR ريلاي SPST-NO (شكل A واحد)، SiC MOSFET
1200 فولت/470 مللي أمبير/SMD6-5 ريلاي الحالة الصلبة (SiC MOSFET)
AA51F

مع جهد تحميل يصل إلى 1200 فولت و470 مللي أمبير من تيار...

تفاصيل أضف إلى القائمة
مُفتاح تحكم صلب بتقنية SiC MOSFET بجهد 1200 فولت / تيار 470 مللي أمبير DIP8-6 - مُفتاح تحكم صلب بتقنية SiC MOSFET بجهد 1200 فولت / تيار 470 مللي أمبير DIP8-6 SPST-NO (1 شكل A)
مُفتاح تحكم صلب بتقنية SiC MOSFET بجهد 1200 فولت / تيار 470 مللي أمبير DIP8-6
AM51

مع جهد تحميل يبلغ 1200 فولت في حزمة DIP8-6 المدمجة، تم تصميم...

تفاصيل أضف إلى القائمة
1200V/470mA/SMD8-6 مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET) - SMD8-6، 1200V/ 470mA مرحل الحالة الصلبة SPST-NO (شكل A واحد)، SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD8-6 مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET)
AM51F

تم تصميم هذا التتابع الصلب SMD8-6 من كربيد السيليكون...

تفاصيل أضف إلى القائمة
ريلي الحالة الصلبة 1700V/350mA/DIP6-5 (SiC MOSFET) - DIP6-5، 1700V/ 350mA ريلي SSR SPST-NO (1 شكل A)، SiC MOSFET
ريلي الحالة الصلبة 1700V/350mA/DIP6-5 (SiC MOSFET)
AA52

تم تصميم هذا التتابع الصلب من السيليكون كربيد DIP6-5...

تفاصيل أضف إلى القائمة
1700V/350mA/SMD6-5 مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET) - SMD6-5، 1700V/ 350mA مرحل الحالة الصلبة SPST-NO (شكل A واحد)، SiC MOSFET
1700V/350mA/SMD6-5 مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET)
AA52F

نحو الريليهات 1700 فولت / 350 مللي أمبير ، مقاومة التوصيل...

تفاصيل أضف إلى القائمة
3300V/300mA/DIP6-5 مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET) - DIP6-5، 3300V/ 300mA مرحل الحالة الصلبة SPST-NO (شكل A واحد)، SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP6-5 مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET)
AA53

مع القدرة على تحمل جهد تحميل يصل إلى 3300 فولت في حزمة...

تفاصيل أضف إلى القائمة
3300V/300mA/SMD6-5 مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET) - SMD6-5، 3300V/ 300mA مرحل الحالة الصلبة SPST-NO (شكل A واحد)، SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD6-5 مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET)
AA53F

تتميز مرحلات الحالة الصلبة SMD6-5 من كربيد السيليكون...

تفاصيل أضف إلى القائمة
3300V/300mA/DIP8-6 مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET) - DIP8-6، 3300V/ 300mA مرحل الحالة الصلبة SPST-NO (شكل A واحد)، SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP8-6 مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET)
AM53

مع القدرة على تحمل جهد تحميل يصل إلى 3300 فولت في حزمة...

تفاصيل أضف إلى القائمة
3300 فولت/300 مللي أمبير/SMD8-6 ريلاي الحالة الصلبة (SiC MOSFET) - SMD8-6، 3300 فولت/ 300 مللي أمبير SSR ريلاي SPST-NO (شكل A واحد)، SiC MOSFET
3300 فولت/300 مللي أمبير/SMD8-6 ريلاي الحالة الصلبة (SiC MOSFET)
AM53F

مع القدرة على تحمل جهد تحميل يصل إلى 3300 فولت في حزمة...

تفاصيل أضف إلى القائمة
3300V/350mA/SO16 ريلاي الحالة الصلبة (SiC MOSFET) - SO-16، 3300V/ 350mA مرحل الحالة الصلبة Creepage > 8mm SPST-NO (1 شكل A)، SiC MOSFET
3300V/350mA/SO16 ريلاي الحالة الصلبة (SiC MOSFET)
AS53F

تم تصميم مرحل الحالة الصلبة من كربيد السيليكون بقدرة...

تفاصيل أضف إلى القائمة
حزمة فريدة لتحسين مسافة الزحف، 3000V/500mA، مرحل الحالة الصلبة - حزمة فريدة، 3000V/500mA SSR RELAY SPST-NO (1 Form A)
حزمة فريدة لتحسين مسافة الزحف، 3000V/500mA، مرحل الحالة الصلبة
AN53

هذا الترحيل المصغرة للسيليكون المصغرة 3000V/500 فولت/500mA...

تفاصيل أضف إلى القائمة
1800V/30mA مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET)، DIP6-5 - DIP6-5، 1800V/30mA مرحل الحالة الصلبة SPST-NO (شكل A واحد)، SiC MOSFET
1800V/30mA مرحل الحالة الصلبة (SiC MOSFET)، DIP6-5
AA58

هذا هو مرحل الحالة الصلبة المصغر SiC MOSFET الذي يحمل جهدًا...

تفاصيل أضف إلى القائمة
تحميل
ورقة بيانات AN53-3000V/500mA
ورقة بيانات AN53-3000V/500mA

شكل A واحد ، نوع حزمة فريد لتحسين المسافة الزحفية

تحميل
تخطيط مرحل MOS
تخطيط مرحل MOS

ملفات PDF و DWG مضمنة في المجلد.

تحميل
ملفات نموذج MOS Relay ثلاثية الأبعاد
ملفات نموذج MOS Relay ثلاثية الأبعاد

نموذج المنتج ثلاثي الأبعاد

تحميل

Toward Technologies - حزمة فريدة لتحسين مسافة الزحف، 3000V/500mA، مرحل الحالة الصلبة المُصنِّع

تقع في تايوان منذ عام 1988، Toward Technologies, Inc. هي مورد ومصنع للمرحلات. تشمل المنتجات الرئيسية، مرحلات Opto-MOSFET، مرحلات Opto-SiC MOSFET، مرحلات الحالة الصلبة، مرحلات Reed، ومفاتيح RF MEMS.

تقوم Toward Technologies بتوريد المرحلات لصناعات أشباه الموصلات والسيارات في العالم لأكثر من ثلاثة عقود ولديها شراكات طويلة الأمد مع OKITA Works ومقرها اليابان؛ Menlo Microsystems ومقرها كاليفورنيا؛ JEL Systems ومقرها اليابان وTeledyne Relays وCoax Switches ومقرها كاليفورنيا. تخدم بشكل رئيسي صناعات اختبار أشباه الموصلات، ATE، أنظمة إدارة البطاريات (BMS)، الآلات الصناعية وصناعات السيارات الكهربائية.

تقدم Toward Technologies للعملاء مرحلات Opto-MOSFET وOpto-SiC MOSFET عالية الجودة منذ عام 1988، ومع التكنولوجيا المتقدمة و37 عامًا من الخبرة، تضمن Toward Technologies تلبية احتياجات كل عميل.