3300V/300mA/DIP8-6 Festkörperrelais (SiC MOSFET)
AM53
DIP8-6, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Mit der Fähigkeit, bis zu 3300V Lastspannung in einem kompakten DIP8-6 Gehäuse zu tragen, sind unsere Siliziumkarbid-ICs für Festkörperrelais die innovativsten in der Branche. Mit einem DIP8-6-Gehäuse bietet dieses Relais eine hervorragende Isolationsleistung aufgrund des Kriechabstands. ['TOWARD'] RELAYS ist der erste, der Siliziumkarbid als Material für unsere MOSFET-ICs verwendet. Dies ermöglicht eine sehr hohe Lastspannung mit herausragender Leistung in der Haltbarkeit. Mit Anwendungen wie Wechselrichtern, Ladestationen im Freien und Batteriemanagementsystemen in Elektrofahrzeugen kann unser SiC IC SSR die volatile Umgebung, Feuchtigkeit und schwankende Temperaturen aushalten. Alle Fertigungsprozesse werden in Reinräumen der Klasse 1k in unserer Fabrik mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen durchgeführt.
Merkmale
- Opto-SiC MOSFET Relais
- Miniaturgröße
- Abmessungen: 9,8 * 6,4 * 3,4 mm
- Siliziumkarbid MOSFET
- Lange Lebensdauer (ohne mechanische Kontakte)
- Geräuschloser Betrieb (ohne mechanische Kontakte)
- Großartige Leistung und Linearität
- Benötigt niedrigen Antriebsstrom/Spannung
- Minimiertes Geräusch
- Hohe Isolierung
- Hohe Isolation
Kontaktform
- 1 Form A
I/O Durchbruchspannung
- 3750
- 5000
Lasttyp
- AC
- DC
Lastspannung (V)
- 3300
Laststrom (A)
- 0.3
Pakettyp
- DIP8-6
Widerstand (Ω)
- 3.2
Anwendung
- Batteriemanagementsystem (BMS)
- Isolationsüberwachungsmodule
- Elektrofahrzeug
- Ladestationen
- Hochspannungsschutzmechanismus
- Automatisierte Testgeräte (ATE)
- Industrielle Steuerung
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