SiC-MOSFET-Relais (1500V bis 6600V)
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs in unseren optisch gekoppelten Relais werden die Lastspannungen auf bis zu 3300V erhöht, mit 6600V in der Entwicklung. Die Eingangs-/Ausgangsdurchbruchspannung liegt bei 3750V und 5000V. Diese Hochlastspannungs-Opto-SiC-MOSFET-Relais sind AEC-Q101-zertifiziert und werden in den Reinräumen der 1K-Klasse von ['Toward'] hergestellt.
| Bild | name | Kontaktform | Lastspannung (V) | Laststrom (A) | Herunterladen | Aktion |
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AA58
| 1800V/30mA Solid State Relay (SiC MOSFET), DIP6-5 | 1 Form A | 1800 | 0.03 |
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AA58F
| 1800V/30mA Solid State Relay(SiC MOSFET),SMD6-5 | 1 Form A | 1800 | 0.03 |
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AS58F
| 1800V/30mA/SO16 Festkörperrelais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1800 | 0.03 |
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