1800V/30mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AS58F
SO-16,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Этот твердотельный реле на основе кремния карбида может выдерживать напряжение до 3300 В в корпусе SO-16, у которого расстояние пробоя больше 8 мм. Этот реле предназначено для модулей обнаружения изоляции в системах управления батареями, где напряжение нагрузки и расстояние пробоя являются критически важными параметрами. Он состоит из фото SiC MOSFET, оптически связанного с инфракрасным светодиодом. Он может выдерживать высокое напряжение, нестабильную среду, влажность и колебания температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях класса 1k, расположенных на нашем заводе с сертификатами ISO9001 и IATF16949.
Особенности
- Опто-SiC MOSFET реле
- Миниатюрный размер
- MOSFET на основе карбида кремния
- Долговечность (без механических контактов)
- Бесшумная работа (без механических контактов)
- Отличная линейность работы
- Требует низкого тока/напряжения управления
- Минимизированный шум
- Высокая изоляция
- Высокая изоляция
Форма контакта
- 1 Form A
Напряжение пробоя I/O
- 5000
Тип нагрузки
- AC
- DC
Напряжение нагрузки (В)
- 1800
Ток нагрузки (А)
- 0.03
Тип упаковки
- SO-16
Сопротивление включения (Ω)
- 100
Заявка
- Система управления батареями (BMS)
- Модули обнаружения изоляции
- Электрический транспорт
- Зарядные станции
- Механизм защиты от высокого напряжения
- Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
- Промышленное управление
- Связанные продукты
-
1200В/470мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51
Этот миниатюрный твердотельный реле на основе карбида...
Подробности Добавить в список1200В/470мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F
С нагрузочным напряжением до 1200 В и нагрузочным током...
Подробности Добавить в список1200В/470мА DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51
С нагрузочным напряжением 1200 В в компактном корпусе...
Подробности Добавить в список1200В/470мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F
Это нагрузочное напряжение при 1200В, нагрузочный ток...
Подробности Добавить в список1700V/350mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52
Это нагрузочное напряжение до 1700В, нагрузочный ток...
Подробности Добавить в список1700В/350мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F
['TOWARD'] РЕЛЕ 1700V/350mA, сопротивление 0.6Ω, SMD6-5 кремний-карбидные...
Подробности Добавить в список3300В/300мА/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе...
Подробности Добавить в список3300В/300мА/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F
Силіконові карбідні ИС SMD6-5 твердотільні реле мають...
Подробности Добавить в список3300В/300мА/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в миниатюрном...
Подробности Добавить в список3300В/300мА/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F
С возможностью выдерживать до 3300 В нагрузки в корпусе...
Подробности Добавить в список3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AS53F
Наш твердотельный реле на основе кремния с током 350 мА...
Подробности Добавить в списокУникальный пакет для улучшения расстояния пробоя, 3000В/500мА, твердотельное реле
AN53
Этот уникально упакованный миниатюрный кремниевый...
Подробности Добавить в список1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле,...
Подробности Добавить в список - Скачать
-












