400V/120mA 光耦合繼電器,洩漏電流< 1nA
此光耦合繼電器耐電流達120豪安培,耐電壓400伏,洩漏電流 < 1nA。全系列從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有...
閱讀更多200V/200mA 光耦合繼電器,DIP-4
採DIP-4封裝,可負載200伏電壓,200毫安培電流,為輸入輸出絕緣耐壓可達5000Vrms的光耦合繼電器。光耦合繼電器內部原理使用LED驅動MOSFET進行開關,壽命在正常使用下可長達數十年之久,成功避免傳統機械式繼電器與磁簧繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩定等情況。拓緯晶片型繼電器從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、封裝、測試皆在拓緯新竹廠內完成,工廠擁...
閱讀更多200V/200mA 光耦合繼電器,DIP-6
這是一顆 A接點 (1 Form A) 常開型光耦合繼電器,耐電壓為200伏,耐電流200毫安培,使用DIP-6封裝。產品採無接點的設計,以LED驅動MOSFET進行開關,既可避免開關動作時發出噪音,更可以延長繼電器的壽命...
閱讀更多