1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
此光耦合继电器耐电压达1200伏，耐电流为470 毫安培，导通电阻为0.6 Ohms，使用SMD6-5的封装，是一颗高耐压碳化矽半导体式小型光耦合继电器。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
采用DIP8-6封装形式的AM51 为碳化矽半导体式小型光耦合继电器。能负载1200伏电压，470毫安培电流，导通电阻为0.6...
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1700V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
能负载高达1700伏的AA52F，是一颗采用8.8mm*6.4mm SMD6-5封装形式的碳化矽半导体式小型光耦合继电器，耐电流为350毫安培，导通电阻为0.06...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP6-5
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，耐电流达300mA，为A接点常开型的碳化矽半导体式小型光耦合继电器。使用8.8mm*6.4mm...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏电压，耐电流330毫安培，使用SMD6-5封装形式，增加了爬电距离，增大表面绝缘面积，增强耐用度。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，使用SMD6-5的封装形式。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6
此光耦合继电器能负载高达3300伏的电压，耐电流300毫安培，封装于SMD8-6。使用碳化矽做为继电器内部MOSFET材料。内部使用LED驱动碳化矽MOSFET开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常负载条件使用下长达数十年之久。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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3300V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm
这是一颗半导体式小型光耦合继电器。可负载高达3300伏电压，耐电流350毫安培，采爬电距离(Creepage...
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1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),DIP6-5
这是一颗可负载1800V电压的半导体式小型光耦合继电器。内部的MOSFET由碳化矽为材料制成，因而大幅增加电压负载能力与耐用度。为了避免机械接点，内部设计使用LED驱动SiC...
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