3300V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm | 高品质3300V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm制造商 | 拓緯實業股份有限公司

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3300V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm

SO-16, 3300V/350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) Creepage > 8mm/拓緯是继电器的专业制造商。主要产品有:磁簧继电器、光耦合继电器、射频微机电开关、碳化矽光耦合继电器、固态继电器。

3300V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm - So-16,3300V/350mA SPST-NO(1 Form A), SiC MOSFET, Creepage > 8mm
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3300V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm
AS53F

SO-16, 3300V/350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) Creepage > 8mm

这是一颗半导体式小型光耦合继电器。可负载高达3300伏电压,耐电流350毫安培,采爬电距离(Creepage Distance) > 8mm 的SO-16 封装形式,使用碳化矽做为MOSFET晶片材料。可承受湿度和温度大幅波动,在恶劣环境下正常运作。

 

此碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压(1800V)、高电场强度、亦具备高导热能力,并确保其产品能于-40 °C to 125 °C ( -40°F to 257°F)以及各种恶劣环境下正常运作。

 

内部由LED 驱动SiC MOSFET 进行开关,以光信号为媒介来实现电信号的耦合与传递,输入与输出具有更好的隔离度与抗干扰。

 

结合微型尺寸设计、高绝缘性、高崩溃电压、良好散热等特性,碳化矽光耦合继电器适用于电池管理系统绝缘检测线路(BMS Insulation Detection Circuit) 应用。当电池模组内绝缘劣化时,会有接地故障电流通过光耦合继电器,因而启动保护机制。因为电池模组的总电压很高,拓緯的碳化矽光耦合继电器高电压特性能满足绝缘检测线路需求。

 

拓緯的碳化矽光耦合继电器从晶片设计到晶片切割、扩晶、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001 与IATF16949车规认证的新竹厂1K等级无尘室中完成。品质管控、供应链管理、成本控制、交期皆是优势。

产品特性
  • 爬电距离> 8mm
  • 内部使用碳化矽MOSFET
  • 无机械接点造就超长寿命
  • 无机械接点造就无声运作
  • 线性度表现佳
  • 低失真
  • 低耗电
  • 低杂讯
  • 高隔离
  • 高绝缘性
接点形式
  • 1 Form A
输入/输出间绝缘耐压(V)
  • 5000
交流/直流
  • AC
  • DC
耐电压(V)
  • 3300
耐电流(A)
  • 0.35
封装形式
  • SO-16
导通电组(Ω)
  • 3.4
产品应用
  • 电动车电池管里系统(BMS)
  • 充电桩
  • 绝缘检测、高压检测
  • 半导体测试介面板
  • 半导体测试机(ATE)
  • 工业控制
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AS53F Series 规格书
AS53F Series 规格书

3300V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm

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