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圖片 | 產品名稱 | 接點形式 | 耐電壓 (V) | 耐電流 (A) | 文件下載 | 設定 |
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AA51F | 1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
||
AM51 | 1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
||
AM51F | 1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
||
AA52 | 1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5 |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
||
AA52F | 1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
||
AA53 | 3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
||
AA53F | 3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
||
AM53 | 3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
||
AM53F | 3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
||
AS53F | 3300V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm |
1 Form A |
3300 |
0.35 |
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AN53 | 採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器 |
1 Form A |
3000 |
0.5 |
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AA58 | 1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5 |
1 Form A |
1800 |
0.03 |