18 GHz SP4TマイクロメカニカルRF MEMSスイッチ（ESD強化）
AMS-514-E
これは高出力SP4TマイクロメカニカルRF MEMSスイッチです（長さ*幅*高さ：5.8*5.8*1.9mm）。 各チャンネルは9Wを超える前方電力を持つことができます。 このRF MEMSスイッチは、DCから18GHzまでの超低挿入損失と優れた直線性を提供し、30億回以上のオン/オフ操作が可能です。 AMS-514-Eは、最大2KV HBMのESD保護を強化するように設計されています。 線形性、挿入損失、ESD保護が重要なパラメータであるアプリケーションに最適です。
特徴
- DCから18GHz
- SP4T
- 高線形性、IP3 > 95 dBm
- 低オン状態挿入損失：3 dB @ 16 GHz (WOAFR) / 18GHz (AFR)
- オフステート静電容量: 15fF
- 高信頼性 > 30億回のスイッチング操作
- 8マイクロ秒のターンオン時間
- 2000V ESD (HBM)
接点形式
- SP4T (MEMS Switch)
周波数
- 18 GHz
電力処理
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
負荷電圧 (V)
- 150
負荷電流 (A)
- 0.5
オン抵抗 (Ω)
- 1
挿入損失
- 3.0dB@ 18GHz
- 1.0dB@ 6GHz
リターンロス
- 10dB@ 18GHz
- 15dB@ 6GHz
絶縁
- 20dB@ 18GHz
- 30dB@ 6GHz
ESD保護
- 2,000V
10Gbpsでの性能（差動信号経路）
アイ高さ：607 mV / アイ幅：94.6 ps / ジッター：7.9593 ps
10Gbpsでの性能（ループバック経路）
アイ高さ：606 mV / アイ幅：94.8 ps / ジッター：7.8224 ps
20Gbpsでの性能（差動信号経路）
アイ高さ：457 mV / アイ幅：43.46 ps / ジッター：9.5976 ps
20Gbpsでの性能（ループバック経路）
アイ高さ：457 mV / アイ幅：43.46 ps / ジッター：9.5978 ps
32 Gbpsでの性能（差動信号経路）
アイ高さ：135mV/ アイ幅：21.97 ps/ ジッター：12.636 ps
32 Gbpsでの性能（ループバック経路）
アイ高さ：140 mV/ アイ幅：21.97 ps/ ジッター：12.137 ps
アプリケーション
- スイッチフィルターバンクと可変フィルター
- 高出力RFフロントエンド
- 低損失スイッチマトリックス
- RF EMリレーの置き換え
- アンテナ調整
- アンテナビームステアリング
- デジタルステップアッテネーター
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