40 Gbps DPDT RF MEMSスイッチ
MM5600
これは高速差動信号切替用のDPDTスイッチです。MM5600はMenlo Microのアイデアルスイッチ技術に基づいており、デジタル信号アプリケーションでは最大40 Gbps、または高性能RFアプリケーションでは最大20 GHzで動作できます。MM5600は低挿入損失、高速スイッチング、内部ESDダイオードを備えており、30億回以上のスイッチングサイクルで動作できます。
MM5600の統合ドライバーは、スイッチの高電圧ゲートラインを駆動するシリアル-パラレルインターフェースによって制御されます。この設計は、2つの独立したシングルエンドポートを提供し、同等のEMリレーソリューションと比較してサイズを90%も削減します。内部スイッチドライバーの動作には、外部の+5 VDCロジック電源と高電圧の+89 VDCバイアス電源が必要です。
Bright TowardはMenlo Microの技術サポートおよびアジアでのディストリビューターとして機能します。詳細についてはお問い合わせください。
特徴
- Menlo Microによる理想的なスイッチ®テクノロジー
- DCから20 GHz範囲、最大40 Gbps
- DPDT
- 挿入損失（シングルエンドモード）10GHzで1.3dB
- 線形性IP3 77 dBm
- アイソレーション（シングルエンドモード）10 GHzで24dB
- 高信頼性：30億回以上のスイッチング操作
- ESD保護最大500V
接点形式
- DPDT (MEMS Switch)
周波数
- DC to 20 GHz range, up to 40 Gbps
負荷電圧 (V)
- 150
負荷電流 (A)
- 0.1
オン抵抗 (Ω)
- 1.2
挿入損失
- 1.3dB@ 10GHz [Single-Ended mode]
リターンロス
- 11dB @ 10GHz [Single-Ended mode]
絶縁
- 24dB @10GHz [Single-Ended mode]
ESD保護
- 500V
MM5600の32 Gbpsでの性能
このアイダイアグラムはMM5600の32 Gbpsでの性能を示しています。
MM5600の40 Gbpsでの性能
このアイダイアグラムはMM5600の40 Gbpsでの性能を示しています。
MM5600の32 Gbps（デ・エンベッドされていない）での性能
このアイダイアグラムは、MM5600の32Gbpsでの性能を示しています（RFコネクタとRFトレースはデ・エンベッドされていません）
MM5600の85°Cでの1000万回以上の動作サイクルにおける接触抵抗
以下のグラフは、MM5600の85°Cでの1000万回以上の動作サイクルにおける接触抵抗の変動を示しています
MM5600の25°Cでの1000万回以上の動作サイクルにおける接触抵抗
以下のグラフは、MM5600の25°Cでの1000万回以上の動作サイクルにおける接触抵抗の変動を示しています
MM5600の位相ノイズ性能
超低位相ノイズとジッター：-140dBc@1 MHzオフセット；<20fsジッター/ R&S信号アナライザーで位相ノイズオプションを使用して測定
MM5600：高速デュアルDPDTループバックテストボード
この回路は、ループバックを備えたデュアルDPDT構成で構成された2つのMM5600差動スイッチを利用しています。このセットアップは、最速のPCIe Gen. 5要件を満たすために最大40 Gbpsのデータレートをサポートします。このボード設計は、低損失のRF性能に最適化されています。
アプリケーション
- 差動高速スイッチング
- ATEデバイスインターフェースボード
- 高速コンピュータ周辺機器インターフェース
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