Merkmale

• DC bis 18GHz
• SP4T
• Hohe Linearität, IP3 > 95 dBm
• Niedrige Einfügedämpfung im eingeschalteten Zustand: 3 dB @ 16 GHz (WOAFR) / 18GHz (AFR)
• Kapazität im ausgeschalteten Zustand bei 15fF
• Hohe Zuverlässigkeit > 3 Milliarden Schaltvorgänge
• 8 Mikrosekunden Einschaltzeit
• 2000V ESD (HBM)

Kontaktform

• SP4T (MEMS Switch)

Frequenz

• 18 GHz

Leistungsaufnahme

• 9W (CW) 100W (Pulsed)

Lastspannung (V)

• 150

Laststrom (A)

• 0.5

Widerstand (Ω)

• 1

Einfügedämpfung

• 3.0dB@ 18GHz
• 1.0dB@ 6GHz

Rückflussdämpfung

• 10dB@ 18GHz
• 15dB@ 6GHz

Isolierung

• 20dB@ 18GHz
• 30dB@ 6GHz

ESD-Schutz

• 2,000V

Leistung bei 10Gbps (Differentialsignalweg)

Augenhöhe: 607 mV/ Augenbreite: 94,6 ps/ Jitter 7,9593 ps

Leistung bei 10Gbps (Loopback-Weg)

Augenhöhe: 606 mV/ Augenbreite: 94,8 ps/ Jitter: 7,8224 ps

Leistung bei 20Gbps (Differentialsignalweg)

Augenhöhe: 457 mV/ Augenbreite: 43,46 ps/ Jitter 9,5976 ps

Leistung bei 20Gbps (Loopback-Weg)

Augenhöhe: 457 mV/ Augenbreite: 43,46 ps/ Jitter: 9,5978 ps

Leistung bei 32 Gbps (Differentialsignalweg)

Augenhöhe: 135mV/ Augenbreite: 21,97 ps/ Jitter: 12,636 ps

Leistung bei 32 Gbps (Loopback-Weg)

Augenhöhe: 140 mV/ Augenbreite: 21,97 ps/ Jitter 12,137 ps

Anwendung

• Schaltfilterbänke und einstellbare Filter
• Hochleistungs-RF-Frontends
• Niederverlust-Schaltermatrizen
• RF EM Relais-Ersatz
• Antenne Abstimmung
• Antenne Strahlsteuerung
• Digitale Schritt-Dämpfer

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AMS-514-E Datenblatt

SP4T, RF MEMS Schalter (ESD verbessert)

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