8 GHz DPDTマイクロメカニカルRF MEMSスイッチ（ESD強化）ループバック付き
AMS-422-L
これは高出力DPDTマイクロメカニカルRF MEMSスイッチです（長さ*幅*高さ：7.5*4.4*2.0mm）。 各チャンネルは9Wを超える前方電力を持つことができます。 このRF MEMSスイッチは、DCから8GHzまでの超低挿入損失と優れた直線性を提供し、30億回以上のオン/オフ操作が可能です。 AMS-422-Lは、ループバック機能を備え、最大2KV HBMのESD保護を強化するように設計されています。 線形性、挿入損失、ESD保護が重要なパラメータであるアプリケーションに最適です。
特徴
- DCから8GHz
- DPDT
- 高線形性IP3 > 90 dBm
- オンステート挿入損失: 8GHzで3.0 dB
- 8 GHzで35 dBのアイソレーション
- オフステート静電容量: 15fF
- 30億回のスイッチング操作
- オン時間: 3マイクロ秒
- 2000V ESD (HBM)
接点形式
- DPDT (MEMS Switch)
周波数
- 8 GHz
電力処理
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
負荷電圧 (V)
- 150
負荷電流 (A)
- 0.5
オン抵抗 (Ω)
- 1
挿入損失
- 3dB @ 8GHz
リターンロス
- 10dB@ 8GHz
絶縁
- 35dB
ESD保護
- 2,000V
アプリケーション
- スイッチフィルターバンクと可変フィルター
- 高出力RFフロントエンド
- 半導体テスト
- アンテナ調整
- アンテナビームステアリング
- デジタルステップアッテネーター
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