Interruptor RF MEMS micro-mecánico de 18 GHz SP4T (mejorado ESD)Proveedor | Fabricante de Relés y Interruptores de Alta Calidad de Taiwán | Bright Toward Industrial

Este es un interruptor RF MEMS micro-mecánico de alta potencia SP4T (Longitud*Ancho*Altura: 5.8*5.8*1.9mm). Cada canal es capaz de generar una potencia hacia adelante superior a 9W. Este interruptor RF MEMS proporciona una pérdida de inserción ultra baja y una linealidad superior desde DC hasta 18GHz con más de 3 mil millones de operaciones de encendido/apagado. El AMS-514-E está diseñado para una protección ESD mejorada de hasta 2KV HBM. Es ideal en aplicaciones donde la linealidad, la pérdida de inserción y la protección contra descargas electrostáticas son parámetros críticos. ['Toward'] es un fabricante de interruptores RF MEMS de alta calidad, relés Opto-MOS, relés Opto-MOSFET, relés de lámina y relés de estado sólido de Taiwán. Con más de 30 años de experiencia en la fabricación de relés, ['Toward'] se especializa en la fabricación de diferentes tipos de relés desde 1988.

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Interruptor RF MEMS micro-mecánico de 18 GHz SP4T (mejorado ESD)

Interruptor RF MEMS (mejorado ESD) 18GHz SP4T / Bright Toward Industrial es un fabricante de relés de estado sólido, relés de lámina y conmutadores MEMS.

Interruptor RF MEMS micro-mecánico de 18 GHz SP4T (mejorado ESD) - Interruptor RF MEMS (mejorado ESD) 18GHz SP4T
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Interruptor RF MEMS micro-mecánico de 18 GHz SP4T (mejorado ESD)
AMS-514-E

Este es un interruptor RF MEMS micro-mecánico de alta potencia SP4T (Longitud*Ancho*Altura: 5.8*5.8*1.9mm). Cada canal es capaz de generar una potencia hacia adelante superior a 9W. Este interruptor RF MEMS proporciona una pérdida de inserción ultra baja y una linealidad superior desde DC hasta 18GHz con más de 3 mil millones de operaciones de encendido/apagado. El AMS-514-E está diseñado para una protección ESD mejorada de hasta 2KV HBM. Es ideal en aplicaciones donde la linealidad, la pérdida de inserción y la protección contra descargas electrostáticas son parámetros críticos.

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Características
  • DC a 18GHz
  • SP4T
  • Alta Linealidad, IP3 > 95 dBm
  • Baja Pérdida de Inserción en Estado Activo: 3 dB @ 16 GHz (WOAFR) / 18GHz (AFR)
  • Capacitancia en estado inactivo a 15fF
  • Alta Fiabilidad > 3 Mil millones de Operaciones de Conmutación
  • Tiempo de activación de 8 microsegundos
  • ESD de 2000V (HBM)
Forma de contacto
  • SP4T (MEMS Switch)
Frecuencia
  • 18 GHz
Manejo de potencia
  • 9W (CW) 100W (Pulsed)
Voltaje de carga (V)
  • 150
Corriente de Carga (A)
  • 0.5
Resistencia en Encendido (Ω)
  • 1
Pérdida de Inserción
  • 3.0dB@ 18GHz
  • 1.0dB@ 6GHz
Pérdida de Retorno
  • 10dB@ 18GHz
  • 15dB@ 6GHz
Aislamiento
  • 20dB@ 18GHz
  • 30dB@ 6GHz
Protección ESD
  • 2,000V
Rendimiento a 10Gbps (Ruta de señal diferencial)

Altura del ojo: 607 mV/ Ancho del ojo: 94.6 ps/ Jitter 7.9593 ps

Rendimiento a 10Gbps (Ruta de señal diferencial)
Rendimiento a 10Gbps (Ruta de bucle de retorno)

Altura del ojo: 606 mV/ Ancho del ojo: 94.8 ps/ Jitter: 7.8224 ps

Rendimiento a 10Gbps (Ruta de bucle de retorno)
Rendimiento a 20Gbps (Ruta de señal diferencial)

Altura del ojo: 457 mV/ Ancho del ojo: 43.46 ps/ Jitter 9.5976 ps

Rendimiento a 20Gbps (Ruta de señal diferencial)
Rendimiento a 20Gbps (Ruta de bucle de retorno)

Altura del ojo: 457 mV/ Ancho del ojo: 43.46 ps/ Jitter: 9.5978 ps

Rendimiento a 20Gbps (Ruta de bucle de retorno)
Rendimiento a 32 Gbps (Ruta de Señal Diferencial)

Altura del Ojo: 135mV/ Ancho del Ojo: 21.97 ps/ Jitter: 12.636 ps

Rendimiento a 32 Gbps (Ruta de Señal Diferencial)
Rendimiento a 32 Gbps (Ruta de Bucle)

Altura del Ojo: 140 mV/ Ancho del Ojo: 21.97 ps/ Jitter 12.137 ps

Rendimiento a 32 Gbps (Ruta de Bucle)
Aplicación
  • Bancos de filtros conmutados y filtros sintonizables
  • Frontales de RF de alta potencia
  • Matrices de interruptores de baja pérdida
  • Reemplazo de relé RF EM
  • Ajuste de antena
  • Dirección de haz de antena
  • Atenuadores digitales de paso
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Hoja de datos AMS-514-E
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['Toward'] - Interruptor RF MEMS micro-mecánico de 18 GHz SP4T (mejorado ESD) Fabricante

Ubicada en Taiwán desde 1988, Bright Toward Industrial es un proveedor y fabricante de relés. Productos principales, incluyendo relés Opto-MOSFET, relés Opto-SiC MOSFET, relés de estado sólido, relés Reed y conmutadores RF MEMS.

['Toward'] suministra relés a las industrias de semiconductores y automotriz del mundo desde hace más de tres décadas y tiene asociaciones a largo plazo con OKITA Works con sede en Japón; Menlo Microsystems con sede en California; JEL Systems con sede en Japón y Teledyne Relays y Coax Switches con sede en California. Principalmente sirve a las industrias de Pruebas de Semiconductores, ATE, BMS (Sistemas de Gestión de Baterías), maquinaria industrial y vehículos eléctricos.

['Toward'] ha estado ofreciendo a los clientes relés Opto-MOSFET y Opto-SiC MOSFET de alta calidad desde 1988, tanto con tecnología avanzada como con 37 años de experiencia, ['Toward'] asegura que se satisfagan las demandas de cada cliente.