مفتاح RF MEMS ميكانيكي ميكروي 8 جيجاهرتز DPDT (محسن لحماية من التفريغ الكهروستاتيكي) مع ربط دوريالمورد | مصنع ريليهات ومفاتيح عالية الجودة من تايوان | Bright Toward Industrial Co., LTD.

هذا هو مفتاح RF MEMS ميكانيكي مايكروي ثنائي القطب عالي الطاقة (الطول * العرض * الارتفاع: 7.5 * 4.4 * 2.0 ملم). كل قناة قادرة على قدرة إلى الأمام تزيد عن 9 واط. يوفر هذا المفتاح RF MEMS فقدان إدخال منخفض جدًا وخطية متفوقة من DC إلى 8 جيجاهرتز مع أكثر من 3 مليار عملية تشغيل/إيقاف. تم تصميم M2CG لتوفير حماية محسنة ضد التفريغ الكهروستاتيكي بحد أقصى 2 كيلو فولت HBM. إنها مثالية في التطبيقات التي تعتمد على الخطية وفقدان الإدخال وحماية ESD كمعايير حاسمة. B.T هو مفتاح RF MEMS عالي الجودة ، ومفتاح Opto-MOS ، ومفاتيح Opto-MOSFET ، ومفتاح Reed ، ومفتاح الحالة الصلبة المصنع من تايوان. مع أكثر من 30 عامًا من خبرة تصنيع المفاتيح ، Bright Toward متخصصة في تصنيع أنواع مختلفة من المفاتيح. منذ عام 1988

service@relay.com.tw

اتصل بنا

مفتاح RF MEMS ميكانيكي ميكروي 8 جيجاهرتز DPDT (محسن لحماية من التفريغ الكهروستاتيكي) مع ربط دوري

مفتاح RF MEMS (محسن لحماية من التفريغ الكهروستاتيكي) 8 جيجاهرتز DPDT / Bright Toward Industrial Co., LTD. هي شركة تصنيع للمفاتيح الصلبة الحالة، مفاتيح القصبة ومفاتيح MEMS.

مفتاح RF MEMS ميكانيكي ميكروي 8 جيجاهرتز DPDT (محسن لحماية من التفريغ الكهروستاتيكي) مع ربط دوري - مفتاح RF MEMS (محسن لحماية من التفريغ الكهروستاتيكي) 8 جيجاهرتز DPDT
  • مفتاح RF MEMS ميكانيكي ميكروي 8 جيجاهرتز DPDT (محسن لحماية من التفريغ الكهروستاتيكي) مع ربط دوري - مفتاح RF MEMS (محسن لحماية من التفريغ الكهروستاتيكي) 8 جيجاهرتز DPDT
مفتاح RF MEMS ميكانيكي ميكروي 8 جيجاهرتز DPDT (محسن لحماية من التفريغ الكهروستاتيكي) مع ربط دوري
M2CG

هذا هو مفتاح RF MEMS ميكانيكي مايكروي ثنائي القطب عالي الطاقة (الطول * العرض * الارتفاع: 7.5 * 4.4 * 2.0 ملم). كل قناة قادرة على قدرة إلى الأمام تزيد عن 9 واط. يوفر هذا المفتاح RF MEMS فقدان إدخال منخفض جدًا وخطية متفوقة من DC إلى 8 جيجاهرتز مع أكثر من 3 مليار عملية تشغيل/إيقاف. تم تصميم M2CG لتوفير حماية محسنة ضد التفريغ الكهروستاتيكي بحد أقصى 2 كيلو فولت HBM. إنها مثالية في التطبيقات التي تعتمد على الخطية وفقدان الإدخال وحماية ESD كمعايير حاسمة.

المميزات
  • من العاصمة إلى 8 جيجاهرتز
  • دي بي دي تي
  • معامل الخطية العالية IP3 > 90 ديسيبل ميللي واط
  • فقدان الإدخال في حالة التشغيل: 3.0 ديسيبل عند 8 جيجاهرتز
  • عزل 35 ديسيبل عند 8 جيجاهرتز
  • سعة الحالة الغير فعالة عند 15 فاراد
  • 3 مليار عملية تبديل
  • زمن التشغيل 3 ميكروثانية
  • 2000 فولت حماية من التفريغ الكهروستاتيكي (HBM)
نموذج الاتصال
  • DPDT (MEMS Switch)
التردد
  • 8 GHz
القدرة التحمل
  • 9W (CW) 100W (Pulsed)
جهد التحميل (فولت)
  • 150
تيار التحميل (أمبير)
  • 0.5
المقاومة في التشغيل (Ω)
  • 1
فقدان الإدخال
  • 3dB @ 8GHz
فقدان العودة
  • 10dB@ 8GHz
العزل
  • 35dB
حماية ESD
  • 2,000V
تطبيق
  • بنوك تصفية مفتوحة ومرشحات قابلة للتعديل
  • أنظمة RF عالية القدرة في الواجهة الأمامية
  • اختبار الشرائح الإلكترونية
  • ضبط الهوائي
  • توجيه شعاع الهوائي
  • محددات الخطوة الرقمية
المنتجات ذات الصلة
تبديل RF MEMS ميكانيكي ميكروي 8 جيجا هرتز SP4T - تبديل RF MEMS SP4T من DC إلى 8 جيجا هرتز
تبديل RF MEMS ميكانيكي ميكروي 8 جيجا هرتز SP4T
MM5140

هذا التبديل RF MEMS SP4T عالي القدرة يمكنه توفير تبديلات...

تفاصيل أضف إلى القائمة
تبديل RF MEMS SP4T من DC إلى 18 جيجا هرتز - تبديل RF MEMS SP4T من DC إلى 18 جيجا هرتز
تبديل RF MEMS SP4T من DC إلى 18 جيجا هرتز
MM5120

هذا هو تبديل RF MEMS ميكانيكي مايكروي (DC إلى 18 جيجاهرتز)...

تفاصيل أضف إلى القائمة
دائرة مكبرة من 5 فولت إلى 90 فولت - دائرة مكبرة من 5 فولت إلى 90 فولت
دائرة مكبرة من 5 فولت إلى 90 فولت
MD05-90

هذا هو دائرة مكبرة IC بمدخل 5 فولت؛ يخرج قوة دفع عالية...

تفاصيل أضف إلى القائمة
مفتاح RF MEMS بسرعة 40 جيجابت في الثانية - مفتاح تبديل تفاضلي بسرعة 40 جيجابت في الثانية مع سائق مدمج
مفتاح RF MEMS بسرعة 40 جيجابت في الثانية
MM5600

هذا هو مفتاح DPDT لتبديل إشارات التفاضل عالية السرعة....

تفاصيل أضف إلى القائمة
ريلي MEMS RF DP3T ثنائي بسرعة 64 جيجابت في الثانية - ريلي MEMS RF DP3T ثنائي بسرعة 64 جيجابت في الثانية مع ربط الحلقة
ريلي MEMS RF DP3T ثنائي بسرعة 64 جيجابت في الثانية
MM5620

يعد MM5620 ريلي متخصص يدعم التبديل السريع وعالي الجودة...

تفاصيل أضف إلى القائمة
مفتاح RF MEMS SP4T ميكروميكانيكي بتردد 26 جيجاهرتز - مفتاح RF MEMS SP4T من  DC إلى 26 جيجاهرتز
مفتاح RF MEMS SP4T ميكروميكانيكي بتردد 26 جيجاهرتز
MM5130

هذا هو مفتاح RF MEMS ميكانيكي ميكروي عالي القدرة SP4T. تتيح...

تفاصيل أضف إلى القائمة
من تيار مستمر إلى 18 جيجاهرتز
أربعة أقطاب واحدة
مفتاح RF MEMS - من تيار مستمر إلى 18 جيجاهرتز، SP4T
مفتاح RF MEMS
من تيار مستمر إلى 18 جيجاهرتز أربعة أقطاب واحدة مفتاح RF MEMS
4AX

هذا التبديل RF MEMS SP4T مصمم للتعامل مع ترددات عالية بفقد...

تفاصيل أضف إلى القائمة
مفتاح RF SP*T من DC إلى 18 جيجا هرتز - مفتاح RF MEMS SP6T، SP8T، SP16T من DC إلى 18 جيجا هرتز
مفتاح RF SP*T من DC إلى 18 جيجا هرتز
MIXO

هذه وحدة تبديل RF MEMS متعددة الأقطاب ومتعددة الأطراف...

تفاصيل أضف إلى القائمة
تبديل RF MEMS ميكرو-ميكانيكي SPST (6 قنوات) بتردد 3 جيجاهرتز - تبديل RF MEMS SPST * 6 من العاصمة إلى 3 جيجاهرتز
تبديل RF MEMS ميكرو-ميكانيكي SPST (6 قنوات) بتردد 3 جيجاهرتز
MM3100

هذا هو مفتاح ميكانيكي صغير الحجم عالي القدرة (25 واط...

تفاصيل أضف إلى القائمة
مفتاح RF MEMS ميكانيكي ميكروي (6 قنوات) بقوة 1 أمبير - 1A SPST*6، ستة قنوات مفتاح MEMS
مفتاح RF MEMS ميكانيكي ميكروي (6 قنوات) بقوة 1 أمبير
MM1200

هذا هو ريلي MEMS ميكرو SPST بـ 6 قنوات مصمم لتطبيقات تبديل...

تفاصيل أضف إلى القائمة
مفتاح إشارة عالية التردد SPST بستة قنوات - مفتاح إشارة عالية التردد SPST بقناة واحدة بتيار 1A
مفتاح إشارة عالية التردد SPST بستة قنوات
MM1205

هذا المفتاح الكهربائي عالي التردد ذو 6 قنوات ونوع SPST...

تفاصيل أضف إلى القائمة
تحميل
ورقة بيانات M2CG
ورقة بيانات M2CG

تبديل RF MEMS DPDT بتردد 12 جيجاهرتز (مع تحسين ESD)

تحميل

B.T - مفتاح RF MEMS ميكانيكي ميكروي 8 جيجاهرتز DPDT (محسن لحماية من التفريغ الكهروستاتيكي) مع ربط دوري الشركة المصنعة

موجودة في تايوان منذ عام 1988، Bright Toward Industrial Co., LTD. هي مورد ومصنع للريليهات. المنتجات الرئيسية تشمل ريليهات أوبتو-موسفيت، ريليهات أوبتو-سيك موسفيت، ريليهات الحالة الصلبة، ريليهات القصبة، ومفاتيح RF MEMS.

توريد B.T للريليهات لصناعات الشرائح الإلكترونية والسيارات في جميع أنحاء العالم لأكثر من ثلاثة عقود ولديها شراكات طويلة الأجل مع OKITA Works المقر في اليابان؛ Menlo Microsystems المقر في كاليفورنيا؛ JEL Systems المقر في اليابان و Teledyne Relays and Coax Switches المقر في كاليفورنيا. تخدم بشكل رئيسي صناعة اختبار الشرائح الإلكترونية وأنظمة الاختبار الآلي وأنظمة إدارة البطاريات (BMS) وصناعة الآلات الصناعية وصناعة المركبات الكهربائية.

تقدم B.T للعملاء ريليهات Opto-MOSFET و Opto-SiC MOSFET عالية الجودة منذ عام 1988، مع تكنولوجيا متقدمة وخبرة تمتد لمدة 30 عامًا، تضمن B.T تلبية مطالب كل عميل.