Interruttore RF MEMS micro-meccanico 8 GHz DPDT (potenziato ESD) con loopbackFornitore | Produttore di relè e interruttori di alta qualità proveniente da Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Questo è un interruttore RF MEMS micro-meccanico DPDT ad alta potenza (Lunghezza*Larghezza*Altezza: 7.5*4.4*2.0mm). Ogni canale è in grado di erogare una potenza in avanti superiore a 9W. Questo commutatore RF MEMS offre una perdita di inserzione ultra bassa e una linearità superiore da DC a 8GHz con oltre 3 miliardi di operazioni on/off. Il M2CG è progettato per una protezione ESD migliorata fino a 2KV HBM. È ideale nelle applicazioni in cui linearità, perdita di inserzione e protezione ESD sono parametri critici.B.T è un produttore di commutatori RF MEMS di alta qualità, relè Opto-MOS, relè Opto-MOSFET, relè Reed e relè a stato solido con sede a Taiwan. Con oltre 30 anni di esperienza nella produzione di relè, Bright Toward è specializzata nella produzione di diversi tipi di relè dal 1988.

Interruttore RF MEMS micro-meccanico 8 GHz DPDT (potenziato ESD) con loopback

Interruttore RF MEMS (potenziato ESD) 8GHz DPDT / Bright Toward Industrial Co., LTD. è un produttore di Relè a stato solido, Relè a lamina e Interruttori MEMS.

Interruttore RF MEMS micro-meccanico 8 GHz DPDT (potenziato ESD) con loopback - Interruttore RF MEMS (potenziato ESD) 8GHz DPDT
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Interruttore RF MEMS micro-meccanico 8 GHz DPDT (potenziato ESD) con loopback
M2CG

Questo è un interruttore RF MEMS micro-meccanico DPDT ad alta potenza (Lunghezza*Larghezza*Altezza: 7.5*4.4*2.0mm). Ogni canale è in grado di erogare una potenza in avanti superiore a 9W. Questo commutatore RF MEMS offre una perdita di inserzione ultra bassa e una linearità superiore da DC a 8GHz con oltre 3 miliardi di operazioni on/off. Il M2CG è progettato per una protezione ESD migliorata fino a 2KV HBM. È ideale nelle applicazioni in cui linearità, perdita di inserzione e protezione ESD sono parametri critici.

Caratteristiche
  • Da CC a 8 GHz
  • DPDT
  • High Linearity IP3 > 90 dBm
  • Perdita di inserzione nello stato attivo: 3,0 dB a 8 GHz
  • Isolamento di 35 dB a 8 GHz
  • Capacità nello stato di riposo a 15fF
  • 3 miliardi di operazioni di commutazione
  • Tempo di accensione di 3 microsecondi
  • 2000V ESD (HBM)
Forma di contatto
  • DPDT (MEMS Switch)
Frequenza
  • 8 GHz
Gestione della potenza
  • 9W (CW) 100W (Pulsed)
Tensione di carico (V)
  • 150
Corrente di carico (A)
  • 0.5
Resistenza di accensione (Ω)
  • 1
Perdita di inserzione
  • 3dB @ 8GHz
Perdita di ritorno
  • 10dB@ 8GHz
Isolamento
  • 35dB
Protezione ESD
  • 2,000V
Applicazione
  • Banche di filtri commutabili e filtri regolabili
  • Front-end RF ad alta potenza
  • Test di semiconduttori
  • Taratura dell'antenna
  • Steering del fascio dell'antenna
  • Attenuatori digitali a gradino
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Scheda dati M2CG
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Interruttore RF MEMS DPDT da 12 GHz (aumentato l'ESD)

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B.T - Interruttore RF MEMS micro-meccanico 8 GHz DPDT (potenziato ESD) con loopback Produttore

Situata a Taiwan dal 1988, Bright Toward Industrial Co., LTD. è un fornitore e produttore di relè. I principali prodotti includono relè Opto-MOSFET, relè Opto-SiC MOSFET, relè a stato solido, relè Reed e interruttori RF MEMS.

B.T fornisce relè alle industrie dei semiconduttori e dell'automotive da oltre tre decenni e ha partnership a lungo termine con OKITA Works con sede in Giappone; Menlo Microsystems con sede in California; JEL Systems con sede in Giappone e Teledyne Relays e Coax Switches con sede in California. Serve principalmente le industrie del Testing dei Semiconduttori, ATE, BMS (Battery Management Systems), macchinari industriali e veicoli elettrici.

B.T offre ai clienti relè Opto-MOSFET e Opto-SiC MOSFET di alta qualità dal 1988, entrambi con tecnologia avanzata e 30 anni di esperienza, B.T garantisce che le esigenze di ogni cliente siano soddisfatte.