8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit LoopbackLieferant | Hersteller von hochwertigen Relais und Schaltern aus Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Dies ist ein Hochleistungs-DPDT-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter (Länge*Breite*Höhe: 7,5*4,4*2,0 mm). Jeder Kanal ist in der Lage, eine Vorwärtsleistung von mehr als 9W zu liefern. Dieser RF MEMS-Schalter bietet eine extrem geringe Einfügedämpfung und eine überlegene Linearität von DC bis 8 GHz mit mehr als 3 Milliarden Ein-/Ausschaltvorgängen. Der M2CG ist für einen verbesserten ESD-Schutz bis zu 2KV HBM ausgelegt. Es ist ideal in Anwendungen, in denen Linearität, Einfügungsverlust und ESD-Schutz wichtige Parameter sind.B.T ist ein hochwertiger RF MEMS-Schalter, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Solid-State-Relais-Hersteller aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisfertigung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. Seit 1988

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8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback

RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) 8 GHz DPDT / Bright Toward Industrial Co., LTD. ist ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback - RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) 8 GHz DPDT
  • 8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback - RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) 8 GHz DPDT
8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback
M2CG

Dies ist ein Hochleistungs-DPDT-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter (Länge*Breite*Höhe: 7,5*4,4*2,0 mm). Jeder Kanal ist in der Lage, eine Vorwärtsleistung von mehr als 9W zu liefern. Dieser RF MEMS-Schalter bietet eine extrem geringe Einfügedämpfung und eine überlegene Linearität von DC bis 8 GHz mit mehr als 3 Milliarden Ein-/Ausschaltvorgängen. Der M2CG ist für einen verbesserten ESD-Schutz bis zu 2KV HBM ausgelegt. Es ist ideal in Anwendungen, in denen Linearität, Einfügungsverlust und ESD-Schutz wichtige Parameter sind.

Eigenschaften
  • DC bis 8 GHz
  • DPDT
  • Hohe Linearität IP3 > 90 dBm
  • Einschaltverlust: 3,0 dB @ 8 GHz
  • 35 dB Isolation @ 8 GHz
  • Kapazität im Aus-Zustand bei 15fF
  • 3 Milliarden Schaltvorgänge
  • 3 Mikrosekunden Einschaltzeit
  • 2000V ESD (HBM)
Kontaktformular
  • DPDT (MEMS Switch)
Frequenz
  • 8 GHz
Leistungsfähigkeit
  • 9W (CW) 100W (Pulsed)
Eingangsspannung (V)
  • 150
Laststrom (A)
  • 0.5
Einschaltwiderstand (Ω)
  • 1
Einfügedämpfung
  • 3dB @ 8GHz
Rückflussdämpfung
  • 10dB@ 8GHz
Isolierung
  • 35dB
ESD-Schutz
  • 2,000V
Anwendung
  • Geschaltete Filterbänke und einstellbare Filter
  • Hochleistungs-RF-Front-Ends
  • Halbleiterprüfung
  • Antennentuning
  • Antennenstrahlausrichtung
  • Digitale Schritt-Dämpfer
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B.T - 8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback Hersteller

Seit 1988 in Taiwan ansässig, ist Bright Toward Industrial Co., LTD. ein Lieferant und Hersteller von Relais. Zu den Hauptprodukten gehören Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Solid-State-Relais, Reed-Relais und RF-MEMS-Schalter.

B.T liefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und pflegt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan, Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien, JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays und Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Hauptmärkte sind die Halbleitertestung, ATE, BMS (Battery Management Systems), Industriemaschinen und die Elektrofahrzeugindustrie.

B.T bietet Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, sowohl mit fortschrittlicher Technologie als auch mit 30 Jahren Erfahrung. B.T stellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.