8 जीएच डीपीडीटी माइक्रो-मैकेनिकल आरएफ मेम्स स्विच (ईएसडी वृद्धि) विथ लूपबैकआपूर्तिकर्ता | उच्च गुणवत्ता वाले रिले और स्विच निर्माता ताइवान से | Bright Toward Industrial Co., LTD.

यह एक उच्च शक्ति वाला DPDT माइक्रो-मैकेनिकल आरएफ मेम्स स्विच है (लंबाई*चौड़ाई*ऊचाई: 7.5*4.4*2.0 मिमीटर)। प्रत्येक चैनल 9W से अधिक आगे की शक्ति के क्षमता वाला है। यह RF MEMS स्विच DC से 8 जीगाहर्ट्ज तक अल्ट्रा-लो इन्सर्शन लॉस और श्रेष्ठ रेखांकन प्रदान करता है, जिसमें 3 अरब से अधिक चालू/बंद कार्यों की सुविधा होती है। M2CG 2KV HBM तक उन्नत ESD सुरक्षा के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह ऐसे अनुप्रयोगों में आदर्श है जहां रेखांकन, संयोजन हानि और ईएसडी संरक्षण महत्वपूर्ण पैरामीटर हैं। B.T एक उच्च गुणवत्ता वाला आरएफ मेम्स स्विच, ऑप्टो-एमओएस रिले, ऑप्टो-एमओएसएफईटी रिले, रीड रिले, सॉलिड स्टेट रिले निर्माता है, ताइवान से। 30 से अधिक वर्षों के रिले निर्माण अनुभव के साथ, Bright Toward विभिन्न प्रकार के रिले निर्माण में विशेषज्ञ है। 1988 से

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8 जीएच डीपीडीटी माइक्रो-मैकेनिकल आरएफ मेम्स स्विच (ईएसडी वृद्धि) विथ लूपबैक

आरएफ मेम्स स्विच (ईएसडी वृद्धि) 8जीएच डीपीडीटी / Bright Toward Industrial Co., LTD. सॉलिड स्टेट रिले, रीड रिले और मेम्स स्विच के निर्माता है।

8 जीएच डीपीडीटी माइक्रो-मैकेनिकल आरएफ मेम्स स्विच (ईएसडी वृद्धि) विथ लूपबैक - आरएफ मेम्स स्विच (ईएसडी वृद्धि) 8जीएच डीपीडीटी
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8 जीएच डीपीडीटी माइक्रो-मैकेनिकल आरएफ मेम्स स्विच (ईएसडी वृद्धि) विथ लूपबैक
M2CG

यह एक उच्च शक्ति वाला DPDT माइक्रो-मैकेनिकल आरएफ मेम्स स्विच है (लंबाई*चौड़ाई*ऊचाई: 7.5*4.4*2.0 मिमीटर)। प्रत्येक चैनल 9W से अधिक आगे की शक्ति के क्षमता वाला है। यह RF MEMS स्विच DC से 8 जीगाहर्ट्ज तक अल्ट्रा-लो इन्सर्शन लॉस और श्रेष्ठ रेखांकन प्रदान करता है, जिसमें 3 अरब से अधिक चालू/बंद कार्यों की सुविधा होती है। M2CG 2KV HBM तक उन्नत ESD सुरक्षा के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह ऐसे अनुप्रयोगों में आदर्श है जहां रेखांकन, संयोजन हानि और ईएसडी संरक्षण महत्वपूर्ण पैरामीटर हैं।

विशेषताएँ
  • डीसी से 8 जीगाहर्ट्ज़
  • डीपीडीटी
  • उच्च रेखांकन IP3 > 90 dBm
  • ऑन-स्टेट इन्सर्शन लॉस: 8 जीगाहर्ट्ज पर 3.0 डीबी
  • 8 जीगाहर्ट्ज पर 35 डीबी अलगाव
  • 15fF पर ऑफ-स्टेट कैपेसिटेंस
  • 30 अरब स्विचिंग ऑपरेशन
  • 3 माइक्रोसेकंड चालू होने का समय
  • 2000V ESD (HBM)
संपर्क फॉर्म
  • DPDT (MEMS Switch)
फ़्रिक्वेंसी
  • 8 GHz
पावर हैंडलिंग
  • 9W (CW) 100W (Pulsed)
लोड वोल्टेज (वी)
  • 150
लोड करंट (A)
  • 0.5
ऑन रेजिस्टेंस (Ω)
  • 1
संयोजन हानि
  • 3dB @ 8GHz
वापसी हानि
  • 10dB@ 8GHz
अलगाव
  • 35dB
ईएसडी संरक्षण
  • 2,000V
आवेदन
  • स्विच्ड फ़िल्टर बैंक और ट्यूनेबल फ़िल्टर
  • उच्च शक्ति आरएफ फ्रंट-एंड्स
  • सेमीकंडक्टर परीक्षण
  • एंटीना ट्यूनिंग
  • एंटीना बीम स्टीयरिंग
  • डिजिटल स्टेप अटेन्यूएटर्स
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12जीगाहर्ट्ज डीपीडीटी, आरएफ मेम्स स्विच (ईएसडी वर्द्धित)

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B.T - 8 जीएच डीपीडीटी माइक्रो-मैकेनिकल आरएफ मेम्स स्विच (ईएसडी वृद्धि) विथ लूपबैक निर्माता

1988 से ताइवान में स्थित, Bright Toward Industrial Co., LTD. एक रिले आपूर्तिकर्ता और निर्माता है। मुख्य उत्पाद, जिनमें ऑप्टो-MOSFET रिले, ऑप्टो-SiC MOSFET रिले, सॉलिड स्टेट रिले, रीड रिले और आरएफ मेम्स स्विच शामिल हैं।

B.T तीन दशकों से अधिक समय से दुनिया के सेमीकंडक्टर और ऑटोमोटिव उद्योगों को रिले की आपूर्ति करता है और जापान में स्थित ओकिटा वर्क्स के साथ इसकी दीर्घकालिक साझेदारी है; कैलिफ़ोर्निया स्थित मेनलो माइक्रोसिस्टम्स; जापान में स्थित JEL सिस्टम्स और कैलिफ़ोर्निया में स्थित टेलीडाइन रिलेज़ और कॉक्स स्विच। मुख्य रूप से सेमीकंडक्टर परीक्षण, एटीई, बीएमएस (बैटरी प्रबंधन प्रणाली), औद्योगिक मशीनरी और इलेक्ट्रिक वाहन उद्योगों की सेवा करते हैं।

B.T ने 1988 से ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता वाले ऑप्टो-मॉस्फेट और ऑप्टो-सिक मॉस्फेट रिले प्रदान किए हैं, जिनमें उनकी उन्नत तकनीक और 30 साल का अनुभव है, B.T सुनिश्चित करता है कि प्रत्येक ग्राहक की मांग पूरी होती है।