Chave RF MEMS micro-mecânica DPDT de 8 GHz (Proteção ESD) com LoopbackFornecedor | Fabricante de Relés e Interruptores de Alta Qualidade de Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Este é um interruptor RF MEMS micro-mecânico DPDT de alta potência (Comprimento*Largura*Altura: 7.5*4.4*2.0mm). Cada canal é capaz de fornecer mais de 9W de potência direta. Este interruptor RF MEMS oferece perda de inserção ultra baixa e linearidade superior de DC a 8GHz com mais de 3 bilhões de operações ligado/desligado. O M2CG é projetado para uma proteção aprimorada contra ESD de até 2KV HBM. É ideal em aplicações onde linearidade, perda de inserção e proteção ESD são parâmetros críticos. B.T é um fabricante de alta qualidade de Chave RF MEMS, Relé Opto-MOS, Relés Opto-MOSFET, Relé Reed e Relé de Estado Sólido de Taiwan. Com mais de 30 anos de experiência na fabricação de relés, Bright Toward é especializada na fabricação de diferentes tipos de relés desde 1988.

Chave RF MEMS micro-mecânica DPDT de 8 GHz (Proteção ESD) com Loopback

Chave RF MEMS (Proteção ESD) DPDT de 8GHz / Bright Toward Industrial Co., LTD. é um fabricante de Relés de Estado Sólido, Relés Reed e Chaves MEMS.

Chave RF MEMS micro-mecânica DPDT de 8 GHz (Proteção ESD) com Loopback - Chave RF MEMS (Proteção ESD) DPDT de 8GHz
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Chave RF MEMS micro-mecânica DPDT de 8 GHz (Proteção ESD) com Loopback
M2CG

Este é um interruptor RF MEMS micro-mecânico DPDT de alta potência (Comprimento*Largura*Altura: 7.5*4.4*2.0mm). Cada canal é capaz de fornecer mais de 9W de potência direta. Este interruptor RF MEMS oferece perda de inserção ultra baixa e linearidade superior de DC a 8GHz com mais de 3 bilhões de operações ligado/desligado. O M2CG é projetado para uma proteção aprimorada contra ESD de até 2KV HBM. É ideal em aplicações onde linearidade, perda de inserção e proteção ESD são parâmetros críticos.

Recursos
  • DC a 8GHz
  • DPDT
  • IP3 de Alta Linearidade > 90 dBm
  • Perda de Inserção no Estado Ativo: 3.0 dB @ 8GHz
  • Isolamento de 35 dB @ 8 GHz
  • Capacitância no Estado Inativo de 15fF
  • 3 Bilhões de Operações de Comutação
  • Tempo de Ativação de 3 microssegundos
  • 2000V ESD (HBM)
Forma de Contato
  • DPDT (MEMS Switch)
Frequência
  • 8 GHz
Manuseio de Energia
  • 9W (CW) 100W (Pulsed)
Tensão de Carga (V)
  • 150
Corrente de Carga (A)
  • 0.5
Resistência Ativa (Ω)
  • 1
Perda de Inserção
  • 3dB @ 8GHz
Perda de Retorno
  • 10dB@ 8GHz
Isolamento
  • 35dB
Proteção ESD
  • 2,000V
Aplicação
  • Bancos de filtros comutados e filtros ajustáveis
  • Front-ends de RF de alta potência
  • Testes de semicondutores
  • Sintonia de antenas
  • Direcionamento de feixe de antena
  • Atenuadores digitais de passo
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Ficha de Dados M2CG
Ficha de Dados M2CG

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B.T - Chave RF MEMS micro-mecânica DPDT de 8 GHz (Proteção ESD) com Loopback Fabricante

Localizada em Taiwan desde 1988, Bright Toward Industrial Co., LTD. é um fornecedor e fabricante de relés. Principais produtos, incluindo Relés Opto-MOSFET, Relés Opto-SiC MOSFET, Relés de Estado Sólido, Relés Reed e Chaves RF MEMS.

B.T fornece relés para as indústrias automotivas e de semicondutores do mundo há mais de três décadas e tem parcerias de longo prazo com a OKITA Works, sediada no Japão; Menlo Microsystems com sede na Califórnia; JEL Systems com sede no Japão e Teledyne Relays e Coax Switches com sede na Califórnia. Atende principalmente as indústrias de testes de semicondutores, ATE, BMS (sistemas de gerenciamento de baterias), máquinas industriais e veículos elétricos.

B.T tem oferecido aos clientes relés Opto-MOSFET e Opto-SiC MOSFET de alta qualidade desde 1988, ambos com tecnologia avançada e 30 anos de experiência, B.T garante que as demandas de cada cliente sejam atendidas.